一種光電信號轉換處理裝置的制作方法

本實用新型涉及光電轉換技術領域，具體為一種光電信號轉換處理裝置。

背景技術：

光敏電阻又稱光導管，光敏電阻器一般用于光的測量、光的控制和光電轉換(將光的變化轉換為電的變化)。常用的光敏電阻器硫化鎘光敏電阻器，它是由半導體材料制成的。光敏電阻器的阻值隨入射光線(可見光)的強弱變化而變化，在黑暗條件下，它的阻值(暗阻)可達1-10M歐,在強光條件(100LX)下，它阻值(亮阻)僅有幾百至數千歐姆。光敏電阻器對光的敏感性(即光譜特性)與人眼對可見光(0.4-0.76)微米的響應很接近，只要人眼可感受的光，都會引起它的阻值變化。設計光控電路時，都用白熾燈泡(小電珠)光線或自然光線作控制光源，使設計大為簡化。

現有的光敏電阻在整個基板上均涂覆了光敏層，因此對光敏層所用材料造成了浪費，由于一般光敏層所用材料為鎘化物，當在整個基板表面涂覆光敏層時，該光敏電阻的鎘含量通常將達到幾千ppm，也不利于環保。

技術實現要素：

本實用新型的目的在于提供一種光電信號轉換處理裝置，以解決上述背景技術中提出的問題。

為實現上述目的，本實用新型提供如下技術方案：一種光電信號轉換處理裝置,包括金屬基座，所述金屬基座上方設有金屬殼體，所述金屬基座內部下方設有陶瓷基板，所述陶瓷基板的上方設有半導體光敏層，所述半導體光敏層上方左側設有正電極，所述半導體光敏層上方右側設有負電極，所述金屬基座下方左側設有正電極引腳，所述正電極引腳貫穿金屬基座內部的陶瓷基板和半導體光敏層，且延伸至正電極的上方，所述金屬基座下方右側設有負電極引腳，所述負電極引腳貫穿金屬基座內部的陶瓷基板和半導體光敏層，且延伸至負電極的上方。

優選的，所述金屬殼體的外表面設有防潮膜，所述正電極和正電極引腳電性連接，所述負電極和負電極引腳電性連接。

優選的，所述半導體光敏層的面積小于陶瓷基板的面積，所述金屬基座的外表面均設有環氧型樹脂層。

與現有技術相比，本實用新型的有益效果是：本光電信號轉換處理裝置，在金屬殼體內部的陶瓷基板上設有小于陶瓷基板面積的半導體光敏層，節省了光敏電阻的制作材料，同時，減少的半導體光敏層涂覆空間也減少了正電極和負電極設置所需要的材料，有效提高了光敏電阻的環保水平。

附圖說明

圖1為本實用新型結構示意圖；

圖2為本實用新型俯視結構示意圖。

圖中：1金屬基座、2陶瓷基板、3半導體光敏層、4正電極、5金屬殼體、6負電極、7防潮膜、8負電極引腳、9正電極引腳。

具體實施方式

下面將結合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本實用新型中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。

請參閱圖1-2，本實用新型提供一種技術方案：一種光電信號轉換處理裝置,包括金屬基座1，所述金屬基座1上方設有金屬殼體5，所述金屬基座1內部下方設有陶瓷基板2，所述陶瓷基板2的上方設有半導體光敏層3，所述半導體光敏層3上方左側設有正電極4，所述半導體光敏層3上方右側設有負電極6，所述金屬基座1下方左側設有正電極引腳9，所述正電極引腳9貫穿金屬基座1內部的陶瓷基板2和半導體光敏層3，且延伸至正電極4的上方，所述金屬基座1下方右側設有負電極引腳8，所述負電極引腳8貫穿金屬基座1內部的陶瓷基板2和半導體光敏層3，且延伸至負電極6的上方，所述金屬殼體5的外表面設有防潮膜7，所述正電極4和正電極引腳9電性連接，所述負電極6和負電極引腳8電性連接，所述半導體光敏層3的面積小于陶瓷基板2的面積，所述金屬基座1的外表面均設有環氧型樹脂層。

工作原理：在金屬殼體5內部的陶瓷基板2上設有小于陶瓷基板2面積的半導體光敏層3節省了光敏電阻的制作材料，同時，減少的半導體光敏層3涂覆空間也減少了正電極4和負電極5設置所需要的材料，有效提高了光敏電阻的環保水平。其中金屬殼體5的外表面設有防潮膜7可防止雨水進入。

盡管已經示出和描述了本實用新型的實施例，對于本領域的普通技術人員而言，可以理解在不脫離本實用新型的原理和精神的情況下可以對這些實施例進行多種變化、修改、替換和變型，本實用新型的范圍由所附權利要求及其等同物限定。