專利名稱：帶電路的懸掛基板的制作方法
技術領域：
本發明涉及帶電路的懸掛基板，具體涉及安裝電子元件的帶電路的懸掛基板。
背景技術：
硬盤驅動器中所搭載的帶電路的懸掛基板通常具備金屬支承基板、形成于金屬支承基板上的基底絕緣層、形成于基底絕緣層上的導體布圖、和形成于基底絕緣層上而被覆導體布圖的被覆絕緣層，該基板在各種電氣機械和電子儀器中被廣泛應用。
為了防止形成銅導體層的銅擴散(離子遷移)到被覆絕緣層中，防止銅導體層的劣化和銅導體層間的短路，對于這樣的帶電路的懸掛基板，提出了在銅導體層表面通過無電解鍍鎳形成鎳薄膜，被覆銅導體層的表面進行保護的技術方案(例如，參照日本專利特開平10-12983號公報)。
此外，在帶電路的懸掛基板等配線電路基板上安裝電子元件時，該安裝工序中，電子元件會因靜電而被破壞。
因此，例如對于柔性電路基板，提出了在基底膜或被覆膜的表面通過蒸鍍法、濺射法、無電解鍍覆法等形成金屬層而實現靜電接地或減弱的技術方案(例如，參照日本專利特開平8-153940號公報)。
發明內容
另外，帶電路的懸掛基板中，用于安裝電子元件的端子部通過將被覆絕緣層開口而作為從該開口部露出的導體布圖的露出部分來進行設置。
特別是電子元件的安裝工序中，該端子部(即導體布圖的露出部分)會有帶少許靜電的情況。如果端子部帶有靜電，則安裝的電子元件有可能因靜電而被破壞。
因此，希望在防止如日本專利特開平10-12983號公報中所記載的銅導體層的離子遷移的同時，防止上述端子部帶有靜電。
然而，如果同時在帶電路的懸掛基板的導體布圖上設置如日本專利特開平10-12983號公報中所記載的用于防止銅導體層的離子遷移的鎳薄膜和如日本專利特開平8-153940號公報中所記載的用于防止帶靜電的金屬層，則鎳薄膜和金屬層的目的各自不同，難以設定除去端子部帶有的靜電所需要的范圍的表面電阻值。
本發明的目的在于提供不僅可以有效地防止導體布圖的離子遷移，而且可以有效地防止端子部帶有靜電的帶電路的懸掛基板。
本發明的帶電路的懸掛基板的特征在于，具備金屬支承基板、形成于前述金屬支承基板上的絕緣層、形成于前述絕緣層上并包含用于與外部端子連接的端子部的導體布圖、和形成于前述導體布圖上的防帶電阻擋層，前述防帶電阻擋層包含金屬薄膜和半導電性層，所述半導電性層的至少一端面對前述端子部，至少另一端接觸前述金屬支承基板。
若采用本發明的帶電路的懸掛基板，因為防帶電阻擋層包含金屬薄膜和半導電性層，所以通過金屬薄膜可以有效地防止導體布圖的離子遷移。此外，通過半導電性層，可以設定除去端子部帶有的靜電所需要的范圍的表面電阻值。因此，可以同時有效地防止導體布圖的離子遷移和端子部的帶電。籍此可以同時有效地防止導體布圖的劣化和導體布圖間的短路及安裝的電子元件的靜電破壞。
此外，本發明的帶電路的懸掛基板中，前述金屬薄膜較好是鎳薄膜。
此外，本發明的帶電路的懸掛基板中，前述半導電性層較好是氧化鉻層。
此外，本發明的帶電路的懸掛基板中，前述防帶電阻擋層上較好是具備被覆前述導體布圖而形成的被覆絕緣層。
此外，本發明的帶電路的懸掛基板中，較好是前述金屬薄膜連續地形成于前述導體布圖的上表面和側面，前述半導電性層連續地形成于前述金屬薄膜的上表面和側面以及從前述金屬薄膜露出的前述絕緣層的上表面和側面。
圖1為本發明的帶電路的懸掛基板的一種實施方式的簡略平面圖。
圖2為沿圖1所示的1條配線的長邊方向的部分截面圖。
