專利名稱：具鉆孔電極與壓模包覆保險絲結構及制造方法
技術領域：
本發明涉及一種保險絲結構及制造方法，特別涉及一種結構簡易，具鉆孔電極端 部，可直接印刷金屬薄膜與壓模包覆的保險絲結構及制作方法。
背景技術：
一般電子產品中，保險絲最主要的功能，就是防止超量的電流流過所述電子電路 造成危險，當電路板(PCB)承載電流量超過額定最大使用電流時，常會使昂貴設備受損或 燒毀，而當超額的電流流過保險絲時將使它產生高溫而導致熔斷電路，以保護電子電路免 于受到傷害及危險，故當保險絲的基板使用塑膠材料時，不耐高溫燒灼保護不完全，而且僅 可使用電鍍制造方式的金屬薄膜，制造困難成本高，產品穩定度不佳，又，使用電鍍的金屬 薄膜，浪費材料及生產不良率高。再者，目前隨著電器設備越來越復雜，需要的零件越來越多，電路板上的線路與電 子元件也越來越密集，于是電路基板的線路趨向于微細化，電子元件采晶片化，放置于已沾 有錫膏的電路板上，然后再利用一加熱技術使元件固定于電路板的表面，已是常態使用方 法，其可使電路板的零件可較為密集，使更多功能安置于同樣面積的印刷電路板上，或者能 夠以面積更小的電路板維持同樣的功能，然而，一般晶片化保險絲，制造上是一次大量設計 在一基板上再行切割成粒，形成平齊的端面，其占用大量空間，且切割成粒時容易讓端電極 的金屬受到損傷，浪費材料及生產不良率高。因此現有技術概括具有如下的缺點1.現有的基板使用塑膠材料，不耐高溫燒灼保護不完全。2.現有的保險絲，制造上是一次大量設計在一基板上再行切割成粒，形成平齊的 端面，制造困難成本高，產品穩定度不佳。3.現有的保險絲，切割成粒時容易讓端電極的金屬受到損傷，浪費材料及生產不
良率高。因此，如何將上述缺失加以摒除，即為本案發明人所欲解決的技術困難點的所在。
發明內容
有鑒于所述現有問題，本案發明人基于多年從事相關產品設計的經驗，潛心研究 考慮于兩電極端部進行熔煉部金屬共接，令電阻值與熔斷特性固定；因此本發明的目的為本發明提供一種具鉆孔電極與壓模包覆保險絲結構及制造方 法，特別是指一種結構簡易，具鉆孔電極端部，是可直接印刷金屬薄膜與壓模包覆的保險絲 結構及制作方法。本發明的目的還在于提供一種具鉆孔電極與壓模包覆保險絲結構，其基板使用 BT或PCB材質，可耐高溫燒灼具保護作用，并可直接印刷金屬薄膜，制作簡便成本低，節省 材料及生產良率性，提高產品穩定度。為實現這些本發明的目的，并且根據如所實施和概括描述的那樣以及其他優點，本發明提供了一種具鉆孔電極與壓模包覆保險絲結構，其在于技術方案是具有一基板，其導熱系數(thermal conductivity)在1瓦特/公尺 克耳文(W/m ·Κ) 以下，提供形成晶片保險絲的基礎；一熔煉部，設于基板上，其是由一第一金屬薄膜延伸至基板端部，且在第一金屬薄 膜上形成一較小于第一金屬薄膜的第二金屬薄膜；兩電極部，是分別設于熔煉部的兩側端部；以及一保護體，是設置完全覆蓋所述熔煉部上，達成保護作用；其特征在于，所述的兩電極部具有圓弧狀電性端面，并延伸至熔煉部正面、反面端 部，且與熔煉部的第一金屬薄膜電性連結，又其兩電極部是由一第一金屬薄膜上形成一第 三金屬薄膜及一第四金屬薄膜所構成；另所述保護體，設有壓模包覆，是施設高度壓力成型 所設置，具有高抗壓力防爆特性。在本發明的另一個方面，所述具鉆孔電極與壓模包覆保險絲結構，進一步包括，其 中所述熔煉部的形狀可為直線或曲線或螺旋線條。在本發明的另一個方面，所述具鉆孔電極與壓模包覆保險絲結構，進一步包括，其 中所述基板，為 BT(Bismaleimide Triazine ；BT)或 PCB(Printed Circuit Board ；PCB)材 質。在本發明的另一個方面，所述具鉆孔電極與壓模包覆保險絲結構，進一步包括，其 中所述熔煉部是設置所述基板正面。