實施例涉及一種顯示像素用半導體發光器件和包括該半導體發光器件的顯示裝置。
背景技術：
1、大面積顯示器有液晶顯示器(lcd)、oled(有機發光二極管)顯示器、以及微led顯示器(micro-led?display，微發光二極體顯示器)等。
2、微led顯示器是將具有100μm以下的直徑或截面積的半導體發光器件即微led用作顯示器件的顯示器。
3、微led顯示器將作為半導體發光器件的微led用作顯示器件，因此在明暗比、響應速度、顏色再現率、視野角、明度、分辨率、壽命、發光效率或亮度等很多特性上具有優異的性能。
4、尤其，微led顯示器可以以模塊方式分離、結合畫面，從而具有尺寸或分辨率調節自由的優點以及能夠實現柔性顯示器的優點。
5、然而，大型微led顯示器需要幾百萬個以上的微led，因此存在難以將微led快速且準確地轉移到顯示面板的技術問題。
6、最近開發的轉移技術有拾放工藝(pick?and?place?process)、激光剝離法(laserlift-off?method)或自組裝方式(self-assembly?method)等。
7、其中，自組裝方式作為半導體發光器件在流體內自行尋找組裝位置的方式，是有利于實現大屏幕的顯示裝置的方式。
8、最近，在美國授權專利第9,825,202號中提出了適合自組裝的微led結構，但是關于通過微led的自組裝來制造顯示器的技術的研究尚不完善。
9、尤其，在現有技術中，在向大型顯示器快速地轉移幾百萬個以上的半導體發光器件時，雖然能夠提高轉移速度(transfer?speed)，但是轉移不良率(transfer?error?rate)可能變高，從而存在轉移成品率(transfer?yield)變低的技術問題。
10、另一方面，在相關技術中，雖然嘗試了利用介電電泳(dielectrophoresis，dep)的自組裝方式的轉移工藝，但是由于介電電泳力(dep?force)的不均勻性等，存在自組裝率低的問題。
11、另一方面，內部技術的利用介電電泳力(dep?force)的自組裝方式包括利用磁體的磁力使led芯片先移動到組裝孔區域的步驟以及通過向組裝布線施加交流，并利用介電電泳力(dep?force)將led芯片組裝到組裝孔的步驟。
12、但是，由于led芯片的上側和下側由n型半導體層和p型半導體層形成，并且分別配置有n型電極、p型電極，因此非常重要是在保持led芯片的上下方向性的同時組裝到組裝孔。這是因為，在led芯片的方向傾斜甚至相反地以180度旋轉的狀態組裝的情況下，在之后進行的布線工序中可能會發生電斷線不良。
13、但是，根據內部研究表明，在流體內移動的自組裝過程中定向控制led芯片是個難題，重要的是需要對此的解決方案。
14、另外，在相關技術中，存在自組裝的led芯片的電極和面板電極之間的電接觸特性降低而點亮率降低的問題。
技術實現思路
1、發明所要解決的問題
2、實施例的技術問題之一是，解決在利用介電電泳(dielectrophoresis，dep)的自組裝方式中因介電電泳力(dep?force)的不均勻性等而導致的自組裝率低的問題。
3、另外，實施例的技術問題之一是，解決在利用介電電泳(dep)的自組裝方式中難以定向控制led芯片的問題。
4、另外，實施例的技術問題之一是，解決自組裝的led芯片的電極和規定的面板電極之間的電接觸特性降低而點亮率降低的問題。
5、實施例的技術問題不限于本
技術實現要素：
中記載的技術問題，還包括通過整個說明書可以掌握的技術問題。
6、解決問題的技術方案
7、實施例的顯示像素用半導體發光器件可以包括：發光結構物，包括第一導電型半導體層、第二導電型半導體層以及配置在所述第一導電型半導體層和所述第二導電型半導體層之間的有源層；鈍化層，配置在所述發光結構物上；以及第二電極層，配置在所述發光結構物的下方。
8、所述發光結構物可以包括其頂面的一部分呈弧形的弧形半導體層。
9、所述發光結構物可以包括在所述第一導電型半導體層的上部一部分的側面呈弧形的所述弧形半導體層。
10、所述發光結構物可以包括在所述第一導電型半導體層的上部一部分的側面和頂面一部分呈弧形的所述弧形半導體層。
11、所述發光結構物還可以包括朝兩側水平方向比所述弧形半導體層的側面延伸更多的凸出半導體層。
12、所述凸出半導體層可以包括所述第一導電型半導體層、所述有源層以及所述第二導電型半導體層。