圖3為本發明的帶電路的懸掛基板的一種實施方式的制造方法的制造工序圖，(a)表示準備金屬支承基板的工序，(b)表示在金屬支承基板的上表面以布圖形成基底絕緣層的工序，(c)表示在基底絕緣層的上表面形成導體布圖的工序，(d)表示在導體布圖的上表面和側面連續地形成金屬薄膜的工序。
圖4為接圖3的本發明的帶電路的懸掛基板的一種實施方式的制造方法的制造工序圖，(e)表示在金屬薄膜的上表面和側面、從金屬薄膜露出的基底絕緣層的上表面和側面以及從基底絕緣層露出的金屬支承基板的上表面連續地形成半導電性層的工序，(f)表示在防帶電阻擋層的半導電性層上形成被覆絕緣層的工序，(g)表示將從被覆絕緣層的開口部露出的半導電性層和金屬薄膜、形成于從被覆絕緣層露出的基底絕緣層的上表面的半導電性層以及形成于從被覆絕緣層露出的金屬支承基板的上表面的半導電性層通過蝕刻除去的工序，(h)表示在端子部的表面形成金屬鍍層的工序。
圖5為濺射裝置的一種實施方式的簡略結構圖。
具體實施例方式
圖1為本發明的帶電路的懸掛基板的一種實施方式的簡略平面圖，圖2為沿圖1所示的1條配線的長邊方向的部分截面圖。
圖1中，該帶電路的懸掛基板1搭載于硬盤驅動器，用于連接磁頭和讀寫基板的導體布圖4一體形成于金屬支承基板2上，該金屬支承基板2在進行支承的同時，對抗安裝磁頭并使該磁頭相對地在與磁盤之間移動時的空氣流，與磁盤之間保持微小間隔。
另外，圖1中，為了明確地表示導體布圖4對于金屬支承基板2的相對位置，表示中略去了后述的作為絕緣層的基底絕緣層3和被覆絕緣層5以及防帶電阻擋層11。
導體布圖4連續一體地具備磁頭側連接端子部6A、外部側連接端子部6B和用于連接磁頭側連接端子部6A及外部側連接端子部6B的配線7。
配線7沿金屬支承基板2的長邊方向設置多條，在寬度方向(與長邊方向垂直的方向)相互隔開間隔并聯配置。
磁頭側連接端子部6A配置于金屬支承基板2的前端部，設置多條，分別連接各配線7的前端部。該磁頭側連接端子部6A上連接作為磁頭的外部端子的端子部(未圖示)。
外部側連接端子部6B配置于金屬支承基板2的后端部，設置多條，分別連接各配線7的后端部。該外部側連接端子部6B上連接作為讀寫基板的外部端子的端子部(未圖示)。
此外，在金屬支承基板2的前端部設置有用于安裝磁頭的萬向接頭8。萬向接頭8以在長邊方向夾著磁頭側連接端子部6A的狀態，通過切割金屬支承基板2而形成。
如圖2所示，該帶電路的懸掛基板1具備金屬支承基板2、形成于金屬支承基板2上的基底絕緣層3、形成于基底絕緣層3上的導體布圖4、和形成于基底絕緣層3和金屬支承基板2上的被覆導體布圖4的被覆絕緣層5。
此外，被覆絕緣層5上，對應于配置磁頭側連接端子部6A或外部側連接端子部6B的部分，形成有貫穿厚度方向的開口部9，從該開口部9露出的導體布圖4的露出部分被設置為磁頭側連接端子部6A或外部側連接端子部6B(以下統稱為端子部6)。另外，圖2中僅顯示了磁頭側連接端子部6A和外部側連接端子部6B中的任意一方。
另外，在該帶電路的懸掛基板1中，在金屬支承基板2、基底絕緣層3和導體布圖4上，以被夾于被覆絕緣層5與金屬支承基板2、基底絕緣層3和導體布圖4之間的狀態，形成有防帶電阻擋層11。
該防帶電阻擋層11具備金屬薄膜12和半導電性層13。
金屬薄膜12在導體布圖4的上表面(除端子部6)和側面(包括層積于被覆絕緣層3的上表面的下端部)以被覆該導體布圖4的狀態連續地形成。
半導電性層13在金屬薄膜12的上表面和側面、從金屬薄膜12露出的基底絕緣層3的上表面和側面以及從基底絕緣層3露出的金屬支承基板2的上表面連續地形成。