在本發明的另一個方面，所述具鉆孔電極與壓模包覆保險絲結構，進一步包括，其 中所述熔煉部是設置所述基板正面及反面。又，本發明的制造方法的技術方案是一種具鉆孔電極與壓模包覆保險絲的制造 方法，其包括以下制程步驟(A)提供一基板，在所述基板的正/反面貼合或離子沉積，使形成第一金屬薄膜；(B)以鉆床鉆孔成型；(C)在鉆孔成型的位置貼合或離子沉積，使形成一相同第一金屬薄膜的側面導通 電極部；(D)制成切割對位線；(E)在電極部位置上的第一金屬薄膜上形成第三金屬薄膜，不要形成位置的第一 金屬薄膜以微影(光阻)或印刷方式覆蓋保護；(F)在電極部位置上的第三金屬薄膜上形成第四金屬薄膜，不要形成位置的第三 金屬薄膜以微影(光阻)或印刷方式覆蓋保護；(G)在背面兩側蝕刻第一金屬薄膜，形成背面電極部；(H)在正面蝕刻第一金屬薄膜，形成所需的熔煉部基材，并同步形成正面電極部；(I)在正面第一金屬薄膜上依熔斷特性，形成一較小于第一金屬薄膜的第二金屬 薄膜，形成熔煉部，其中所述第二金屬薄膜熔點是低于第一金屬薄膜，其第二金屬薄膜尺寸 依熔斷特性可自由改變；(J)形成保護體，設有壓模包覆，是以高度壓力成型所設置，完全覆蓋設置所述熔 煉部上，具有高抗壓力防爆特性，達成保護所述熔煉部作用；(K)將所述包覆體上，印刷設置一規格標示；
(L)切割成粒，完成成品。在本發明的另一個方面，所述具鉆孔電極與壓模包覆保險絲的制造方法，進一步 包括，其中所述制程步驟(D)具有以下子步驟(D-I)壓膜切割對位線；(D-2)曝光切割對位線；(D-3)顯影切割對位線；(D-4)蝕刻切割對位線；(D-5)去膜切割對位線。在本發明的另一個方面，所述具鉆孔電極與壓模包覆保險絲的制造方法，進一步 包括，其中所述制程步驟(G)具有以下子步驟(G-I)壓膜背面電極部；(G-2)曝光背面電極部；(G-3)顯影背面電極部；(G-4)蝕刻背面電極部；(G-5)去膜背面電極部；在本發明的另一個方面，所述具鉆孔電極與壓模包覆保險絲的制造方法，進一步 包括，其中所述制程步驟(H)具有以下子步驟(H-I)壓膜正面電極部；(H-2)曝光正面電極部；(H-3)顯影正面電極部；(H-4)蝕刻正面電極部；(H-5)去膜正面電極部；在本發明的另一個方面，所述具鉆孔電極與壓模包覆保險絲的制造方法，進一步 包括，其中所述制程步驟(I)可另具有以下子步驟(I-I)在反面第一金屬薄膜上依熔斷特性，形成一較小于第一金屬薄膜的第二金 屬薄膜，形成熔煉部，其中所述第二金屬薄膜熔點是低于第一金屬薄膜，其第二金屬薄膜尺 寸依熔斷特性可自由改變。與現有技術相比，本發明的有益效果在于在第一金屬薄膜上形成熔點是低于第 一金屬薄膜的第四金屬薄膜，可負載額定電壓及額定兩倍負載電流下，經過1秒后才熔化 阻斷負載電流，可達慢速熔斷的效果，完成微型晶片保險絲的慢熔功效，保障用電安全，提 高產品的良率及穩定度。
圖1是本發明的外觀立體示意圖。
圖2是本發明的制造方法完成制程步驟(A)的剖視圖。
圖3是本發明的制造方法完成制程步驟⑶的俯視圖。
圖4是本發明的制造方法完成制程步驟(C)的剖視圖。
圖5是本發明的制造方法完成制程步驟⑶的俯視圖。
圖6是本發明的制造方法完成制程步驟(F)的剖視圖。
圖7是本發明的制造方法完成制程步驟(G)的剖視圖。圖8是本發明的制造方法完成制程步驟(H)的俯視圖。圖9是本發明的制造方法完成制程步驟(I)的俯視圖。圖10是本發明的制造方法完成制程步驟(J)的剖視圖。圖11是本發明的制造方法進行制程步驟(L)的俯視圖。附圖標記說明1-保險絲；2-基板；21-鉆孔；22-對位線；3_熔煉部；30-第二金 屬薄膜；4-電極部；40-第一金屬薄膜；400-側面導通電極部；41-第三金屬薄膜；42-第四 金屬薄膜；421-正面電極部；422-背面電極部；5-保護體；50-標示；51-切割；
