專利名稱：一種適宜弱再生基因型甘薯莖尖培養植株再生的方法
技術領域：
本發明涉及ー種組織培養改良技木，具體是ー種適宜弱再生基因型甘薯莖尖培養植株再生的方法。
背景技術：
我國是世界第一甘薯生產大國，年種植面積3. 69X106hm2,占世界種植總面積的 45. 06%，年總產8.52 X 107t，占世界總產量的77. 38% (FA0，2008)。因此，我國甘薯產業的發展對世界甘薯生產起著舉足輕重的作用。近年來，甘薯病毒病危害日趨嚴重，已成為限制甘薯產量增加和導致品質下降的主要因素。對于病毒病的防治，由于高抗病毒品種尚未培育成功，也無有效地防治藥劑，目前生產上為了減輕病毒病帶來的危害，最有效的方法就是生產和推廣脫毒苗(薯)，其增產效果十分顯著，一般增產幅度為20-40%，甚至更高。 現世界各甘薯生產國，多采用莖尖分生組織培養的方法脫除甘薯病毒、繁育和生產脫毒種薯和種苗，以提高甘薯產量和品質。但是，基因型是決定植株再生的最主要因素，許多甘薯優良品種在生產上推廣應用，病毒侵染后，由于再生能力弱，很難通過莖尖培養獲得大量脫毒苗，嚴重制約了優良品種的推廣應用和縮短了優良品種服務生產的年限；同樣，在其它作物，如棉花等，也存在由于部分品種難以再生或再生能力較弱，限制了轉基因技術對品種的遺傳改良。
發明內容
本發明提供一種適宜弱再生基因型甘薯莖尖培養植株再生的方法，通過利用這ー 再生方法，弱再生基因型甘薯可以一次誘導成苗，再生率獲得顯著提高，均超過80. 0 % ；并且植株再生的時間也大大縮短，普遍為20-30d天，植株長勢好，生長速度快。本發明是通過如下技術方案實現的一種適宜弱再生基因型甘薯莖尖培養植株再生的方法，選取弱再生基因型甘薯品種心香為試驗材料，選取薯塊催生嫩芽為試驗材料，在顯微鏡下剝取莖尖分生組織接種于一次性誘導植株再生培養基；莖尖分生組織接種于誘導培養基后，首先經過暗培養；然后，在溫度觀士1で、光照10小吋/天條件下培養；待芽分化后，將其轉入光照培養箱，在暗培養條件下培養，促進植株再生及節間的伸長；然后將再生植株轉入常規MS基本培養基、正常光照條件下進行繁殖培養。所述的在顯微鏡下剝取的莖尖分生組織是接種于一次性誘導植株再生培養基， MS 基本培養基 +NAA 0. lmg/L+6-BA 2. Omg/L+TDZ 0. 1-1. Omg/L+4-FA 0. lmg/L+ 蔗糖 30g/ L+Phytagel 2. 5g/L，滅菌前調PH :5. 8-6. 0 ；進行培養的，這ー配方是在發明人前期大量組培工作及經驗基礎上，積極引進新型細胞分裂素4-FA，在同NAA、6-BA、TDZ協同作用下，能顯著提高弱再生基因型甘薯的植株再生率。所述的接種于一次性誘導植株再生培養基的莖尖分生組織，首先是經過32°C暗培養4-8天；暗培養有助于剝離莖尖分生組織的自身修復及細胞分裂的啟動，再同該進一次性誘導培養基的互作，進ー步提高植株再生的頻率。
所述的莖尖分生組織接種于一次性誘導植株再生培養基培養，待芽分化后，轉入光照培養箱，在35°C下暗培養；芽分化后，前人的通常情況是更換培養基(去除植物生長調節劑)、光照培養；但是通過本實驗發現，芽分化后，將其轉入35°C的培養箱中、暗培養，可以促進節間的快速伸長，加快了植株再生的速度。本發明的有益效果是通過利用這ー再生方法，弱再生基因型甘薯可以一次誘導成苗，再生率獲得顯著提高，均超過80.0% ；并且植株再生的時間也大大縮短，普遍為 20-30d天，植株長勢好，生長速度快；該方法可操作性強、重復性好；這一再生技術的改迸， 將有助于甘薯優良品種的脫毒培養及脫毒種苗(薯)的推廣應用，提高甘薯產量和品質。該方法可操作性強、重復性好。
圖1是利用本發明的再生方法與文獻1 QOll年，江西農業學報，10期，作者周志林，唐君等)方法心香再生率的對比圖片。圖2是心香芽分化后，光照培養的圖片。圖3是心香芽分化后，350C暗培養的圖片。
