二極管以及二極管的制造方法

二極管以及二極管的制造方法
【專利摘要】本發明提供一種二極管以及二極管的制造方法，該二極管使具有p型接觸區和n型接觸區的二極管的耐壓提高。二極管具有：多個p型接觸區，它們與陽極電極接觸；n型接觸區，其在相鄰的兩個p型接觸區之間與陽極電極接觸；陰極區，其被配置于p型接觸區與n型接觸區的背面側，且與陰極電極接觸。p型接觸區具有：第一區域，其與陽極電極接觸；第二區域，其被配置于第一區域的背面側，并具有與第一區域的p型雜質濃度相比較低的p型雜質濃度；第三區域，其被配置于第二區域的背面側，并具有與第二區域的p型雜質濃度相比較低的p型雜質濃度。所述第二區域的厚度與所述第一區域的厚度相比較厚。
【專利說明】
二極管以及二極管的制造方法
技術領域
[0001]本說明書所公開的技術涉及一種二極管以及二極管的制造方法。
【背景技術】
[0002]專利文獻I中公開了一種具備多個P型接觸區、η型接觸區、η型的陰極區的二極管。η型接觸區被配置于相鄰的兩個P型接觸區之間。P型接觸區和η型接觸區與陽極電極接觸。陰極區被配置于P型接觸區和η型接觸區的背面側，并與陰極電極接觸。η型接觸區的η型雜質濃度較低。P型接觸區的P型雜質濃度較高。在向該二極管施加反向電壓時，耗盡層將從P型接觸區向η型接觸區擴展。η型接觸區通過耗盡層而被夾斷。因此，在施加反向電壓時，二極管中沒有電流流通。在向該二極管施加正向電壓時，空穴將從陽極電極流入P型接觸區。隨著空穴流入P型接觸區，耗盡層將從η型接觸區向P型接觸區側收縮，從而耗盡層從η型接觸區消失。因此，在向二極管施加正向電壓時，電流將通過η型接觸區而從陽極電極流向陰極區。即，P型接觸區不成為電流路徑，而η型接觸區成為電流路徑，從而二極管導通。另外，由于如上文所述那樣P型接觸區的P型雜質濃度較高，因此陽極電極與P型接觸區之間的勢皇較小。當如上述那樣陽極電極與P型接觸區之間的勢皇較小時，在施加正向電壓時，空穴將易于從陽極電極流入P型接觸區，從而耗盡層會在短時間內從η型接觸區消失。因此，該二極管的響應速度較快。
[0003]此外，專利文獻2中公開了一種在與專利文獻I相同的二極管中將P型接觸區設為兩層結構的二極管。在該二極管中，P型接觸區具有被形成在與陽極電極相接的范圍內的高濃度區域以及被配置于高濃度區域的背面側的低濃度區域。由于在專利文獻2的二極管中，與陽極電極相接的高濃度區域的P型雜質濃度也較高，因此陽極電極與P型接觸區之間的勢皇較小。因此，專利文獻2的二極管的響應速度也較快。
[0004]在先技術文獻
[0005]專利文獻
[0006]專利文獻I:日本特開2009-94433號公報
[0007]專利文獻2:日本特開2013-120784號公報

【發明內容】

[0008]發明所要解決的課題
[0009]在專利文獻I的二極管中，P型接觸區的P型雜質濃度較高。因此，在向二極管施加有反向電壓時，η型接觸區將被耗盡，而P型接觸區未被耗盡。因此，在P型接觸區的端部附近會產生電場集中。因此，專利文獻I的二極管的反向耐壓較低。此外，在為了抑制電場集中而降低P型接觸區的P型雜質濃度時，在施加有反向電壓時，P型接觸區將耗盡。由于當P型接觸區耗盡時，耗盡層不會進一步向η型接觸區擴展，因此難以夾斷η型接觸區。
