熔絲電路的制作方法
【專利摘要】本發明實施例提供一種熔絲電路，其包含暫態阻斷電路、熔絲以及硅控整流器。暫態阻斷電路依據操作電壓進行操作。熔絲的第一端電連接暫態阻斷電路。硅控整流器電連接熔絲的第二端。當操作電壓具有噪聲脈沖（noise?pulse）時，暫態阻斷電路用以使熔絲與噪聲脈沖暫時隔離，使得熔絲的第二端的電壓維持小于用以觸發硅控整流器的觸發電壓。
【專利說明】熔絲電路【技術領域】
[0001]本發明是有關于一種記憶電路，且特別是有關于一種抗噪聲(noise)干擾的熔絲電路(fuse circuit)。
【背景技術】
[0002]一般而言，熔絲電路廣泛地用于存儲器裝置或模擬電路(如:能隙參考電路)中，作為可一次性編程(One Time Programming, OTP)的存儲單元,不過由于傳統的熔絲電路中流經的修整電流(Trimming Current)大小通常與其對應的開關的尺寸相關，因此當熔絲電路中需要產生較大的修整電流時，開關的尺寸亦須隨之增大，無法使傳統熔絲電路的制作面積有效地縮減。
【發明內容】
[0003]本發明實施例提供一種熔絲電路，藉此避免熔絲電路易受暫態噪聲影響而有誤動作的情形發生。
[0004]本發明的一技術樣態是關于一種熔絲電路，其包含一暫態阻斷電路、一熔絲以及一硅控整流器。暫態阻斷電路依據操作電壓進行操作。熔絲的第一端電連接暫態阻斷電路。硅控整流器電連接熔絲的第二端。當操作電壓具有噪聲脈沖時，暫態阻斷電路用以使熔絲與噪聲脈沖暫時隔離，使得熔絲的第二端的電壓維持小于用以觸發硅控整流器的觸發電壓。
[0005]本發明的另一技術樣態是關于一種熔絲電路，其包含復數個熔絲、復數個硅控整流器、一晶體管開關以及一暫態感測單元。前述硅控整流器分別電連接前述熔絲的第一端。晶體管開關串接于前述熔絲的第二端和操作電壓之間。暫態感測單元用以依據操作電壓產生感應電壓控制晶體管開關，并于操作電壓具有噪聲脈沖時延遲對應于噪聲脈沖的感應電壓的變化，使得前述熔絲的第一端的電壓維持小于用以觸發前述硅控整流器的觸發電壓。
[0006]本
【發明內容】
旨在提供本揭示內容的簡化摘要，以使閱讀者對本揭示內容具備基本的理解。此
【發明內容】
并非本揭示內容的完整概述，且其用意并非在指出本發明實施例的重要(或關鍵)元件或界定本發明的范圍。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0007]為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動性的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
[0008]圖1是依照本發明的實施例繪示一種熔絲電路的示意圖；
[0009]圖2是依照本發明的第一實施例繪示一種如圖1所示的熔絲電路的電路示意圖；
[0010]圖3是依照本發明的第二實施例繪示一種如圖1所示的熔絲電路的電路示意圖；[0011]圖4是依照本發明的第三實施例繪示一種如圖1所示的熔絲電路的電路示意圖；
[0012]圖5是依照本發明另一實施例繪示一種熔絲電路的示意圖；
[0013]圖6是依照本發明又一實施例繪示一種熔絲電路的示意圖。
[0014]附圖標記
【權利要求】
1.一種熔絲電路，其特征在于，所述的熔絲電路包括: 一暫態阻斷電路，依據一操作電壓進行操作； 一熔絲，所述熔絲的一第一端電連接所述暫態阻斷電路；以及 一硅控整流器，電連接所述熔絲的一第二端； 其中當所述操作電壓具有一噪聲脈沖時，所述暫態阻斷電路用以使所述熔絲與所述噪聲脈沖暫時隔離，使得所述熔絲的所述第二端的電壓維持小于用以觸發所述硅控整流器的一觸發電壓。
