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鰭狀場效晶體管器件的制作方法

文檔序號：12725565閱讀：來源：國知局

導航： X技術> 最新專利>電氣元件制品的制造及其應用技術>鰭狀場效晶體管器件的制作方法與工藝

技術總結
一種鰭狀場效晶體管器件，包括襯底、至少一柵極堆疊結構、多個間隔物以及源極與漏極區域。柵極堆疊結構配置在襯底上，且多個間隔物配置在柵極堆疊結構的側壁上。源極與漏極區域配置于襯底內，且分設在柵極堆疊結構的相對側。具有接觸開口的介電層配置在襯底的上方，并覆蓋柵極堆疊結構。金屬連接結構配置于接觸開口內，并連接至源極與漏極區域，且黏著層夾置于接觸開口以及位于接觸開口內的金屬連接結構之間。

技術研發人員：張哲誠;林志翰;曾鴻輝
受保護的技術使用者：臺灣積體電路制造股份有限公司
文檔號碼：201611014865
技術研發日：2016.11.18
技術公布日：2017.06.23

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