[0010]在專利文獻2的二極管中，P型接觸區具有被配置于表面側的高濃度區域和被配置于背面側的低濃度區域。由于在施加有反向電壓時，低濃度區域被耗盡，因此低濃度區域對η型接觸區的耗盡幾乎沒有幫助。因此，為了可靠地夾斷η型接觸區，而需要將高濃度區域設置得比較厚。在向二極管施加有反向電壓時，雖然低濃度區域被耗盡，但高濃度區域未被耗盡。即，在施加反向電壓時，高濃度區域未被耗盡，而低濃度區域與η型接觸區被耗盡。由于未耗盡的高濃度區域較厚，因此在施加反向電壓時，在高濃度區域的端部附近會產生電場集中。專利文獻2的二極管的反向耐壓也較低。
[0011]另外，專利文獻1、2的二極管為在導通時空穴不從P型接觸區流入η型漂移區的類型的二極管。該類型的二極管被稱為JBSD(Junct1n Barrier Schottky D1de:結勢皇肖特基二極管)。另一方面，還存在有在導通時空穴從P型接觸區流入η型漂移區的類型(S卩，電子與空穴雙方均有助于電流的類型)的二極管。該類型的二極管被稱為MPSD(Merged PINShottky D1de:混合PIN肖特基二極管)。在MPSD中也會產生與JBSD相同的問題。因此，在本說明書中提供一種在半導體基板與陽極電極的接觸面上具有P型接觸區和η型接觸區的二極管中，使反向耐壓提高的技術。
[0012]用于解決課題的方法
[0013]本說明書公開的二極管具備:半導體基板；陽極電極，其被形成在所述半導體基板的表面上；陰極電極，其被形成在所述半導體基板的背面上。所述半導體基板具有多個P型接觸區、η型接觸區、陰極區。所述P型接觸區為與所述陽極電極接觸的P型區域。所述η型接觸區為，被配置于相鄰的兩個所述P型接觸區之間并與所述陽極電極接觸的η型區域。所述陰極區為，被配置于所述P型接觸區與所述η型接觸區的背面側，并與所述陰極電極接觸的η型區域。所述P型接觸區具有第一區域至第三區域。所述第一區域與所述陽極電極接觸。所述第二區域被配置于所述第一區域的背面側，并具有與所述第一區域的P型雜質濃度相比較低的P型雜質濃度。所述第二區域的P型雜質濃度相對于其平均值分布在-30%至+30%的范圍內。所述第三區域被配置于所述第二區域的背面側，并具有與所述第二區域的P型雜質濃度相比較低的P型雜質濃度。所述第二區域的厚度與所述第一區域的厚度相比較厚。
[0014]該二極管的P型接觸區具有P型雜質濃度較高的第一區域、P型雜質濃度為中等程度的第二區域以及P型雜質濃度較低的第三區域。在第二區域內，P型雜質濃度分布在-30%至+30%的范圍內，并且P型雜質濃度的差較小。此外，第二區域與第一區域相比較厚。即，在該二極管中，P型雜質濃度以中等程度分布的第二區域較厚。P型雜質濃度較高的第一區域是為了減小陽極電極與P型接觸區之間的勢皇以便加快二極管的響應速度而設置的。在向該二極管施加反向電壓時，耗盡層將從P型接觸區向η型接觸區伸展，從而η型接觸區被夾斷。此處，雖然P型雜質濃度較低的第三區域被瞬間耗盡，因而對耗盡層向η型接觸區的伸展幾乎沒有幫助，但P型雜質濃度較高的第一區域和P型雜質濃度為中等程度的第二區域有助于耗盡層向η型接觸區的伸展。此外，由于第一區域的厚度較薄而第二區域的厚度較厚，因此能夠可靠地夾斷η型接觸區。此外，在施加有反向電壓時，P型雜質濃度較低的第三區域耗盡。此外，在施加有更高的反向電壓的情況下，除了第三區域以外，P型雜質濃度為中等程度的第二區域也會耗盡。P型雜質濃度較高的第一區域不會耗盡。但是，由于第一區域的厚度較薄，因此即使第一區域未耗盡，也不易在第一區域的端部產生電場集中。即，在該二極管中，即使在施加有較高的反向電壓的情況下，也會對電場集中進行抑制。因此，該二極管具有較高的反向耐壓。如上文所說明的那樣，通過設置P型雜質濃度的差較小且厚度較厚的第二區域，從而能夠提高二極管的反向耐壓。