具體實施例方式以下將本發明為達成其發明目的的整體構造設計，配合附圖及實施例，作進一步 詳細說明如下首先請參閱圖1所示，是本發明的外觀立體示意圖。其中一種具鉆孔電極與壓模 包覆保險絲結構，具有一基板2，其導熱系數(thermal conductivity)在1瓦特/公尺 克耳文(W/m ·Κ) 以下，提供形成晶片保險絲的基礎；一熔煉部3，設于基板2上，其是由一第一金屬薄膜40延伸至基板2端部，且在第 一金屬薄膜40上形成一較小于第一金屬薄膜40的第二金屬薄膜30 ；兩電極部4，其分別設于熔煉部3的兩側端部；以及—保護體5，其設置完全覆蓋所述熔煉部3上，達成保護作用；其特征在于，所述的兩電極部4具有圓弧狀電性端面，并延伸至熔煉部3正面、反 面端部，且與熔煉部3的第一金屬薄膜40電性連結，又其兩電極部4是由一第一金屬薄膜 40上形成一第三金屬薄膜41及一第四金屬薄膜42所構成；另所述保護體5，設有壓模包 覆，是施設高度壓力成型所設置，具有高抗壓力防爆特性。又，請參閱圖8至圖10所示，是本發明的制造方法完成制程步驟(A)至(J)的剖 視圖或俯視圖。現說明如后本發明的制造方法的技術方案是一種具鉆孔電極與壓模包 覆保險絲的制造方法，其包括以下制程步驟(A)提供一基板2，在所述基板的正/反面貼合或離子沉積，使形成第一金屬薄膜 40 ；(B)以鉆床鉆孔21成型；(C)在鉆孔21成型的位置貼合或離子沉積，使形成一相同第一金屬薄膜40的側面 導通電極部400 ；(D)制成切割對位線22，其中具有以下子步驟(D-I)壓膜切割對位線；(D-2)曝光切割對位線；(D-3)顯影切割對位線；(D-4)蝕刻切割對位線；(D-5)去膜切割對位線；(E)在電極部4位置上的第一金屬薄膜40上形成第三金屬薄膜41，不要形成位置的第一金屬薄膜以微影(光阻)或印刷方式覆蓋保護；(F)在電極部4位置上的第三金屬薄膜41上形成第四金屬薄膜42，不要形成位置 的第三金屬薄膜以微影(光阻)或印刷方式覆蓋保護；(G)在背面蝕刻第一金屬薄膜40，形成背面電極部422，其中具有以下子步驟(G-I)壓膜背面電極部；(G-2)曝光背面電極部；(G-3)顯影背面電極部；
(G-4)蝕刻背面電極部；(G-5)去膜背面電極部；(H)在正面蝕刻第一金屬薄膜40，形成所需的熔煉部3基材，并同步形成正面電極 部421，其中具有以下子步驟(H-I)壓膜正面電極部；(H-2)曝光正面電極部；(H-3)顯影正面電極部；(H-4)蝕刻正面電極部；(H-5)去膜正面電極部；(I)在正面第一金屬薄膜40上依熔斷特性，形成一較小于第一金屬薄膜40的第兩 金屬薄膜30，形成熔煉部3，其中所述第兩金屬薄膜30熔點是低于第一金屬薄膜40，其第兩 金屬薄膜30尺寸依熔斷特性可自由改變，用來形成不同慢速熔斷規格的保險絲；又，其中 所述步驟(I)可另具有以下子步驟(I-I)在反面第一金屬薄膜40上依熔斷特性，形成一較小于第一金屬薄膜40的第 二金屬薄膜30，形成熔煉部3，其中所述第二金屬薄膜30熔點是低于第一金屬薄膜40，其第 二金屬薄膜30尺寸依熔斷特性可自由改變，用來形成不同慢速熔斷規格的保險絲，及制成 微型大電流的晶片保險絲；(J)形成保護體5，設有壓模包覆，是以高度壓力成型所設置，完全覆蓋設置所述 熔煉部3上，具有高抗壓力防爆特性，達成保護所述熔煉部3作用；(K)將所述包覆體上，印刷設置一規格標示50 ；(L)切割51成粒，完成成品。請參閱圖2是本發明的制造方法完成制程步驟(A)的剖視圖。基板2成型，是在 BT (Bismaleimide Triazine ；BT)基板或 PCB (Printed Circuit Board ；PCB)基板貼合銅 箔，BT基板或PCB基板材料為含玻璃纖維等的BT基板或PCB基板，在BT基板或PCB基板上 下兩面貼合或離子沈積形成第一金屬薄膜40 ；其中所述第一金屬薄膜40的材料，可為金、 銀、銅等金屬導電材料。