13、所述有源層的水平寬度可以形成為與所述發光結構物的最大水平寬度對應的寬度。
14、所述第二電極層可以包括配置在所述發光結構物上的透光性電極層。
15、所述第二電極層可以包括配置在所述透光性電極層上的反射層、配置在所述反射層上的磁性層以及配置在所述磁性層上的粘合層。
16、所述凸出半導體層的水平寬度可以與所述第二電極層的水平寬度相同。
17、所述透光性電極層的表面可以是親水性(hydrophilic)的表面。
18、所述透光性電極層可以用o2等離子體或ar等離子體處理。
19、另外，實施例的包括半導體發光器件的顯示裝置可以包括上述的任一顯示像素用半導體發光器件。
20、發明效果
21、根據實施例的半導體發光器件和包括該半導體發光器件的顯示裝置，在自組裝步驟中，可以將led芯片的下部半導體層和下部電極形成為比上部半導體層更寬的寬度。由此，根據實施例，在下部電極板側相對較大地形成介電電泳力(dep?force)，從而具有能夠通過控制led芯片的組裝方向來正確組裝的技術效果。
22、例如，根據實施例，半導體發光器件具有凸出半導體層110p，更大的介電電泳力(dep?force)施加到凸出半導體層110p，因此具有能夠沿復數個組裝電極310、320方向控制第二導電型半導體層113的方向的特殊技術效果。
23、另外，例如，在實施例的半導體發光器件100中，第二電極層130的水平寬度可以較大地形成為與凸出半導體層110p的水平寬度對應。由此，根據實施例的顯示裝置，在自組裝步驟中，可以將led芯片的下部半導體層和作為下部電極的第二電極層130形成為比上部半導體層更寬的寬度。因此根據實施例，在作為下部電極板的第二電極層130側相對較大地形成介電電泳力(dep?force)，從而具有能夠通過控制led芯片的組裝方向來正確組裝的特殊技術效果。
24、另外，根據實施例，通過防止自組裝之后由圓頂形狀的上部半導體層發出的光的全反射來提高光提取效率，另外，由于寬的下部電極板，在顯示面板端中電接觸面積增大，從而具有提高電特性的復合技術效果。
25、例如，由于實施例的半導體發光器件包括圓頂形狀的弧形半導體層110r，因此通過防止自組裝之后由圓頂形狀的上部弧形半導體層110r發出的光的全反射來提高光提取效率，另外，由于作為寬的下部電極板的第二電極層130，在顯示面板端中電接觸面積增大，從而具有提高電特性的復合技術效果。
26、另外，由于實施例的半導體發光器件包括圓頂形狀的弧形半導體層110r，因此有源層112存在于直到有源層112的水平寬度與作為半導體發光器件的最大水平寬度的凸出半導體層110p的水平寬度對應的區域，整個芯片尺寸均可以成為發光面積，由此，發光面積比現有的芯片更寬，從而具有光效率顯著提高的效果。
27、另外，根據實施例，在自組裝過程中，即使弧形半導體層110r朝組裝電極定位到組裝孔340h，由于與組裝電極對應的面積小從而電場的影響弱，因此即使進入到組裝孔也直接脫離，從而能夠防止組裝不良。
28、另外，在實施例中，具有弧形半導體層110r的半導體發光器件和組裝基板之間的摩擦力小，因此發光器件芯片的移動速度非常快，從而能夠提高組裝速度。
29、另外，根據實施例，具有能夠解決在利用介電電泳(dielectrophoresis，dep)的自組裝方式中因介電電泳力(dep?force)的不均勻性等而自組裝率低的問題的技術效果。
30、例如，在實施例中，由于設置于發光器件芯片的透光性電極具有介電常數從而起到介電膜的作用，因此具有能夠通過提高介電電泳力(dep?force)來提高組裝率的與眾不同的特殊技術效果。
31、另外，實施例中應用的發光器件由于透光性電極層，使下部電極層具有平坦的表面特性，因而使介電電泳力(dep?force)均勻分布地作用到發光器件芯片下部，從而具有顯著提高發光器件芯片在組裝孔中的正確組裝率的技術效果。
32、另外，根據實施例，具有能夠解決自組裝的發光器件的電極和規定的面板電極之間的電接觸特性降低而點亮率降低的問題的技術效果。
33、例如，根據實施例，在半導體發光器件(chip)外延層(gan)和下部粘合金屬之間形成透光性電極層，從而具有顯著改善背面粘合金屬的表面形態(morphology)的技術效果。由此，根據實施例，具有通過顯著改善發光器件的背面金屬和面板布線之間的接觸特性來解決點亮不良的技術效果。
34、實施例的技術效果不限于本發明內容中記載的技術效果，包括能夠通過整個說明書掌握的技術效果。