[0015]此外，本說明書涉及一種制造二極管的方法，該方法包括第一工序至第四工序。在第一工序中，以在第一深度處停止的方式，以第一濃度向η型的半導體基板的表面中的隔開間隔而被配置的多個范圍注入P型雜質濃度。在第二工序中，以在深于所述第一深度的深度范圍內停止的方式向所述多個范圍注入P型雜質。在第二工序中，以低于所述第一濃度的第二濃度向所述深度范圍內的多個深度注入P型雜質。在第三工序中，形成與包含所述多個范圍的所述表面接觸的陽極電極。在第四工序中，在所述半導體基板的背面上形成陰極電極。
[0016]在該方法中，在第一工序中能夠形成P型雜質濃度較高的第一區域。此外，在第二工序中，能夠形成P型雜質濃度的差較小且厚度較厚，并位于第一區域的背面側的第二區域。此外，通過使在第二工序中被注入的P型雜質的一部分向更深側擴散，從而形成位于第二區域的背面側并且P型雜質濃度較低的第三區域。另外，還可以進一步設置相對于第三區域而以低濃度注入P型雜質的工序。根據該方法，能夠制造出反向耐壓較高的二極管。
【附圖說明】
[0017]圖1為二極管10的縱剖視圖(圖2的1-1線處的縱剖視圖)。
[0018]圖2為表示半導體基板12的表面12a的俯視圖。
[0019]圖3為P型接觸區20和η型接觸區25的放大剖視圖。
[0020]圖4為表示P型接觸區20內的P型雜質濃度分布的曲線圖。
[0021 ]圖5為表不向二極管10施加有反向電壓時的電位分布的放大剖視圖。
[0022 ]圖6為表不向比較例的二極管施加有反向電壓時的電位分布的放大剖視圖。
[0023]圖7為二極管10的制造方法的說明圖。
[0024]圖8為第一改變例的二極管的放大剖視圖。
[0025]圖9為第二改變例的二極管的放大剖視圖。
【具體實施方式】
[0026]圖1、2所示的實施例的二極管10具有半導體基板12。另外，在圖2中，用斜影線來表示P型區域。半導體基板12由寬帶隙半導體(例如SiC)構成。半導體基板12的表面12a上形成有陽極電極14和絕緣膜18。圖2的虛線14表示形成有陽極電極14的范圍(S卩，半導體基板12與陽極電極14接觸的接觸面15)的輪廓。陽極電極14被形成在半導體基板12的表面12a的中央部。表面12a的未被陽極電極14覆蓋的區域(S卩，虛線14的外側的區域:以下稱為周邊區域13)被絕緣膜18覆蓋。半導體基板12的背面12b上形成有陰極電極16。
[0027]在半導體基板12的內部，形成有η型區域和P型區域。P型區域具有與陽極電極14接觸的P型接觸區20和不與陽極電極14接觸的FLR(Field Limiting Ring:場限環)24。如圖1所示，P型區域僅被形成在半導體基板12的表面12a附近的表層部處。η型區域占據半導體基板12的大部分。
[0028]P型接觸區20具有條紋狀P型接觸區20a以及環狀P型接觸區20b。如圖2所示，條紋狀P型接觸區20a與環狀P型接觸區20b被形成在半導體基板12的表面12a中的接觸面15內。各個P型接觸區20與陽極電極14相接。FLR24被形成在半導體基板12的表面12a中的接觸面15的外側。即，FLR24被形成在周邊區域13內。FLR24的上表面被絕緣膜18覆蓋。
[0029]如圖2所示，各個環狀P型接觸區20b在接觸面15內以環狀延伸。多個環狀P型接觸區20b從外周側趨向內周側，以隔開間隔的方式而配置。最外周側的環狀p型接觸區20b具有與其他的環狀P型接觸區20b相比較寬的寬度。最外周側的環狀P型接觸區20b的與其寬度的中央相比靠內周側的部分位于接觸面15內，而與其寬度的中央相比靠外周側的部分向接觸面15的外側突出。其他的環狀P型接觸區20b全部位于接觸面15內。