請參閱圖3是本發明的制造方法完成制程步驟(B)的俯視圖及圖4是本發明的制 造方法完成制程步驟(C)的剖視圖。其中，鉆孔21，是以鉆床成型方式在BT(Bismaleimide Triazine ；BT)基板或PCB (Printed Circuit Board ；PCB)基板上成型，再在鉆孔成型的位 置兩側用貼合或離子沉積制作，使形成一相同第一金屬薄膜的側面導通電極部400 ；請參閱圖5是本發明的制造方法完成制程步驟(D)的俯視圖。制作切割對位線 22，是經過壓膜、曝光、顯影、蝕刻、去膜等制程。
請參閱圖6是本發明的制造方法完成制程步驟(F)的剖視圖。所述步驟(F)，是 在第一金屬薄膜40上形成第三金屬薄膜41及第四金屬薄膜42 ；其中所述第三金屬薄膜41 及第四金屬薄膜42其材料為銅、鎳或餳等金屬導電材料，不需形成第三金屬薄膜41及第四 金屬薄膜42的位置以微影(光阻)或印刷方式覆蓋保護。請參閱圖7是本發明的制造方法完成制程步驟(G)的剖視圖。所述步驟(G)制 作背面電極，是在 BT(Bismaleimide Triazine ；BT)基板或 PCB(Printed Circuit Board ； PCB)基板背面兩側形成電極，制作時經過壓膜、曝光、顯影、蝕亥lj、去膜等制程，且以光阻或 印刷材料為遮避材料。請參閱圖8是本發明的制造方法完成制程步驟(H)的俯視圖。所述步驟(H)制 作正面線路，是在 BT (Bismaleimide Triazine ；BT)基板或 PCB (Printed Circuit Board ； PCB)基板正面蝕刻第一金屬薄膜40形成所需的熔煉部3基材，并同步形成正面電極，制作 時經過壓膜、曝光、顯影、蝕刻、去膜等制程，且以光阻或印刷材料為遮避材料。請參閱圖9是本發明的制造方法完成制程步驟(I)的俯視圖。所述步驟(I)正面 線路鍍餳，是在第一金屬薄膜40上可形成第二金屬薄膜30其大小視溶斷特性可自由改變， 制作時以光阻或印刷材料為遮避材料。請參閱圖10是本發明的制造方法完成制程步驟(J)的剖視圖。所述步驟(J)形 成保護體5，設有壓模包覆，其是以高度壓力成型所設置，完全覆蓋設置所述熔煉部3上，具 有高抗壓力防爆特性，達成保護所述熔煉部3作用；請參閱圖11是本發明的制造方法進行制程步驟(L)的俯視圖。本發明具鉆孔電 極與壓模包覆保險絲經過切割線51切割成粒后，即為微型晶片保險絲1的成品。為使本發明更加顯現其進步性與實用性，現將其使用實施上的優點另列舉如下1.本發明的基板使用BT或PCB材質，可耐高溫燒灼具保護作用。2.本發明的制造上先鉆孔再行切割成粒，形成半弧形的端面，制作簡便成本低，提 尚廣品穩定度。3.本發明切割成粒時，不容易讓端電極的金屬受到損傷，節省材料及生產良率性
高ο4.具工商界及產業界上利用價值與實際所需。綜上所述，本發明在突破先前的技術結構及制造方法下，確實已達到所欲增進的 功效，且也是熟悉所述項技藝者所不易于考慮到的；再者，本發明申請前未曾公開，其所具 的進步性、實用性，顯已符合發明專利的申請要件，依法提出發明申請。以上說明對本發明而言只是說明性的，而非限制性的，本領域普通技術人員理解， 在不脫離以下所附權利要求所限定的精神和范圍的情況下，可做出許多修改，變化，或等 效，但都將落入本發明的保護范圍內。
權利要求
一種具鉆孔電極與壓模包覆保險絲結構，其具有一基板，其導熱系數在1瓦特/公尺·克耳文以下，提供形成晶片保險絲的基礎；一熔煉部，其設于所述基板上，其是由一第一金屬薄膜延伸至所述基板端部，且在所述第一金屬薄膜上形成一小于所述第一金屬薄膜的第二金屬薄膜；兩電極部，其分別設于所述熔煉部的兩側端部；以及一保護體，其設置完全覆蓋所述熔煉部上；其特征在于，所述的兩電極部具有圓弧狀電性端面，并延伸至所述熔煉部正面、反面端部，且與所述熔煉部的第一金屬薄膜電性連結，又其所述兩電極部是由所述第一金屬薄膜上形成一第三金屬薄膜及一第四金屬薄膜所構成；另所述保護體，設有壓模包覆，是施設高度壓力成型所設置。
