1.低壓超結MOSFET自對準工藝方法，其特征在于：
包括以下步驟：
步驟一：硅襯底表面淀積一層氧化硅，通過光刻工藝在氧化硅上面定義出溝槽區，然后以氧化硅為硬掩模，對硅襯底進行刻蝕，形成溝槽并移除表面氧化硅；
步驟二：在溝槽內及硅襯底表面生長場氧化硅；
步驟三：溝槽內填充源極多晶硅并進行回刻；
步驟四：利用濕法腐蝕對硅襯底表面及溝槽側壁氧化層進行移除；
步驟五：利用干法熱氧化工藝生長柵氧化硅；
步驟六：淀積柵極多晶硅并進行回刻；
步驟七：淀積介質氧化硅并利用CMP工藝移除表面的氧化硅；
步驟八：利用干法腐蝕進行硅刻蝕；
步驟九：進行體區、源區注入并退火；
步驟十：淀積氮化硅，并利用干法腐蝕刻蝕掉表面的氮化硅；
步驟十一：進行硅刻蝕形成接觸孔；
步驟十二：進行表面金屬工藝。
2.根據權利要求1所述的低壓超結MOSFET自對準工藝方法，其特征在于：
步驟二中，場氧化硅生成通過氧化工藝或淀積工藝實現。
3.根據權利要求1所述的低壓超結MOSFET自對準工藝方法，其特征在于：
步驟三中，源極多晶硅回刻掉表面及溝槽上半部多晶硅，保留下半部多晶硅以形成源極。
4.根據權利要求1所述的低壓超結MOSFET自對準工藝方法，其特征在于：
步驟六中，多晶硅回刻至硅表面以下深度不小于4000A用以填充介質氧化層。
5.根據權利要求1所述的低壓超結MOSFET自對準工藝方法，其特征在于：
步驟七中，氧化硅移除到表面與硅襯底表面齊平。
6.根據權利要求1所述的低壓超結MOSFET自對準工藝方法，其特征在于：
步驟十中，氮化硅刻蝕后形成氮化硅側墻。