[0030]如圖1、2所示，條紋狀P型接觸區20a被形成在最內周側的環狀P型接觸區20b的內周部。條紋狀P型接觸區20a分別相互平行地以直線狀延伸。條紋狀P型接觸區20a在其兩端部處與最內周側的環狀P型接觸區20b連接。
[0031]圖3圖示了P型接觸區20的放大剖視圖。各P型接觸區20(S卩，各條紋狀P型接觸區20a與各環狀P型接觸區20b)具有三層結構，該三層結構具有第一區域21、第二區域22以及第三區域23。第一區域21在半導體基板12的表面12a上露出，并與陽極電極14相接。第二區域22被形成在第一區域21的下側。第三區域23被形成在第二區域22的下側。圖4圖示了在各個P型接觸區20的深度方向(半導體基板12的厚度方向)上的P型雜質濃度分布。如圖4所示，第一區域21內的P型雜質濃度較高。第二區域22內的P型雜質濃度與第一區域21內的P型雜質濃度相比較低。第三區域23內的P型雜質濃度與第二區域22內的P型雜質濃度相比較低。此外，在第二區域22內，P型雜質以大致固定的濃度分布。第二區域22的P型雜質濃度的平均值為濃度Nb。濃度Nb優選為I X 117?I X 1018atomS/Cm3的范圍內的值。P型雜質濃度相對于濃度Nb分布在-30%至+30%的范圍內的區域為第二區域22。第一區域21為具有濃度Nb的1.3倍(他+30%)以上的？型雜質濃度的區域。第三區域23為具有濃度他的0.7倍(他-30%)以下的P型雜質濃度的區域。如圖3、4所示，第二區域22的厚度T2與第一區域21的厚度Tl以及第三區域23的厚度T3中的任意一方相比均較厚。但是，厚度T3也可以厚于厚度T2。厚度Tl優選在0.2μπι以下。厚度T2優選為0.3?0.5μπι的范圍內的值。厚度Τ3優選為0.3?0.5μπι的范圍內的值。
[0032]FLR24為P型的半導體區域。FLR24分別被形成在周辺區域13中，并以包圍陽極電極14的周圍的方式而以環狀延伸。
[0033]η型區域具有η型接觸區25和陰極區30。
[0034]η型接觸區25被形成在相鄰的兩個P型接觸區20之間的各個范圍內。η型接觸區25與兩側的P型接觸區20相接。η型接觸區25與第一區域21、第二區域22以及第三區域23相接。η型接觸區25的η型雜質濃度較低，在本實施例中，在9.5 X 1015atoms/cm3以下。η型接觸區25與陽極電極14接觸。η型接觸區25與陽極電極14肖特基接觸。
[0035]陰極區30被形成在P型接觸區20以及η型接觸區25的下側。陰極區30與各個η型接觸區25相連。此外，陰極區30與各個P型接觸區20的下端部相接。陰極區30擴展至半導體基板12的背面12b，并與陰極電極16相接。此外，陰極區30也被形成在FLR24的下側。陰極區30具有漂移區26和陰極接觸區28。
[0036]漂移區26的η型雜質濃度較低，在本實施例中，在9.5X1015atoms/cm3以下。漂移區26的η型雜質濃度與η型接觸區25的η型雜質濃度大致相等。漂移區26被形成在與P型接觸區20、η型接觸區25以及FLR24相鄰的位置處。
[0037]陰極接觸區28具有與漂移區26的η型雜質濃度相比較高的η型雜質濃度。在本實施例中，陰極接觸區28的η型雜質濃度在3.0X1018atomS/Cm3以上。陰極接觸區28被形成在漂移區26的下側。陰極接觸區28被形成在露出于半導體基板12的背面12b的范圍內。陰極接觸區28與陰極電極16歐姆接觸。陰極接觸區28通過漂移區26而與p型接觸區20、n型接觸區25以及FLR24分離。
