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氮化鎵薄膜材料外延生長的方法與流程

文檔序號：12724828閱讀：來源：國知局

導航： X技術> 最新專利>電氣元件制品的制造及其應用技術>氮化鎵薄膜材料外延生長的方法與流程

技術總結
一種氮化鎵薄膜材料外延生長的方法，包括：提供襯底；在所述襯底表面形成緩沖層；在所述緩沖層上形成氮化鎵子層；刻蝕部分所述氮化鎵子層；多次重復所述形成所述氮化鎵子層以及刻蝕部分所述氮化鎵子層的步驟，在所述緩沖層表面形成氮化鎵層。上述方法可以形成低位錯密度、高晶體質量的氮化鎵層。

技術研發人員：閆發旺;張峰;趙倍吉;劉春雪;李晨
受保護的技術使用者：上海新傲科技股份有限公司
文檔號碼：201710122952
技術研發日：2017.03.03
技術公布日：2017.06.20

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