此外，半導電性層13以被覆金屬薄膜12、從金屬薄膜12露出的基底絕緣層3以及從基底絕緣層3露出的金屬支承基板2的狀態形成。另外，該半導電性層13上(即，形成于金屬薄膜12的上表面的半導電性層13的上表面、形成于金屬薄膜12的側面的半導電性層13的側面、形成于從金屬薄膜12露出的基底絕緣層3的上表面的半導電性層13的上表面、形成于從金屬薄膜12露出的基底絕緣層3的側面的半導電性層13的側面以及形成于從基底絕緣層3露出的金屬支承基板2的上表面的半導電性層13的上表面)以被覆半導電性層13的狀態形成有被覆絕緣層5。
此外，該半導電性層13以作為鄰接端子部6的長邊方向內側一端的一端部14從開口部9面對端子部6的狀態形成，該一端部14的內端緣16以與開口部9的開口端緣19處于平面視圖同一位置的狀態形成。此外，該半導電性層13中，以作為長邊方向外側另一端的另一端部15的外端緣17以與被覆絕緣層5的被覆端緣18處于平面視圖同一位置的狀態形成。此外，形成于被被覆絕緣層5被覆的金屬支承基板2的上表面的半導電性層13(包括半導電性層13的另一端部15以及形成于基底絕緣層3的側面并層積于金屬支承基板2的上表面的下端部)接觸金屬支承基板2。
該半導電性層13中，其一端部14通過后述的金屬鍍層10和金屬薄膜12與導體布圖4導電連接，另一端部15與金屬支承基板2導電連接。
此外，在端子部6的上表面形成有金屬鍍層10。
該金屬鍍層10被填充于開口部9，使得在被覆絕緣層5中的開口部9的開口端緣19，與防帶電阻擋層11的金屬薄膜12和半導電性層13接觸。
以下，參照圖3和圖4，對該帶電路的懸掛基板1的制造方法進行說明。
該方法如圖3(a)所示，首先準備金屬支承基板2。作為金屬支承基板2，可以使用例如不銹鋼箔、42合金箔、鋁箔、銅-鈹箔、磷青銅箔等金屬箔，較好是使用不銹鋼箔。此外，其厚度例如為5～100μm。
接著，該方法如圖3(b)所示，在金屬支承基板2的上表面形成基底絕緣層3，呈例如金屬支承基板2的上表面的長邊方向另一側(圖3(b)中的右側)的外周緣部20部分露出的布圖。
基底絕緣層3例如由聚酰亞胺樹脂、聚酰胺酰亞胺樹脂、丙烯酸樹脂、聚醚腈樹脂、聚醚砜樹脂、聚對苯二甲酸乙二酯樹脂、聚萘二甲酸乙二酯樹脂、聚氯乙烯樹脂等樹脂形成。從耐熱性的角度來看，較好是由聚酰亞胺樹脂形成。基底絕緣層3的厚度例如為5～50μm，較好為10～30μm。
以布圖形成基底絕緣層3時，沒有特別限定，可以使用公知的方法。例如，將感光性樹脂(感光性聚酰胺酸樹脂)的清漆涂布在金屬支承基板2的表面，干燥涂布的清漆，形成基底被膜。接著，將基底被膜隔著光掩模曝光后，根據需要進行加熱，再通過顯影形成布圖。然后，例如通過在減壓下于250℃以上加熱，使其固化(酰亞胺化)。
接著，該方法如圖3(c)所示，在基底絕緣層3的上表面形成導體布圖4。導體布圖4例如可以由銅、鎳、金、焊錫或它們的合金等導體形成，較好是由銅形成。此外，形成導體布圖4時，通過例如減成法(subtractive method)、加成法(additive method)等公知的布圖形成法，較好是加成法，在基底絕緣層3的上表面以上述端子部6和配線7一體形成的配線電路布圖形成導體布圖4。
減成法中，首先在基底絕緣層3的上表面根據需要通過粘接劑層層積導體層。接著，在該導體層上形成與配線電路布圖相同的布圖的抗蝕膜，以該抗蝕膜對導體層進行蝕刻，然后除去抗蝕膜。
此外，加成法中，首先在基底絕緣層3的整個表面(上表面和側面)形成導體薄膜。導體薄膜采用濺射，較好是通過濺射鉻和濺射銅層積鉻薄膜和銅薄膜。
