存儲器裝置與其制造方法與流程

本揭示案關于一種存儲器裝置與其制造方法。

背景技術：

1、在晶體管的操作期間，存儲在浮體單元(floating?body?cell，fbc)中的載子主要是通過類似于靠近漏極側的通道熱電子注入操作的碰撞電離所產生的。碰撞電離產生電子及電洞對，其中電子由漏極吸引，而電洞則掃向浮體，并作為n通道裝置的瞬態存儲。由于寄生雙極接面晶體管(bipolar?junction?transistor,bjt)操作是在主體中累積的電洞中，造成的截止狀態泄漏電流相當高。

技術實現思路

1、本揭示案的一些實施例提供一種存儲器裝置，包括基板、電容器、晶體管、字元線、位元線接觸件以及主體接觸件。電容器位于基板上方。晶體管位于電容器上方，并且晶體管包括通道區域、位于通道區域上方的柵極，以及位于通道區域的相對側上的源極及漏極，其中漏極位于電容器上方。字元線位于晶體管的柵極上方并且電性連接至晶體管的柵極。位元線接觸件位于晶體管的源極上方并且電性連接至晶體管的源極。主體接觸件位于晶體管的源極下方。

2、在一些實施例中，漏極的底部低于源極的底部。

3、在一些實施例中，源極的底部與主體接觸件豎直地間隔開。

4、在一些實施例中，位元線接觸件與主體接觸件豎直地重疊。

5、在一些實施例中，漏極與電容器接觸。

6、在一些實施例中，存儲器裝置進一步包括位于位元線接觸件上方并且與位元線接觸件接觸的位元線。

7、本揭示案的一些實施例提供了一種存儲器裝置，包括多個存儲器單元、位元線、多個位元線接觸件以及主體接觸件。存儲器單元中的每一者包括晶體管及電性連接至晶體管的電容器。字元線電性連接至存儲器單元中的每一者的晶體管。位元線接觸件中的每一者電性連接至存儲器單元中的相應一者的晶體管。主體接觸件位于位元線接觸件的豎直下方。

8、在一些實施例中，電容器與晶體管的漏極的底部接觸。

9、在一些實施例中，晶體管處于比電容器更高的位準。

10、在一些實施例中，位元線接觸件及主體接觸件位于晶體管的源極的相對側。

11、在一些實施例中，主體接觸件及電容器處于比晶體管更低的位準。

12、本揭示案的一些實施例提供了一種存儲器裝置的制造方法，包括：在第一介電層中形成電容器；在第一介電層中形成主體接觸件，其中主體接觸件與電容器間隔開；在第一介電層上方形成半導體層并且覆蓋電容器及主體接觸件；在半導體層上方形成晶體管；以及形成與晶體管的源極接觸的位元線接觸件。

13、在一些實施例中，形成主體接觸件包括：在第一介電層及電容器上方形成第二介電層；在第二介電層上方形成具有開口的硬遮罩層；穿過硬遮罩層的開口蝕刻第一介電層及第二介電層，以在第一介電層及第二介電層中形成凹槽；移除硬遮罩層；形成過填凹槽的主體接觸件材料層；以及對主體接觸件材料層執行平坦化工藝，直至暴露第一介電層為止。

14、在一些實施例中，形成晶體管包括：在半導體層上方形成硬遮罩層，其中硬遮罩層具有與電容器重疊的開口；穿過作為遮罩的遮硬遮罩層的開口執行第一植入工藝以在半導體層中形成晶體管的漏極；以及移除硬遮罩層。

15、在一些實施例中，形成晶體管進一步包括：執行第二植入工藝以在半導體層中形成晶體管的源極并且與主體接觸件重疊。

16、在一些實施例中，第一植入工藝的摻雜強度強于第二植入工藝的摻雜強度。

17、在一些實施例中，晶體管的源極與主體接觸件豎直地重疊，而晶體管的源極與主體接觸件豎直地間隔開。

18、在一些實施例中，晶體管的漏極與電容器接觸。

19、在一些實施例中，晶體管的漏極的底部低于晶體管的源極的底部。

20、在一些實施例中，制造方法進一步包括形成與位元線接觸件接觸的位元線。

21、應當理解，上述
技術實現要素：
與以下實施方式兩者皆為舉例說明，并且意欲提供如所主張的本揭示案的進一步解釋。

技術特征：

1.一種存儲器裝置，其特征在于，包含：

2.根據權利要求1所述的存儲器裝置，其特征在于，其中所述漏極的底部低于所述源極的底部。

3.根據權利要求1所述的存儲器裝置，其特征在于，其中所述源極的底部與所述主體接觸件垂直地間隔開。

4.根據權利要求1所述的存儲器裝置，其特征在于，其中所述位元線接觸件與所述主體接觸件垂直地重疊。

5.根據權利要求1所述的存儲器裝置，其特征在于，其中所述漏極與所述電容器接觸。

6.根據權利要求1所述的存儲器裝置，其特征在于，進一步包含：

7.一種存儲器裝置，其特征在于，包含：

8.根據權利要求7所述的存儲器裝置，其特征在于，其中所述電容器與所述晶體管的漏極的底部接觸。

9.根據權利要求7所述的存儲器裝置，其特征在于，其中所述晶體管的位置高于所述電容器的位置。

10.根據權利要求7所述的存儲器裝置，其特征在于，其中所述多個位元線接觸件及所述主體接觸件位于所述晶體管的源極的相對側。

11.根據權利要求7所述的存儲器裝置，其特征在于，其中所述主體接觸件及所述電容器的位置低于所述晶體管的位置。

12.一種存儲器裝置的制造方法，其特征在于，包含：

13.根據權利要求12所述的制造方法，其特征在于，其中形成所述主體接觸件包含：

14.根據權利要求12所述的制造方法，其特征在于，其中形成所述晶體管包含：

15.根據權利要求14所述的制造方法，其特征在于，其中形成所述晶體管進一步包含：

16.根據權利要求15所述的制造方法，其特征在于，其中所述第一植入工藝的摻雜強度強于所述第二植入工藝的摻雜強度。

17.根據權利要求12所述的制造方法，其特征在于，其中所述晶體管的源極與所述主體接觸件垂直地重疊，同時所述晶體管的所述源極與所述主體接觸件垂直地間隔開。

18.根據權利要求12所述的制造方法，其特征在于，其中所述晶體管的漏極與所述電容器接觸。

19.根據權利要求12所述的制造方法，其特征在于，其中所述晶體管的漏極的底部低于所述晶體管的源極的底部。

20.根據權利要求12所述的制造方法，其特征在于，進一步包含：

技術總結
一種存儲器裝置包括基板、電容器、晶體管、字元線、位元線接觸件以及主體接觸件。電容器位于基板上方。晶體管位于電容器上方，并且晶體管包括通道區域、位于通道區域上方的柵極，以及位于通道區域的相對側上的源極及漏極，其中漏極位于電容器上方。字元線位于晶體管的柵極上方并且電性連接至晶體管的柵極。位元線接觸件位于晶體管的源極上方并且電性連接至晶體管的源極。主體接觸件位于晶體管的源極下方。本揭示可用以減少晶體管的截止狀態泄漏電流。

技術研發人員：蔡鎮宇
受保護的技術使用者：南亞科技股份有限公司
技術研發日：
技術公布日：2025/3/13