2.根據權利要求1所述的熔絲電路，其特征在于，所述暫態阻斷電路還包括: 一暫態感測單元，用以依據所述操作電壓產生一感應電壓，并于所述操作電壓具有所述噪聲脈沖時延遲對應于所述噪聲脈沖的所述感應電壓的變化；以及 一晶體管開關，其中所述晶體管開關的一控制端電連接所述暫態感測單元，所述晶體管開關的一第一端電連接所述操作電壓，所述晶體管開關的一第二端電連接所述熔絲的所述弟一觸。
3.根據權利要求2所述的熔絲電路，其特征在于，所述暫態感測單元還包括: 一電阻器，所述電阻器的一第一端電連接所述操作電壓；以及 一電容器，所述電容器的一第一端電連接所述電阻器的一第二端于所述感應電壓所在的一電壓輸出節點，所述電容器的一第二端電連接一相對低位準電壓。
4.根據權利要`求3所述的熔絲電路，其特征在于，所述晶體管開關包含一N型金屬氧化物半導體場效應晶體管，所述N型金屬氧化物半導體場效應晶體管具有一柵極、一漏極和一源極，所述柵極電連接所述電壓輸出節點，所述漏極電連接所述操作電壓，所述源極電連接所述熔絲的所述第一端。
5.根據權利要求2所述的熔絲電路，其特征在于，所述暫態感測單元還包括: 一電容器，所述電容器的一第一端電連接所述操作電壓；以及 一電阻器，所述電阻器的一第一端電連接所述電容器的一第二端于所述感應電壓所在的一電壓輸出節點，所述電阻器的一第二端電連接一相對低位準電壓。
6.根據權利要求5所述的熔絲電路，其特征在于，所述晶體管開關包含一P型金屬氧化物半導體場效應晶體管，所述P型金屬氧化物半導體場效應晶體管具有一柵極、一漏極和一源極，所述柵極電連接所述電壓輸出節點，所述源極電連接所述操作電壓，所述漏極電連接所述熔絲的所述第一端。
7.根據權利要求1至6中任一項所述的熔絲電路，其特征在于，所述的熔絲電路還包括: 一電源開啟重置開關，由一電源開啟重置信號控制以拉降所述熔絲的所述第二端的電壓；以及 一閂鎖電路，用以閉鎖所述熔絲的所述第二端的電壓位準，并輸出與所述熔絲的所述第二端的電壓位準反相的一輸出位準信號。
8.一種熔絲電路，其特征在于，所述的熔絲電路包括: 復數個熔絲； 復數個硅控整流器，分別電連接所述復數個熔絲的第一端； 一晶體管開關，串接于所述復數個熔絲的第二端和一操作電壓之間；以及一暫態感測單元，用以依據所述操作電壓產生一感應電壓控制所述晶體管開關，并于所述操作電壓具有一噪聲脈沖時延遲對應于所述噪聲脈沖的所述感應電壓的變化，使得所述復數個熔絲的第一端的電壓維持小于用以觸發所述復數個硅控整流器的觸發電壓。
9.根據權利要求8所述的熔絲電路，其特征在于，所述暫態感測單元還包括: 一電阻器；以及 一電容器，與所述電阻器串聯相接于所述操作電壓和一相對低位準電壓之間。
10.根據權利要求9所述的熔絲電路，其特征在于，所述晶體管開關包含一N型金屬氧化物半導體場效應晶體管或一 P型金屬氧化物半導體場效應晶體管，其中所述N型金屬氧化物半導體場效應晶體管的柵極或所述P型金屬氧化物半導體場效應晶體管的柵極是電連接于所述電容器和所述電阻器。
11.根據權利要求8至10中任一項所述的熔絲電路，其特征在于，所述的熔絲電路還包括: 一電源開啟重置開關，由一電源開啟重置信號控制以拉降所述熔絲的所述第一端的電壓；以及 一閂鎖電路，用以閉鎖所述熔絲的所述第一端的電壓位準，并輸出與所述熔絲的所述第一端的電壓位準反 相的一輸出位準信號。
【文檔編號】G11C17/16GK103531244SQ201210368043
【公開日】2014年1月22日 申請日期:2012年9月28日 優先權日:2012年7月2日
【發明者】賴明芳, 陳哲宏 申請人:新唐科技股份有限公司