接著，在該導體薄膜的上表面形成與配線電路布圖相反的布圖的抗鍍膜后，通過電鍍在從抗鍍膜露出的導體薄膜的上表面以配線電路布圖形成導體布圖4，然后將抗鍍膜和層積有抗鍍膜的部分的導體薄膜除去。
以上形成的導體布圖4的厚度例如為3～50μm，較好是5～20μm，各配線7的寬度例如為10～200μm，各配線7間的間隔例如為10～200μm。
此外，端子部6的寬度例如為10～300μm，較好是20～100μm，其間隔例如為10～300μm，較好是20～100μm。
接著，該方法如圖3(d)所示，在導體布圖4的上表面和側面(包括層積于基底絕緣層3的上表面的下端部)以被覆該導體布圖4的狀態連續地形成金屬薄膜12。金屬薄膜12例如由鎳、金、錫、鉻、鈦、鋯或它們的合金等金屬形成，較好是由鎳形成。
此外，金屬薄膜12利用例如通過電鍍或無電解鍍覆形成于導體布圖4的上表面和側面的方法，將上述金屬作為靶材進行濺射的方法等，以被覆導體布圖4的狀態連續地形成。較好是通過無電解鍍覆形成金屬薄膜12。
無電解鍍覆中，例如通過在上述金屬的鍍液中浸漬圖3(c)所示的制造中途的帶電路的懸掛基板1，形成金屬薄膜12。
這樣形成的金屬薄膜12的厚度設定在例如0.01～0.5μm、較好是0.05～0.3μm的范圍內。若金屬薄膜12的厚度在該范圍內，則防帶電阻擋層11可以獲得有效的表面電阻值。另一方面，如果金屬薄膜12的厚度低于上述范圍，則會無法有效地防止導體布圖4的離子遷移。此外，金屬薄膜12的厚度高于上述范圍，則雖然可以有效地防止導體布圖4的離子遷移，但防帶電阻擋層11會無法獲得有效的表面電阻值。
接著，該方法如圖4(e)所示，在金屬薄膜12的上表面和側面、從金屬薄膜12露出的基底絕緣層3的上表面和側面以及從基底絕緣層3露出的金屬支承基板2的上表面連續地形成半導電性層13。
對半導電性層13沒有特別限定，例如由具有1×105～1×1013Ω/□的表面電阻值的樹脂層或金屬層構成，例如由分散有碳粒子、金屬粒子、氧化金屬粒子等導電性粒子的樹脂層或氧化金屬層等構成，較好是由氧化金屬層構成。
氧化金屬層例如由氧化鉻、氧化鎳、氧化銅、氧化鈦、氧化鋯、氧化銦、氧化鋁、氧化鋅等金屬氧化物構成，較好是由氧化鉻構成。氧化鉻在高溫高濕下變化也少，可以形成具有穩定的表面電阻值的氧化金屬層。
另外，氧化金屬層中的金屬的氧化程度也會根據后述的氧化金屬層的形成方法而不同，可以在厚度方向均一地氧化，也可以是最表面的氧化程度最高，從其最表面沿厚度方向越向內側，氧化程度越低。
對氧化金屬層的形成沒有特別限定，例如使用將金屬作為靶材進行濺射后根據需要通過加熱而氧化的方法、進行反應性濺射的方法、將氧化金屬作為靶材進行濺射的方法等。
將金屬作為靶材進行濺射后根據需要通過加熱而氧化的方法中，首先在金屬薄膜12的上表面和側面、從金屬薄膜12露出的基底絕緣層3的上表面和側面以及從基底絕緣層3露出的金屬支承基板2的上表面將金屬作為靶材進行濺射。
濺射例如使用圖5所示的濺射裝置。即，圖5的濺射裝置中，真空室21內靶材22和接地電極23相互隔開間隔相對配置。靶材22連接電源24的同時，等離子體發射監測儀25以可對靶材22發射等離子體的狀態配置。另外，對電源24沒有特別限定，可以使用脈沖電源、直流電源(DC)、交流電源(RF)等。
此外，接地電極23接地的同時，在其表面設置有基板26(在這里，基板26為圖3(d)所示的制造中途的帶電路的懸掛基板1，導體布圖4側以與靶材22相對的狀態設置)。
靶材22例如使用鉻、鎳、銅、鈦、鋁、鉭、鉛、鋅、鋯、鎵、銦和它們的合金等，較好是使用鉻。
