1.一種GaN基發光二極管的外延片，所述外延片包括藍寶石襯底、以及依次層疊在所述藍寶石襯底上的緩沖層、未摻雜的GaN層、N型層、多量子阱層、P型層，其特征在于，所述外延片還包括層疊在所述未摻雜的GaN層和所述N型層之間的應力釋放層，所述應力釋放層包括交替層疊的未摻雜的AlxGa1-xN層和SiN層，0≤x＜1，所述SiN層中Si組分含量按照如下任一種方式變化：保持不變、沿所述外延片的層疊方向線性增大、沿所述外延片的層疊方向線性減小、單層保持不變且沿所述外延片的層疊方向逐層增大、單層保持不變且沿所述外延片的層疊方向逐層減小、單層保持不變且沿所述外延片的層疊方向先逐層增大再逐層減小、單層保持不變且沿所述外延片的層疊方向先逐層減小再逐層增大。
2.根據權利要求1所述的外延片，其特征在于，所述SiN層的厚度與所述未摻雜的AlxGa1-xN層的厚度相同或者不同。
3.根據權利要求1或2所述的外延片，其特征在于，所述AlxGa1-xN層中Al組分含量保持不變或者沿所述外延片的層疊方向變化。
4.根據權利要求1或2所述的外延片，其特征在于，所述P型層包括依次層疊在所述多量子阱層上的P型電子阻擋層、P型空穴提供層、P型接觸層。
5.一種GaN基發光二極管的外延片的生長方法，其特征在于，所述生長方法包括：
提供一藍寶石襯底；
在所述藍寶石襯底上依次生長緩沖層、未摻雜的GaN層、應力釋放層、N型層、多量子阱層、P型層；
其中，所述應力釋放層包括交替層疊的未摻雜的AlxGa1-xN層和SiN層，0≤x＜1，所述SiN層中Si組分含量按照如下任一種方式變化：保持不變、沿所述外延片的層疊方向線性增大、沿所述外延片的層疊方向線性減小、單層保持不變且沿所述外延片的層疊方向逐層增大、單層保持不變且沿所述外延片的層疊方向逐層減小、單層保持不變且沿所述外延片的層疊方向先逐層增大再逐層減小、單層保持不變且沿所述外延片的層疊方向先逐層減小再逐層增大。
6.根據權利要求5所述的生長方法，其特征在于，所述SiN層的生長溫度與所述未摻雜的AlxGa1-xN層的生長溫度相同或者不同。
7.根據權利要求5或6所述的生長方法，其特征在于，所述SiN層的生長壓力與所述未摻雜的AlxGa1-xN層的生長壓力相同或者不同。
8.根據權利要求5或6所述的生長方法，其特征在于，所述SiN層的厚度與所述未摻雜的AlxGa1-xN層的厚度相同或者不同。
9.根據權利要求5或6所述的生長方法，其特征在于，所述AlxGa1-xN層中Al組分含量保持不變或者沿所述外延片的層疊方向變化。
10.根據權利要求5或6所述的生長方法，其特征在于，所述P型層包括依次層疊在所述多量子阱層上的P型電子阻擋層、P型空穴提供層、P型接觸層。