TFT基板的制作方法與流程

本發明涉及顯示器技術領域，特別是涉及一種TFT基板的制作方法。

背景技術：

隨著TFT技術的發展，TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶體管)制程Mask(光罩)需求從5/6Mask降到現在主流的4Mask，成本大大降低。每減少一道Mask，機器物料時間成本都會下降較多，大大提高產品競爭力。3Mask TFT因其節約一道Mask，較大幅度降低成本，相關技術較熱門。

目前3Mask TFT技術大部分是通過把PV(鈍化)層與Pixel(像素)ITO(氧化銦錫)層在一道Mask內完成，但所遇到PR(光阻)上的ITO剝離問題。通常PR上沉積Pixel ITO后剝離時間較長，影響生產節拍時間，以及PR剝離殘留和毛邊問題都會嚴重影響制程或產品性能。另外，目前所用的PR/PV低切方法必須經過PV層刻蝕才能形成，因此ITO與PV層出現較大的表面臺階，影響產品特性。

因此，現有技術存在缺陷，急需改進。

技術實現要素：

本發明的目的在于提供一種改進的TFT基板的制作方法。

為解決上述問題，本發明提供的技術方案如下：

本發明提供一種TFT基板的制作方法，包括以下步驟：

在基板上沉積第一金屬層，利用第一道光罩工藝形成TFT柵極；

在該基板上依次沉積第一絕緣層、有源層和第二金屬層，利用第二道光罩工藝使得第二金屬層在有源層的兩端分別形成源極和漏極；

在該基板上沉積第二絕緣層，在第二絕緣層上形成光阻層，利用第三道光罩對光阻層圖形化處理，形成具有第一厚度的第一光阻層和具有第二厚度的第二光阻層，第二厚度大于第一厚度，第一光阻層與第二光阻層間隔設置形成間隔區，在間隔區的第二絕緣層上形成一漏極通孔；

去除第一光阻層，對第二光阻層進行制絨處理，從而在第二光阻層表面形成絨面；

在該基板上沉積像素電極層，采用濕法刻蝕在第二光阻層絨面未被像素電極層覆蓋的表面滲入剝離液，將第二光阻層以及第二光阻層上覆蓋的像素電極層去除，從而形成像素電極，該像素電極通過漏極通孔與漏極相連。

在本發明所述的TFT基板的制作方法中，在間隔區的第二絕緣層上形成一漏極通孔的步驟包括：

采用干法刻蝕在間隔區的第二絕緣層上形成一漏極通孔

本發明所述的TFT基板的制作方法中，去除第一光阻層的步驟包括：

采用光阻灰化方式使得第一光阻層脫落。

在本發明所述的TFT基板的制作方法中，對第二光阻層進行制絨處理的步驟包括：

采用干法刻蝕對第二光阻層進行制絨處理。

在本發明所述的TFT基板的制作方法中，在光阻表面形成的絨面為納米柱，納米柱在光阻平面上高度可為10A～10000A，納米柱之間距離可以10A～20000A。

本發明所述的TFT基板的制作方法中，光阻制絨采用的氣體為Ar、O3、He、SF6、CF4、C4F8氣體中的單種或混合氣體，刻蝕氣壓可為5mT～10000mT。

在本發明所述的TFT基板的制作方法中，在該基板上依次沉積第一絕緣層、有源層和第二金屬層的步驟包括：

采用化學氣相沉積法在基板上依次沉積第一絕緣層、有源層和第二金屬層。

在本發明所述的TFT基板的制作方法中，像素電極層為ITO。

在本發明所述的TFT基板的制作方法中，第二道光罩為半色調光罩或灰色調光罩。

在本發明所述的TFT基板的制作方法中，有源層為A-Si。

相較于現有的TFT基板的制作方法，本發明通過在基板上沉積第一金屬層，利用第一道光罩工藝形成TFT柵極；在該基板上依次沉積第一絕緣層、有源層和第二金屬層，利用第二道光罩工藝使得第二金屬層在有源層的兩端分別形成源極和漏極；在該基板上沉積第二絕緣層，在第二絕緣層上形成光阻層，利用第三道光罩對光阻層圖形化處理，形成具有第一厚度的第一光阻層和具有第二厚度的第二光阻層，第二厚度大于第一厚度，第一光阻層與第二光阻層間隔設置形成間隔區，在間隔區的第二絕緣層上形成一漏極通孔；去除第一光阻層，對第二光阻層進行制絨處理，從而在第二光阻層表面形成絨面；在該基板上沉積像素電極層，采用濕法刻蝕在第二光阻層絨面未被像素電極層覆蓋的表面滲入剝離液，將第二光阻層以及第二光阻層上覆蓋的像素電極層去除，從而形成像素電極，該像素電極通過漏極通孔與漏極相連。該方案只需通過三道光罩制作TFT基板，進行光阻制絨后沉積像素電極層，可以有效剝離光阻層，且像素電極與第二絕緣層無明顯的臺階，提高了制程效率并降低了工藝難度。

附圖說明

圖1為本發明的TFT基板制作方法的優選實施例的流程示意圖。

圖2為本發明優選實施例中第一道光罩工藝示意圖。

圖3為本發明優選實施例中第二道光罩工藝示意圖。

圖4為本發明優選實施例中第三道光罩工藝示意圖。

具體實施方式

以下各實施例的說明是參考附加的圖式，用以例示本發明可用以實施的特定實施例。本發明所提到的方向用語，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「內」、「外」、「側面」等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語是用以說明及理解本發明，而非用以限制本發明。