接著，在真空室21內，作為導入氣體導入氬氣等惰性氣體，從電源24施加電力，通過等離子體發射監測儀25保持等離子體的發光強度一定，同時以規定時間濺射靶材22。由此，在金屬薄膜12的上表面和側面、從金屬薄膜12露出的基底絕緣層3的上表面和側面以及從基底絕緣層3露出的金屬支承基板2的上表面形成濺射被膜。
另外，如上所述將金屬作為靶材進行濺射的濺射條件的一例如下所示。
極限真空度1.33×10-5～1.33×10-2Pa導入氣體流量(氬氣)1.2×10-3～4×10-3m3/h工作壓力(導入氣體導入后的真空度)1.33×10-2～1.33Pa接地電極溫度10～100℃電力10～2000W濺鍍時間1秒～15分鐘另外，這樣的濺射更具體地適當選擇直流濺射法、高頻率濺射法、磁控濺射法或它們的復合方法等公知的濺射法。
接著，將濺射被膜根據需要通過加熱而氧化時，沒有特別限定，例如使用加熱爐等，在大氣中進行加熱。加熱溫度例如為50～400℃，較好是100～250℃，加熱時間例如為1分鐘～12小時。由此，如圖4(e)所示，在金屬薄膜12的上表面和側面、從金屬薄膜12露出的基底絕緣層3的上表面和側面以及從基底絕緣層3露出的金屬支承基板2的上表面形成由氧化金屬層構成的半導電性層13。
此外，濺射被膜暴露于大氣中自然氧化的情況下，不特別進行加熱，而這時為了形成穩定的氧化金屬層，也可以進行加熱。
另外，該氧化金屬層的氧化狀態為最表面的氧化程度最高，從其最表面沿厚度方向越向內側，氧化程度越低。
進行反應性濺射的方法時，在上述圖5所示的濺射裝置中，除了向真空室21內導入含氧氣的導入氣體之外，使用與上述的濺射法同樣的方法。
更具體地，作為靶材22，使用與用于形成上述濺射被膜的金屬同樣的金屬，作為基板，以導體布圖4側與靶材22相對的狀態配置圖3(d)所示的制造中途的帶電路的懸掛基板1。
接著，在真空室21內作為導入氣體導入必須有氧氣的氬氣或氮氣以任意比例混合得到的反應性氣體(例如Ar/O2混合氣體、N2/O2混合氣體)，從電源24施加電力，通過等離子體發射監測儀25保持等離子體的發光強度一定，同時以規定時間濺射靶材22。
由此，如圖4(e)所示，在金屬薄膜12的上表面和側面、從金屬薄膜12露出的基底絕緣層3的上表面和側面以及從基底絕緣層3露出的金屬支承基板2的上表面形成由氧化金屬層構成的半導電性層13。另外，該氧化金屬層在厚度方向上被均一地氧化。
另外，上述反應性濺射的濺射條件的一例如下所示。
極限真空度1.33×10-5～1.33×10-2Pa導入氣體流量Ar/O2混合氣體的情況Ar1.2×10-3～2.4×10-3m3/hO26×10-5～30×10-5m3/hN2/O2混合氣體的情況N21.2×10-3～2.4×10-3m3/hO26×10-5～30×10-5m3/h工作壓力(導入氣體導入后的真空度)1.33×10-2～1.33Pa接地電極溫度10～100℃電力10～2000W濺鍍時間3秒～15分鐘將氧化金屬作為靶材進行濺射的方法中，在上述圖5所示的濺射裝置中，除了將氧化金屬作為靶材22且使用交流電源作為電源24之外，使用與上述的濺射法同樣的方法。作為靶材22的氧化金屬例如使用氧化鉻、氧化鋯、氧化硅、氧化錫、氧化鈦、氧化鎂、氧化鋁等金屬氧化物，較好是使用氧化鉻。
更具體地，作為靶材22，使用上述的氧化金屬，作為基板26，以導體布圖4側與靶材22相對的狀態配置圖3(d)所示的制造中途的帶電路的懸掛基板1。
