的失重為14. 9% (見圖3b)，通過比較化化/PEI.畑2斗1納米 顆粒在700°C時的失重量（見圖3曰，化3O4/PEI.N&-FI在溫度升至700°C時，重量為原來的 89. 4% )，經過計算，PEI和FI的總上載率為10.6%，COOH-PEG-LA上載率為4. 3%。再結 合實施例2,說明陽I、FI和COOH-陽G-LA均已成功連接到化3〇4納米顆粒的表面。 陽0川實施例5 陽化引向實施例4中制備的化3〇4/陽I. NHz-FI-PEG-LA納米顆粒水溶液（10血）中分別 加入177iiLS乙胺（密度為0. 726~0. 729g/mU濃度為99.0% )，并攬拌20~40分鐘； 然后向上述兩種溶液中再分別加入120iiL乙酸酢（密度為1.08g/mU濃度為98. 5% )， 繼續攬拌反應24小時；產物磁分離并加入適量超純水超聲分散，如此重復3次，最終分散 至Ij5血超純水中，即制得乙酷化的化化/PEI. NHAc-FI-PEG-LA納米顆粒水溶液。取化化/ 陽I. NHz-FI-PEG-LA(實施例4)和化化/PEI. NHAc-FI-PEG-LA(實施例W納米顆粒懸浮液 各100yL，用超純水分別配制成1. 5mL的水溶液用于測表面電勢和水動力直徑（見表1)。 電勢結果顯示乙酷化前后納米顆粒的表面電勢是+44. 7mV和+19. 5mV，而其分散于水中的 水動力粒徑分別是271.Inm和332.Inm，由此表明化3〇4納米顆粒乙酷化成功。 陽化引取本發明制備的化3〇4/陽I.NHAc-FI-PEG-LA納米顆粒水溶液（實施例5) 5化，然 后用超純水配制成100yL的納米顆粒懸浮液。并取5yL納米顆粒懸浮液滴在銅網表面， 在空氣中驚干后用于TEM測試（見圖4)。TEM結果顯示化3O4/PEI.NHAc-FI-PEG-LA納米顆 粒的形貌均為球形或準球形（見圖4a)。通過分別隨機測量300個納米顆粒的直徑計算得 至IjFesCV陽I.NHAc-FI-PEG-LA納米顆粒的直徑是8. 9± 1. 9nm(見圖 4b)。
[0054]表I納米顆粒分散于水中的電勢和水動力粒徑
[0057] 將本發明制備的化3O4/PEI.NHAc-FI-PEG-LA納米顆粒水溶液（實施例5)通過 ICP-OES測試法測定化元素的濃度，接著在EP管中用超純水配制化濃度依次為0. 0025、 0. 005、0. 01、0. 02和0. 04mM的水溶液通過磁共振成像儀（NMR分析系統（0. 5T))測定 材料在不同的Fe濃度下的Tz加權MR成像圖（見圖5a)和T2弛豫效應（見圖化）。由圖 5a可W看出，隨著鐵濃度的升高（在0. 0025-0. 04mM濃度范圍內），樣品的信號逐漸降低， 圖像變暗。r2弛豫率反映Fe3〇4納米顆粒作為MR成像造影劑的效率，為單位摩爾濃度鐵的 橫向弛豫時間燈2)，可通過不同濃度下的Tz的倒數擬合計算得到。圖化為本發明制備的 FesOyPEI.NHAc-FI-PEG-LA納米顆粒的Tz弛豫時間倒數與Fe濃度的線性擬合圖，可^看 出運種化化納米探針的弛豫時間倒數隨著鐵濃度的增加具有很好的線性關系。并且通過 計算可得本發明制備的探針的r2弛豫率高達579. 89mMIs1。因此，本發明所制備的化3*?/ 陽I.NHAc-FI-PEG-LA納米顆粒可作為MR成像的優良T2信號衰減造影劑。 陽0郎]實施例7
[0059] W化pG2細胞為模型細胞評價本發明制備的化3〇4/陽I.NHAc-FI-PEG-LA納米顆粒 (實施例5)對細胞活力的影響。用無菌PBS配置不同濃度納米顆粒的PBS溶液，并用紫外 照射過夜殺菌。將化pG2細胞種植于96孔板，培養過夜貼壁，與含本發明制備的化3O4/PEI. NHAc-FI-PEG-LA納米顆粒（實施例5)的MEM培養液（化濃度為0、0. 25、0. 5、1. 0、1. 5和 2.OmM)在37°C和5%C〇2下共培養24小時。然后，向培養板孔中加入20yLCCK-8試劑盒 溶液，繼續在37°C下培養4小時，在450nm處測量吸光值，并根據此值計算細胞的活力（見 圖6)。