具體實施例方式下面結合實施例進ー步說明本發明的方法和效果，但不限制本發明的保護范圍。實施例11.試驗材料和方法1. 1試驗材料甘薯品種心香。1.2試驗方法所選材料均來自薯塊的催生嫩芽；在超凈工作臺內，所選外植體均放在50ml燒杯內，經70 %酒精滅菌45s，無菌水沖洗3_4次，然后，加0. 1 % HgCl2消毒5-6min，去除Hgcl2溶液后，用無菌水沖洗3_4次，邊洗邊搖。將滅菌后的材料，在解剖鏡下取帶有1-2個葉原基的莖尖分生組織，接種于一次性誘導植株再生培養基中 (MS 基本培養基+NAA 0. lmg/L+6-BA 2mg/L+TDZ 0-1. Omg/L+4-FA 0. lmg/L+蔗糖 30g/ L+Phytagel 2. 5g/L ；MS 基本培養基 +6-BA 2mg/+ 蔗糖 30g/L+Phytagel 2. 5g/L L 為對照； PH :5. 8-6. 0)，接種后的莖尖分別32°C，暗培養Oday、4day、8day、12day ；待芽分化后，轉入 35°C、暗培養，促進植株再生；植株再生后轉入常規繁殖培養基(MS基本培養基+蔗糖20g/ L+瓊脂粉9.0g/L ；PH :5. 8-6.0)。接種的莖尖每個重復16個，共計3個重復。培養條件為 ( 士 1) °C,日光燈冷光源強度為MOOLux。1. 3調查及數據統計接種在誘導培養基上30天，統計成活率、芽分化率、植株再生率；同時轉入繁殖培養基。2.結果與分析2. 1不同誘導培養基對莖尖誘導及植株再生的影響研究發現，在20天調查吋，心香已有植株再生；具體結果見表1 與對照相比，培養基中添加 NAAO. lmg/L+6-BA2. Omg/L+TDZ 0. 5mg/L+4_FA0. lmg/L，心香的芽分化率及植株再生率都得到了顯著的提高，芽分化率最高達81.25%，植株再生率為75 % (見表1)。表1 不同誘導培養基配方對芽分化率及植株再生率的影響
權利要求
1.一種適宜弱再生基因型甘薯莖尖培養植株再生的方法，其特征是選取弱再生基因型甘薯品種心香為試驗材料，選取薯塊催生嫩芽為試驗材料，在顯微鏡下剝取莖尖分生組織接種于一次性誘導植株再生培養基；莖尖分生組織接種于誘導培養基后，首先經過暗培養；然后，在溫度觀士1で、光照10小吋/天條件下培養；待芽分化后，將其轉入光照培養箱，在暗培養條件下培養，促進植株再生及節間的伸長；然后將再生植株轉入常規MS基本培養基、正常光照條件下進行繁殖培養；所述的一次性誘導植株再生培養基為MS 基本培養基 +ΝΑΑ0. lmg/L+6-BA 2. Omg/L+TDZ 0. 5mg/L+4_FA 0. lmg/L+ 蔗糖 30g/ L+Phytagel2. 5g/L,滅菌前調 PH :5. 8-6. 0。
2.根據權利要求1所述的ー種適宜弱再生基因型甘薯莖尖培養植株再生的方法，其特征是接種于一次性誘導植株再生培養基的莖尖分生組織首先經過暗培養是在32°C、暗培養4-8天。
3.根據權利要求1所述的ー種適宜弱再生基因型甘薯莖尖培養植株再生的方法，其特征是所述的莖尖分生組織接種于一次性誘導植株再生培養基培養，待芽分化后，轉入光照培養箱暗培養的溫度為35°C。
全文摘要
本發明公開了一種適宜弱再生基因型甘薯莖尖培養植株再生的方法，屬甘薯組織培養改良技術。選取弱再生基因型甘薯品種心香作為試驗材料，選取薯塊催生嫩芽為試驗材料，在顯微鏡下剝取莖尖接種于一次性誘導植株再生培養基；在32℃下暗培養4-8天；然后在溫度28±1℃、光照10小時/天條件下培養；待芽分化后，將其在35℃暗培養；植株再生后轉入常規MS基本培養基、正常光照條件下進行繁殖培養。有益的效果通過這一再生方法，弱再生基因型甘薯可以一步誘導成苗，并且再生率獲得顯著提高，均超過80.0％；植株再生的時間大大縮短，普遍為20-30d天，植株長勢好，生長速度快；該方法可操作性強、重復性好。
文檔編號A01H4/00GK102524076SQ201210032809
公開日2012年7月4日 申請日期2012年2月10日 優先權日2012年2月10日
發明者周志林, 唐君, 孫書軍, 曹清河, 趙冬蘭, 項彩云 申請人:江蘇徐州甘薯研究中心