接著，在真空室21內作為導入氣體導入氬氣等惰性氣體，從電源24施加電力，通過等離子體發射監測儀25保持等離子體的發光強度一定，同時以規定時間濺射靶材22。由此，如圖4(e)所示，在金屬薄膜12的上表面和側面、從金屬薄膜12露出的基底絕緣層3的上表面和側面以及從基底絕緣層3露出的金屬支承基板2的上表面形成由氧化金屬層構成的半導電性層13。另外，該氧化金屬層在厚度方向上被均一地氧化。
另外，上述將氧化金屬作為靶材進行濺射的濺射條件的一例如下所示。
極限真空度1.33×10-5～1.33×10-2Pa
導入氣體流量(氬氣)1.2×10-3～4×10-3m3/h工作壓力(導入氣體導入后的真空度)1.33×10-2～1.33Pa接地電極溫度10～100℃電力RF100～2000W濺鍍時間1秒～15分鐘這樣形成的半導電性層13的厚度設定在例如0.005～0.05μm，較好是0.01～0.02μm的范圍內。若半導電性層13的厚度在該范圍內，則防帶電阻擋層11可以獲得有效的表面電阻值。此外，該半導電性層13(形成于基底絕緣層3的上表面和側面以及金屬支承基板2的上表面的部分)的表面電阻值例如在1×105Ω/□以上，較好是在1×107Ω/□以上，通常在1×1013Ω/□以下。
如果防帶電阻擋層11的表面電阻值低于上述范圍，則安裝的電子元件可能會發生誤操作。此外，防帶電阻擋層11的表面電阻值如果高于上述范圍，則會無法防止靜電破壞。
接著，如圖4(f)所示，在防帶電阻擋層11的半導電性層13上形成被覆絕緣層5。
被覆絕緣層5以形成端子部6露出的開口部9的狀態形成。此外，參照圖4(g)，被覆絕緣層5以長邊方向另一側(圖4(g)中的右側)的外周緣部20的外周端緣30露出的布圖形成。
以布圖形成被覆絕緣層5時，沒有特別限定，可以使用公知的方法。例如，將感光性樹脂(感光性聚酰胺酸樹脂)的清漆涂布在防帶電阻擋層11的半導電性層13的表面，干燥涂布的清漆，形成被覆被膜。接著，將被覆被膜隔著光掩模曝光后，根據需要進行加熱，再通過顯影形成布圖。然后，例如通過在減壓下于250℃以上加熱，使其固化(酰亞胺化)。
另外，開口部9的長邊方向長度設定為例如10～1000μm，較好是100～500μm，寬度方向長度設定為例如10～300μm，較好是20～100μm。
接著，該方法如圖4(g)所示，將從被覆絕緣層5的開口部9露出的防帶電阻擋層11的半導電性層13和金屬薄膜12、形成于從被覆絕緣層5露出的基底絕緣層3的上表面的防帶電阻擋層11的半導電性層13以及形成于從被覆絕緣層5露出的金屬支承基板2的上表面的防帶電阻擋層11半導電性層13通過蝕刻除去。
該蝕刻中，將被覆防帶電阻擋層11的被覆絕緣層5作為抗蝕膜，將要蝕刻的防帶電阻擋層11通過使用蝕刻液的濕法蝕刻除去。
蝕刻液根據防帶電阻擋層11的半導電性層13和金屬薄膜12適當選擇，例如半導電性層13由氧化鉻形成、金屬薄膜12由鎳形成的情況下，使用鐵氰化鉀類、高錳酸鉀類、硅酸鈉類、硝酸鈰銨類、鹽酸類、硫酸類、硝酸類等蝕刻液。
接著，通過以該蝕刻除去從開口部9露出的半導電性層13和金屬薄膜12，導體布圖4從開口部9露出，該導體布圖4的露出部分形成為端子部6。此外，通過以上述蝕刻除去形成于從被覆絕緣層5露出的基底絕緣層3的上表面的半導電性層13以及形成于從被覆絕緣層5露出的金屬支承基板2的上表面的半導電性層13，防帶電阻擋層11的半導電性層13的整個上表面被被覆絕緣層5被覆。
然后，該方法如圖4(h)所示，在端子部6的上表面根據需要形成金屬鍍層10后，通過化學蝕刻切割金屬支承基板2而形成萬向接頭8的同時進行外形加工，從而獲得帶電路的懸掛基板1。