[0038]接下來，對二極管10的動作進行說明。在向二極管10施加反向電壓(S卩，使陰極電極16與陽極電極14相比成為高電位的電壓)的狀態下，耗盡層以橫跨P型接觸區20和η型接觸區25的方式而擴展。η型接觸區25的寬度方向上的整體被耗盡。此外，P型接觸區20中的第二區域22和第三區域23的整體被耗盡。第一區域21只有一部分被耗盡，而大部分未被耗盡。之后，當向二極管10施加正向電壓時，空穴將從陽極電極14流入P型接觸區20。通過空穴流入P型接觸區20，從而使耗盡層縮小。更詳細而言，η型接觸區25內的耗盡層朝向η型接觸區25與P型接觸區20的界面的ρη結32后退。其結果為，耗盡層從η型接觸區25消失。此外，P型接觸區20內的耗盡層朝向ρη結32后退。其結果為，耗盡層從P型接觸區20內消失。當η型接觸區25內的耗盡層消失時，電子穿過陽極電極14與η型接觸區25之間的肖特基界面，而從漂移區26向陽極電極14流通。即，電子從陰極電極16起經由陰極接觸區28、漂移區26以及η型接觸區25而流向陽極電極14。由此，二極管10導通。另外，由于第一區域21的P型雜質濃度較高，因此第一區域21與陽極電極14之間的勢皇較小。因此，在二極管導通時，空穴易于從陽極電極14流入P型接觸區20。因此，在二極管導通時，耗盡層會高速地從η型接觸區25以及P型接觸區20消失。因此，該二極管的響應速度較快。此外，在二極管10中，在導通時P型接觸區20內沒有電流流通。即，二極管10為JBSD。
[0039]之后，當向二極管10施加反向電壓時，耗盡層將從ρη結32向η型接觸區25和P型接觸區20擴展。耗盡層從η型接觸區25的兩側的P型接觸區20(S卩，兩側的ρη結32)向η型接觸區25內擴展。從兩側擴展至η型接觸區25的耗盡層在η型接觸區25內連接。即，η型接觸區25的寬度方向上的整個區域被耗盡。如此，由于η型接觸區25通過耗盡層而被夾斷，因此向η型接觸區25流通的電流停止，從而二極管10斷開。這時，由于第三區域23的P型雜質濃度較低，因此第三區域23整體通過從ρη結32延伸的耗盡層而被瞬間耗盡。因此，第三區域23對耗盡層向η型接觸區25的伸展幾乎沒有幫助。由于第一區域21具有較高的P型雜質濃度，因此第一區域21僅部分被耗盡。此外，由于第二區域22具有比較高的P型雜質濃度，因此第二區域22未被瞬間地耗盡。因此，第一區域21與第二區域22有助于耗盡層向η型接觸區25的伸展。此夕卜，為了夾斷η型接觸區25，有助于耗盡層向η型接觸區25的進展的P型區域需要在半導體基板12的厚度方向上具有一定程度的厚度。在本實施方式中，雖然第一區域21的厚度Tl較薄，但第二區域22的厚度Τ2較厚。因此，能夠通過從第一區域21和第二區域22延伸的耗盡層來夾斷η型接觸區25。
[0040]此外，當在η型接觸區25被耗盡之后反向電壓進一步上升時，第二區域22整體將通過從ρη結32延伸的耗盡層而被耗盡。圖5的虛線表示第二區域22被耗盡時的電位分布。當第二區域22耗盡時，在陽極電極14的附近未被耗盡的區域只有第一區域21。未耗盡的第一區域21成為向耗盡了的區域內突出的狀態。因此，電場集中在第一區域21的下端附近(尤其是下端的角部附近)。但是，如上所述，第一區域21的厚度Tl較薄。即，未耗盡的第一區域21向耗盡了的區域內突出的量較小。因此，抑制了電場集中在第一區域21的下端附近的情況。圖6圖示了 P型接觸區20整體具有較高的P型雜質濃度的情況(S卩，P型接觸區20的大致整體未耗盡的情況)下的電場分布，以作為比較例。如圖6所示，當未耗盡的P型接觸區20的厚度較厚時，等電位線在P型接觸區20的下端的角部附近變密，從而在該區域產生較高的電場。對此，如圖5所示，在本實施方式的二極管10中，由于未耗盡的第一區域21的厚度Tl較薄，因此不易在第一區域21的下端附近產生較高的電場。因此，本實施方式的二極管10具有較高的反向耐壓。
