專利名稱：一種高光萃取oled器件的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種高光萃取OLED器件。
背景技術：
為了提高OLED器件的出光率，可以采取減少不發光模式、減少全反射和減少波導效應等方法；減少不發光模式是指減少發光偶極子被金屬猝滅的能量損耗，不包括材料本身的發光特性；減少空氣跟玻璃基板界面的全反射，可以減少基板模式的比例，增加光的導出；光被局限于介質內的模式又可稱為波導效應，降低此模式最簡單的方法就是縮小介質的厚度，但這對于OLED元件的設計來說，并不是完全允許的。
實用新型內容本實用新型的目的在于提供一種高光萃取OLED器件，不但提高了器件效率，而且降低了器件的起亮電壓。為實現上述目的，本實用新型采用的技術方案是一種高光萃取OLED器件，包括玻璃基板，玻璃基板的一面設有一層微透鏡陣列膜，玻璃基板的另一面設有陽極金屬薄膜；陽極金屬薄膜上設有有機層，所述有機層上設有陰極。微透鏡陣列膜包括若干微透鏡，所述微透鏡為矩形、半球形或者金字塔狀突起。所述微透鏡的外徑在10-100微米之間。所述陽極金屬薄膜的材質為金、銀、鋁、鎂中的一種，其厚度為10-30nm。所述陽極金屬薄膜采用納米球光刻工藝制備而成。與現有技術相比，本實用新型OLED器件至少具有以下有益效果本實用新型對于出光面玻璃基板，一面采用微透鏡技術形成微透鏡陣列膜增加器件的出光率；另一面對陽極薄膜進行納米球光刻工藝，形成陣列型金屬電極薄膜，不但降低起亮電壓，而且提高器件的電流效率。
圖1是本實用新型OLED器件的結構圖。
具體實施方式
以下結合附圖對本實用新型OLED器件結構及其制備方法詳細描述請參閱圖1所示，本實用新型OLED器件包括微透鏡陣列膜1、玻璃基板2、陽極金屬薄膜3、有機層4和陰極5 ；出光面玻璃基板2的外表面設有微透鏡陣列膜1，出光面玻璃基板2的內表面上設有陽極金屬薄膜3，陽極金屬薄膜3和陰極5之間設有有機層4。本實用新型OLED器件的制備方法為利用涂布微透鏡薄膜的方法制備玻璃基板2 一側的微透鏡陣列膜1，利用納米球光刻工藝制備制備玻璃基板2另一側的陽極金屬薄膜3，再利用真空蒸鍍的方法在陽極金屬薄膜3上依次制備出有機層4和金屬陰極5。本實用新型中微透鏡陣列膜1中的微透鏡為矩形、半球形或者金字塔狀突起；其外徑在10-100微米之間。本實用新型中陽極金屬薄膜3可以采用金，銀，鋁，鎂中的一種，厚度范圍在 10-30nm ；本實用新型陽極金屬薄膜3采用納米球光刻工藝制備，保證陣列中納米球的大小在IO-IOOnm之間；同時在蒸鍍有機層4之前該陣列薄膜在高真空條件下經過200度3小時退火處理使金屬顆粒聚集。本實用新型利用對出光面玻璃基板2的深度發掘，玻璃基板2 —側采用添加微透鏡來增加器件的出光率，另一面對陽極薄膜3進行納米球光刻工藝，設計了陣列型金屬電極薄膜來提高器件自身的效率。因此本文是將器件內部設計和外部提高光萃取配件進行了很好的整合，設計出了具有更高器件性能的0LED。本實用新型采用的提高器件光萃取的方法一個是從減少全反射入手，覆蓋微透鏡來實現，微透鏡的原理是將原本入射角大于臨界角的射線角度縮小，因此使得全反射減少； 另外使用折射率較小的高分子制作微透鏡，在與空氣的界面還可得到較大的臨界角。另一方面是將金屬陽極薄膜制成薄膜陣列，該結構可以降低驅動電壓，提高電流效率。以上所述僅為本實用新型的一種實施方式，不是全部或唯一的實施方式，本領域普通技術人員通過閱讀本發明說明書而對本發明技術方案采取的任何等效的變換，均為本發明的權利要求所涵蓋。
權利要求1.一種高光萃取OLED器件，其特征在于，包括玻璃基板O)，玻璃基板( 的一面設有一層微透鏡陣列膜(1)，玻璃基板O)的另一面設有陽極金屬薄膜(3)；陽極金屬薄膜(3) 上設有有機層G)，所述有機層(4)上設有陰極(5)。
2.根據權利要求1所述的高光萃取OLED器件，其特征在于微透鏡陣列膜(1)包括若干微透鏡，所述微透鏡為矩形、半球形或者金字塔狀突起。
3.根據權利要求2所述的高光萃取OLED器件，其特征在于所述微透鏡的外徑在 10-100微米之間。
4.根據權利要求1至3中任一項所述的高光萃取OLED器件，其特征在于所述陽極金屬薄膜(3)的材質為金、銀、鋁、鎂中的一種，其厚度為10-30nm。
5.根據權利要求4所述的高光萃取OLED器件，其特征在于所述陽極金屬薄膜(3)采用納米球光刻工藝制備而成。
專利摘要本實用新型提供了一種高光萃取OLED器件，包括玻璃基板，玻璃基板的一面設有一層微透鏡陣列膜，玻璃基板的另一面設有陽極金屬薄膜；陽極金屬薄膜上設有有機層，所述有機層上設有陰極。本實用新型對于出光面玻璃基板，一面采用微透鏡技術形成微透鏡陣列膜增加器件的出光率；另一面對陽極薄膜進行納米球光刻工藝，形成陣列型金屬電極薄膜，不但降低起亮電壓，而且提高器件的電流效率。
文檔編號H01L51/50GK202094179SQ20112018385
公開日2011年12月28日 申請日期2011年6月2日 優先權日2011年6月2日
發明者丁磊, 張方輝 申請人:陜西科技大學