金屬鍍層10由金或鎳等金屬形成，通過電鍍或無電解鍍覆等鍍覆形成，較好是鍍金形成金鍍層。此外，理想的還可以是依次鍍鎳和金，形成為鎳/金的多層鍍層。金屬鍍層10的厚度例如為0.5～2μm。
另外，這樣得到的帶電路的懸掛基板1中，防帶電阻擋層11具備金屬薄膜12和形成于該金屬薄膜12上的半導電性層13。因此，通過金屬薄膜12可以有效地防止導體布圖4的離子遷移，即防止形成導體布圖4的金屬擴散到被覆絕緣層5。此外，通過半導電性層13可以對防帶電阻擋層11設定除去端子部帶靜電所需要的上述范圍的表面電阻值。
其結果是，可以同時有效地防止導體布圖4的離子遷移和端子部6的帶電。此外，可以同時有效地防止導體布圖4的劣化和導體布圖4間的短路及安裝的電子元件的靜電破壞。
另外，防帶電阻擋層11的半導電性層13被被覆絕緣層5被覆，所以可以防止半導電性層13的剝離。因此，可以防止脫離了的半導電性層13成為異物飛散。
另外，上述說明中，對于帶電路的懸掛基板1的防帶電阻擋層11，由金屬薄膜12和形成于金屬薄膜12上的半導電性層13形成防帶電阻擋層11，也可以與之相反，即由半導電性層13和形成于半導電性層13上的金屬薄膜12形成。
實施例以下，示例實施例和比較例，對本發明進行更具體的說明，但本發明并不受到實施例和比較例的任何限定。
實施例1準備厚25μm的由不銹鋼箔構成的金屬支承基板(參照圖(a))，在金屬支承基板的上表面涂布另外制備的感光性聚酰胺酸樹脂的清漆，干燥后隔著光掩模進行曝光，再進行加熱，然后通過顯影形成金屬支承基板的上表面的外周緣部部分露出的布圖，再使其加熱固化，形成厚10μm的由聚酰亞胺樹脂形成的基底絕緣層(參照圖3(b))。
接著，在該基底絕緣層的上表面通過加成法以端子部和配線一體形成的配線電路布圖形成厚10μm的由銅形成的導體布圖(參照圖3(c))。
然后，在導體布圖的上表面和側面(包括層積于基底絕緣層的上表面的下端部)以被覆該導體布圖的狀態通過無電解鍍鎳連續地形成由鎳薄膜構成的厚0.15μm的金屬薄膜(參照圖3(d))。
此外，通過ESCA確認形成了金屬薄膜。
接著，在金屬薄膜的上表面和側面、從金屬薄膜露出的基底絕緣層的上表面和側面以及從基底絕緣層露出的金屬支承基板的上表面通過將鉻作為靶材的濺射連續地形成由鉻薄膜構成的濺射被膜。
另外，濺射采用與上述同樣的方法，以下述的條件進行實施。
靶材Cr極限真空度1.33×10-3Pa導入氣體流量(氬氣)2.0×10-3m3/h工作壓力0.16Pa接地電極溫度20℃電力DC180W濺鍍時間4秒濺射被膜的厚度0.01μm接著，通過在125℃于大氣中加熱12小時，氧化由鉻薄膜構成的濺射被膜的表面，形成由氧化鉻層構成的半導電性層(參照圖4(e))。
另外，通過ESCA確認形成了半導電性層。此外，使用表面電阻測定裝置(三菱化學株式會社制，Hiresta-up MCP-HT450)對該半導電性層(形成于基底絕緣層的上表面和側面以及金屬支承基板的上表面的部分)的表面電阻值以溫度25℃、濕度15％的條件進行了測定，結果為1×109Ω/□。此外，防帶電阻擋層(金屬薄膜和半導電性層的層積部分)的表面電阻值為1×107Ω/□。
接著，將感光性聚酰胺酸樹脂的清漆涂布于半導電性層的整面，隔著光掩模曝光后，于190℃加熱，再通過顯影形成被覆被膜，將該被覆被膜在380℃加熱固化2小時。由此，形成開口部，以長邊方向另一側的外周緣部的外周端緣露出的布圖形成被覆絕緣層(參照圖4(f))。