[0041]此外，當第一區域21的下側的第二區域22以及第三區域23被耗盡時，會抑制在施加有反向電壓時泄漏電流經由第一區域21而流通的情況。特別是由于厚度T2較厚的第二區域22被耗盡，因此在二極管10中能夠有效抑制泄漏電流。
[0042]接下來，對二極管10的制造方法進行說明。二極管1由與漂移區26具有大致相同的η型雜質濃度的η型的半導體基板12(加工前的半導體基板12)制造而成。首先，如圖7所示，在半導體基板12的表面上形成具有開口部60的掩膜62。開口部60以位于應該形成P型接觸區20的區域以及應該形成FLR24的區域的上部的方式而被形成。接下來，朝向半導體基板12的表面12a照射P型雜質離子。所照射的P型雜質離子被注入到開口部60內的半導體基板12的表面12a上。此處實施第一至第三注入工序。
[0043]在第一注入工序中，以較低的照射能量長時間照射P型雜質。由此，P型雜質以高濃度被注入至圖7的深度Dl (即，最表層部)。
[0044]在第二注入工序中，在改變照射能量的同時多次照射P型雜質。由此，P型雜質被注入至圖7的深度D2、D3、D4、D5 (即，與深度DI相比較深的深度范圍內)。此處，通過使照射時間短于第一注入工序，從而以使各深度D2、D3、D4、D5處的P型雜質濃度與深度Dl處的P型雜質濃度相比較低的方式進行注入。此外，以深度D2、D3、D4、D5各深度處的P型雜質濃度大致相同的方式進行注入。
[0045]在第三注入工序中，以較高的照射能量短時間照射P型雜質。由此，P型雜質以低濃度被注入至與深度D5相比較深的深度D6。
[0046]接下來，通過對半導體基板12進行退火，從而使被注入到半導體基板12中的P型雜質活化。在實施退火時，P型雜質將在半導體基板12中擴散。由此，P型雜質以圖4所示的分布而進行分布。即，在第一注入工序中被注入P型雜質的深度處形成第一區域21。在第二注入工序中被注入P型雜質的深度處形成第二區域22。在第三注入工序中被注入P型雜質的深度處形成第三區域23。由于在第二注入工序中P型雜質以大致相同的濃度被注入至多個深度，因此形成P型雜質濃度大致均勻且厚度T2較厚的第二區域22。
[0047]之后，通過形成陽極電極14、絕緣膜18、陰極接觸區28以及陰極電極16而完成圖1?3所示的二極管10。
[0048]另外，在上述的制造方法中，在第三注入工序中以低濃度將P型雜質注入至深度D6 ο但是，也可以不實施第三注入工序。即使在這種結構中，通過使在第二注入工序中被注入的P型雜質在退火時進行擴散，從而也會形成第三區域23。
[0049]此外，在上述的實施方式中，第一區域21具有與第二區域22大致相同的寬度。但是，如圖8、9所示，第一區域21的寬度Wl也可以窄于第二區域22的寬度W2。
[0050]此外，在上述的實施方式的二極管10中，在二極管導通時，空穴不從P型接觸區20流入陰極區30。但是，在二極管導通時，空穴也可以從P型接觸區20流入陰極區30。即，二極管也可以為MPSD。
[0051]對本說明書公開的技術要素在下文列述。另外，以下的各個技術要素為分別獨立有用的要素。
[0052]在本說明書所公開的一個示例的二極管中，所述第二區域的厚度也可以與所述第三區域的厚度相比較厚。