2.根據權利要求1所述的具鉆孔電極與壓模包覆保險絲結構，其特征在于，所述熔煉 部的形狀為直線或曲線或螺旋線條。
3.根據權利要求1所述的具鉆孔電極與壓模包覆保險絲結構，其特征在于，所述基板 為BT材質或PCB材質。
4.根據權利要求1所述的具鉆孔電極與壓模包覆保險絲結構，其特征在于，所述熔煉 部設置于所述基板正面。
5.根據權利要求1所述的具鉆孔電極與壓模包覆保險絲結構，其特征在于，所述熔煉 部設置于所述基板正面及反面。
6.一種具鉆孔電極與壓模包覆保險絲的制造方法，其特征在于，其包括以下制程步驟(A)提供一基板，在所述基板的正/反面貼合或離子沉積，使形成第一金屬薄膜；(B)以鉆床鉆孔成型；(C)在鉆孔成型的位置貼合或離子沉積，使形成一相同所述第一金屬薄膜的側面導通 電極部；(D)制成切割對位線；(E)在所述電極部位置上的第一金屬薄膜上形成第三金屬薄膜，不要形成位置的第一 金屬薄膜以微影或印刷方式覆蓋保護；(F)在所述電極部位置上的第三金屬薄膜上形成第四金屬薄膜，不要形成位置的第三 金屬薄膜以微影或印刷方式覆蓋保護；(G)在背面兩側蝕刻所述第一金屬薄膜，形成背面電極部；(H)在正面蝕刻所述第一金屬薄膜，形成所需的熔煉部基材，并同步形成正面電極部；(I)在正面第一金屬薄膜上依熔斷特性，形成一小于所述第一金屬薄膜的第二金屬薄 膜，形成熔煉部，其中所述第二金屬薄膜熔點低于所述第一金屬薄膜的熔點，其所述第二金 屬薄膜尺寸依熔斷特性可自由改變；(J)形成保護體，設有壓模包覆，是以高度壓力成型所設置，完全覆蓋設置所述熔煉部上；(K)將所述包覆體上，印刷設置一規格標示； (L)切割成粒，完成成品。
7.根據權利要求6所述的具鉆孔電極與壓模包覆保險絲的制造方法，其特征在于，所述制程步驟(D)具有以下子步驟 (D-I)壓膜切割對位線； (D-2)曝光切割對位線； (D-3)顯影切割對位線； (D-4)蝕刻切割對位線； (D-5)去膜切割對位線。
8.根據權利要求6所述的具鉆孔電極與壓模包覆保險絲的制造方法，其特征在于，所 述制程步驟(G)具有以下子步驟(G-I)壓膜背面電極部； (G-2)曝光背面電極部； (G-3)顯影背面電極部； (G-4)蝕刻背面電極部； (G-5)去膜背面電極部。
9.根據權利要求6所述的具鉆孔電極與壓模包覆保險絲的制造方法，其特征在于，所 述制程步驟(H)具有以下子步驟(H-I)壓膜正面電極部； (H-2)曝光正面電極部； (H-3)顯影正面電極部； (H-4)蝕刻正面電極部； (H-5)去膜正面電極部。
10.根據權利要求6所述的具鉆孔電極與壓模包覆保險絲的制造方法，其特征在于，所 述制程步驟(I)另具有以下子步驟(I-I)在反面第一金屬薄膜上依熔斷特性，形成一小于 所述第一金屬薄膜的第二金屬薄膜，形成熔煉部，其中所述第二金屬薄膜熔點低于所述第 一金屬薄膜的熔點，其第二金屬薄膜尺寸依熔斷特性可自由改變。
全文摘要
本發明提供一種具鉆孔電極與壓模包覆保險絲結構及制造方法，具鉆孔電極與壓模包覆保險絲結構包括有一基板、一熔煉部、兩電極部、以及一保護體；所述的兩電極部具有圓弧狀電性端面，并延伸至熔煉部正面、反面端部，且與熔煉部的第一金屬薄膜電性連結，又其兩電極部是由一第一金屬薄膜上形成一第三金屬薄膜及一第四金屬薄膜所構成；另所述保護體，設有壓模包覆，是施設高度壓力成型所設置，具有高抗壓力防爆特性。
文檔編號H01H85/08GK101894717SQ20091020342
公開日2010年11月24日 申請日期2009年5月21日 優先權日2009年5月21日
發明者邱鴻智 申請人:邱鴻智