然后，對從被覆絕緣層的開口部露出的半導電性層和金屬薄膜、形成于從被覆絕緣層露出的基底絕緣層的上表面的半導電性層以及形成于從被覆絕緣層露出的金屬支承基板的上表面的半導電性層進行蝕刻(參照圖4(g))。
蝕刻中，將被覆絕緣層作為抗蝕膜，對要蝕刻的防帶電阻擋層進行濕法蝕刻。
然后，在端子部的上表面通過無電解鍍金形成金鍍層后，通過化學蝕刻切割金屬支承基板而形成萬向接頭的同時進行外形加工，從而獲得帶電路的懸掛基板(參照圖4(h))。
比較例1除了未設置金屬薄膜之外，與實施例1同樣地操作，獲得帶電路的懸掛基板。即，防帶電阻擋層的半導電性層在導體布圖的上表面和側面、從導體布圖露出的基底絕緣層的上表面和側面以及從基底絕緣層露出的金屬支承基板的上表面連續地形成。
比較例2除了形成由鋁層構成的金屬層代替由氧化鉻層構成的半導電性層之外，與實施例1同樣地操作，獲得帶電路的懸掛基板。
另外，鋁層通過基于日本專利特開平8-153940號公報的記載的蒸鍍法形成。
此外，金屬層(形成于基底絕緣層的上表面和側面以及金屬支承基板的上表面的部分)的表面電阻值為1×108Ω/□。
但是，該帶電路的懸掛基板在安裝磁頭后，磁頭發生誤操作。
(評價)(1)端子部的帶電對于實施例1和比較例1中得到的磁頭安裝前的帶電路的懸掛基板，使用電量計(春日電機株式會社制，NK-1001)對端子部的電荷量進行了測定。
其結果是，實施例1和比較例1都為0nQ。
(2)離子遷移對于實施例1和比較例1中得到的磁頭安裝前的帶電路的懸掛基板，將試驗氣氛設定為溫度85℃/濕度85％，測定配線間的施加電壓為6V時的配線間電阻值達到1×105Ω以下的時間，從而評價離子遷移。
其結果是，實施例1即使經過1000小時以上，配線間的電阻值仍未達到1×105Ω以下。另一方面，比較例1經過650小時后，配線間的電阻值達到1×105Ω以下。
上述說明作為本發明示例的實施方式，它們只是單純的示例，并不是限定性的解釋。對于本技術領域的從業人員顯而易見的本發明的變形例也包括在后述的權利要求的范圍內。
權利要求
1.帶電路的懸掛基板，其特征在于，具備金屬支承基板、形成于前述金屬支承基板上的絕緣層、形成于前述絕緣層上并包含用于與外部端子連接的端子部的導體布圖、和形成于前述導體布圖上的防帶電阻擋層，前述防帶電阻擋層包含金屬薄膜和半導電性層，所述半導電性層的至少一端面對前述端子部，至少另一端接觸前述金屬支承基板。
2.如權利要求1所述的帶電路的懸掛基板，其特征在于，前述金屬薄膜為鎳薄膜。
3.如權利要求1所述的帶電路的懸掛基板，其特征在于，前述半導電性層為氧化鉻層。
4.如權利要求1所述的帶電路的懸掛基板，其特征在于，前述防帶電阻擋層上具備被覆前述導體布圖而形成的被覆絕緣層。
5.如權利要求1所述的帶電路的懸掛基板，其特征在于，前述金屬薄膜連續地形成于前述導體布圖的上表面和側面，前述半導電性層連續地形成于前述金屬薄膜的上表面和側面以及從前述金屬薄膜露出的前述絕緣層的上表面和側面。
全文摘要
帶電路的懸掛基板具備金屬支承基板、形成于金屬支承基板上的絕緣層、形成于絕緣層上并包含用于與外部端子連接的端子部的導體布圖、和形成于導體布圖上的防帶電阻擋層。防帶電阻擋層包含金屬薄膜和半導電性層，所述半導電性層的至少一端面對端子部，至少另一端接觸金屬支承基板。
文檔編號G11B5/48GK101031183SQ20071008761
公開日2007年9月5日 申請日期2007年3月1日 優先權日2006年3月2日
發明者石井淳, 大藪恭也 申請人:日東電工株式會社