[0053]在本說明書所公開的一個示例的二極管中，所述第一區域的寬度也可以與所述第二區域的寬度相比較窄。
[0054]以上，雖然對本發明的具體例進行了詳細說明，但這些只不過是示例，并不對權利要求書進行限定。在權利要求書中所記載的技術中，包括對上文所例示的具體例進行了各種的改形、變更的技術。
[0055]在本說明書或附圖中所說明的技術要素通過單獨或各種組合的形式來發揮技術上的有用性，并不被限定于申請時權利要求所記載的組合。此外，在本說明書或附圖中所例示的技術為同時達到多個目的的技術，達到其中一個目的本身便具有技術上的有用性。
[0056]符號說明
[0057]10: 二極管；
[0058]12:半導體基板；
[0059]14:陽極電極；
[0060]16:陰極電極；
[0061]18:絕緣膜；
[0062]20: P型接觸區；
[0063]21:第一區域；
[0064]22:第二區域；
[0065]23:第三區域；
[0066]25: η型接觸區；
[0067]26:漂移區；
[0068]28:陰極接觸區；
[0069]30:陰極區。
【主權項】
1.一種二極管，具備: 半導體基板； 陽極電極，其被形成在所述半導體基板的表面上； 陰極電極，其被形成在所述半導體基板的背面上， 所述半導體基板具有: 多個P型接觸區，它們與所述陽極電極接觸； η型接觸區，其被配置于相鄰的兩個所述P型接觸區之間，并且與所述陽極電極接觸；η型的陰極區，其被配置于所述P型接觸區與所述η型接觸區的背面側，且與所述陰極電極接觸， 所述P型接觸區具有: 第一區域，其與所述陽極電極接觸； 第二區域，其被配置于所述第一區域的背面側，并具有與所述第一區域的P型雜質濃度相比較低的P型雜質濃度，并且P型雜質濃度相對于其平均值分布在-30%至+30%的范圍內； 第三區域，其被配置于所述第二區域的背面側，并具有與所述第二區域的P型雜質濃度相比較低的P型雜質濃度， 所述第二區域的厚度與所述第一區域的厚度相比較厚。2.如權利要求1所述的二極管，其中， 所述第二區域的厚度與所述第三區域的厚度相比較厚。3.如權利要求1或2所述的二極管，其中， 所述第一區域的寬度與所述第二區域的寬度相比較窄。4.一種制造二極管的方法，包括: 以在第一深度處停止的方式，以第一濃度向η型的半導體基板的表面中的隔開間隔而被配置的多個范圍注入P型雜質濃度的工序； 以在深于所述第一深度的深度范圍內停止的方式向所述多個范圍注入P型雜質，且以低于所述第一濃度的第二濃度向所述深度范圍內的多個深度注入P型雜質的工序； 形成陽極電極的工序，所述陽極電極與包含所述多個范圍的所述表面接觸； 在所述半導體基板的背面上形成陰極電極的工序。5.如權利要求4所述的方法，還包括: 以在與所述深度范圍相比較深的深度處停止的方式，以低于所述第二濃度的第三濃度向所述多個范圍注入P型雜質的工序。
【文檔編號】H01L29/861GK106057912SQ201610211107
【公開日】2016年10月26日
【申請日】2016年4月6日 公開號201610211107.X, CN 106057912 A, CN 106057912A, CN 201610211107, CN-A-106057912, CN106057912 A, CN106057912A, CN201610211107, CN201610211107.X
【發明人】三宅裕樹, 永岡達司, 宮原真一朗, 青井佐智子
【申請人】豐田自動車株式會社, 株式會社電裝