不同濃度的納米顆粒對細胞增殖的影響WPBS緩沖液處理的細胞為對照進行比較。 與PBS對照組相比，化化/PEI.NHAc-FI-PEG-LA納米顆粒在化的實驗濃度為0到2.OmM范 圍內對化pG2細胞存活率的影響沒有顯著性差異，細胞存活率均在80%W上。運充分說明 本發明制備的化3O4/PEI.NHAc-FI-PEG-LA納米顆粒具有良好的生物相容性，可W應用到生 物體內MR成像檢測。 W60] 實施例8 W61 ]ASGPRs高低表達的胎pG2細胞經過含不同濃度的本發明制備的化化/PEI.NHAc-FI-PEG-LA納米顆粒（實施例5)的MEM培養液處理后，通過ICP-OES檢測細胞中化 元素的含量，W此評估化pG2細胞對材料的吞隧量，并評價乳糖酸修飾的化3〇4的祀向效果 (見圖7)。將2XIO5個ASGPRs高低表達的化pG2細胞分別種植于12孔細胞培養板中，在 37°C和5%C〇2下培養過夜，使細胞貼壁，然后棄去培養基，與化3O4/PEI.NHAc-FI-PEG-LA納 米顆粒的MEM培養液（Fe濃度為0. 15、0. 3和0.6mM)在37°C和5%C〇2下培養4小時。培 養結束后用PBS清洗3次，再膜酶消化、離屯、，最后用2mL王水消化（硝酸和鹽酸體積比1 : 3)，通過ICP-OES檢測細胞對鐵的平均吞隧量。結果表明，化化/PEI.NHAc-FI-PEG-LA納米 顆粒培養的ASGPRs高表達（未被LA阻斷）的化pG2細胞的鐵的吞隧量明顯高于ASGPRs 低表達（被LA阻斷）的化pG2細胞（p<0. 05)，說明乳糖酸的修飾賦予了化3〇4納米顆粒 (Fe3〇4/PEI.NHAc-FI-PEG-LA)對HepG2 細胞的特異祀向能力。 陽0創實施例9
[0063]ASGPRs高低表達的化pG2細胞用本發明制備的化3*?/陽LNHAc-FI-PEG-LA納米 顆粒（實施例5)處理后，通過流式細胞儀檢測細胞的平均巧光強度，進一步評估乳糖酸對 ASGPRs高表達的化pG2細胞的祀向效果（見圖8)。將2XIO5個ASGPRs高低表達的化pG2 細胞分別種植于12孔細胞培養板中，在37°C和5%C〇2下培養過夜，使細胞貼壁，然后棄去 培養基，與含化3O4/PEI.NHAc-FI-PEG-LA納米顆粒（實施例5)的MEM培養液（化濃度為 0. 3mM)在37°C和5% %下培養4小時。培養結束后用PBS清洗3次，再膜酶消化、離屯、、 過濾，最后分散在ImLPBS中，通過流式細胞儀檢測細胞的平均巧光強度。結果表明化3〇4/ 陽I.NHAc-FI-PEG-LA納米顆粒培養的ASGPRs低表達的胎pG2細胞（如圖8曰，曲線3)和 ASGPRs高表達的化pG2細胞（如圖8曰，曲線4)的巧光強度明顯高于PBS培養的ASGPRs高低 表達的化pG2細胞（如圖8曰，曲線1和2)，并且化3O4/陽I.NHAc-FI-PEG-LA納米顆粒培養的 ASGPRs高表達的化pG2細胞的巧光強度明顯高于納米顆粒培養的ASGPRs低表達的化pG2 細胞的巧光強度。定量分析結果進一步表明（如圖8b所示），化3O4/PEI.NHAc-FI-PEG-LA 納米顆粒培養的ASGPRs高表達的化pG2細胞的平均巧光強度明顯高于ASGPRs低表達的 HepG2細胞的平均巧光強度（p<0. 001)，說明乳糖酸的修飾賦予了化3〇4納米顆粒對ASGPRs 高表達的化pG2細胞有特異祀向能力。
[0064] 實施例10 W65] 在體內實驗之前，評價了本發明制備的FesCV陽I.NHAc-FI-PEG-LA納米顆粒 (實施例W的細胞MR成像效果（見圖9)。將2XIO6個ASGPRs高低表達的胎pG2細胞 (2.OmL培養基）分別接種在六孔板中，培養過夜使其貼壁，棄去培養基，再與含化3O4/PEI. NHAc-FI-PEG-LA納米顆粒的MEM培養液（化濃度為0. 1、0. 2和0. 4mM)在37°C和5%C〇2 下共培養4小時，并且WPBS處理的細胞作為對照組。培養結束后