在圖中，結構相似的模塊是以相同標號表示。

請參照圖1，圖1為本發明的TFT基板的制作方法的流程示意圖。該TFT基板的制作方法包括以下流程：

S101，在基板上沉積第一金屬層，利用第一道光罩工藝形成TFT柵極。

S102，在該基板上依次沉積第一絕緣層、有源層和第二金屬層，利用第二道光罩工藝使得第二金屬層在有源層的兩端形成源極和漏極。

S103，在該基板上沉積第二絕緣層，在第二絕緣層上形成光阻層，利用第三道光罩對光阻層圖形化處理，形成具有第一厚度的第一光阻層和具有第二厚度的第二光阻層，第二厚度大于第一厚度，第一光阻層與第二光阻層間隔設置形成間隔區，在間隔區的第二絕緣層中形成一漏極通孔。

S104、去除第一光阻層，對第二光阻層進行制絨處理，從而在第二光阻層表面形成絨面。

S105、在該基板上沉積像素電極層，采用濕法刻蝕在第二光阻層絨面未被像素電極層覆蓋的表面滲入剝離液，將第二光阻層以及第二光阻層上覆蓋的像素電極層去除，從而形成像素電極，該像素電極通過漏極通孔與漏極相連。

以下將結合圖2-4對以上TFT基板的制作方法的步驟進行詳細描述。

請參考圖2，圖2為本發明一較佳實施例的第一道光罩工藝示意圖。下面結合圖2由上至下所示理解本發明步驟S101。

在步驟S101中，首先可以采用在CVD(Chemical Vapor Deposition，化學氣相沉積)法在基板1000上形成第一金屬層10，該金屬層10可以由鉻(Cr)、鉻的合金材料或者鉬鉭(Mo Ta)合金、鋁(Al)以及鋁合金材料制作。然后，在第一金屬層10上涂布厚度均勻的光阻11，通過第一道光罩對涂布的光阻11曝光、顯影，再進行刻蝕后形成TFT柵極101。第一道光罩可以為普通光罩。

參考圖3，圖3為本發明一較佳實施例的第二道光罩工藝示意圖。下面結合圖3由上至下所示理解本發明步驟S102。

在步驟S102中，首先TFT柵極101和基板1000未被TFT柵極101覆蓋的部分上，依次沉積第一絕緣層20、有源層30和第二金屬層40，然后在第二金屬層40上涂布光阻41，通過第二道光罩對涂布的光阻41曝光、顯影，然后進行刻蝕，形成圖形化處理后與TFT柵極101相對的有有源層30，且使得第二金屬層40在圖形化處理后的有源層30的兩端，分別形成間隔設置的源極401和漏極402。

其中，沉積的方式有多種，比如可采用CVD法沉積。第二道光罩可為半色調光罩或灰色調光罩。第一絕緣層20可以是一層結構，也可以是兩層結構。第一層結構可以為SiO、SiNx或AIO。第二層結構一般可采用SiNx制成。有源層30與TFT柵極101相對，其可以由半導體材料制成，如A-Si。第二金屬層40，則可以采用鋁合金、金屬鋁或金屬鉻制作。源極401用于連接數據信號線，漏極402用于連接像素電極。

參考圖4，圖4為本發明一較佳實施例的第三道光罩工藝示意圖。下面結合圖4由上至下所示理解本發明步驟S103。

在步驟S103中，首先通過CVD法在源極401、漏極402、有源層30上未被源極40和漏極402覆蓋的部分，以及第一絕緣層20上未被有源層30覆蓋的部分，形成第二絕緣層(即鈍化層)50，其制備材料可以為SiNx、SiO等。然后，在第二絕緣層50上涂布厚度均勻的光阻層60。再通過第三道光罩對光阻層60進行曝光、顯影，從而形成具有第一厚度的第一光阻層601和具有第二厚度的第二光阻層602，第二厚度大于第一厚度，使得第一光阻層601與第二光阻層602間隔設置，從而形成用于界定第二絕緣層50中待挖孔部分的間隔區A。然后通過干法刻蝕去除間隔區A下方的第二絕緣層部分，從而在第二絕緣層50中形成一漏極通孔B，露出用于對應的漏極表面。其中，露出的漏極表面小于或等于源極上表面的1/2，具體實施時刻設為1/3。該第三道光罩可以為半色調光罩或灰色調光罩。

繼續參考圖4，在步驟S104中，在形成漏極通孔B后，可采用光阻灰化方式使得厚度較薄的第一光阻層601脫落，從而露出對應的第二絕緣層表面，同時將厚度較厚的第二光阻層602打薄。比如，在理想情況下，若第一光阻層601的厚度為d，第二光阻層的厚度為3d，則進行光阻灰化后第二光阻層602的厚度為2d。

接著對第二光阻層602進行制絨處理，通過刻蝕或其他方式使得第二光阻層602霧化，從而在光阻表面形成凹凸有致的絨面。其中，該絨面可為凸起的納米柱，納米柱在光阻平面上高度可為10A～10000A。納米柱之間距離可以10A～20000A。光阻制絨采用的氣體可為Ar、O3、He、SF6、CF4、C4F8氣體中的單種或混合氣體，刻蝕氣壓可為5mT～10000mT。

繼續參考圖4，在步驟S105中，在對光阻層602進行制絨處理后，接著整面沉積像素電極ITO或其它導電材料，從而在制絨后的光阻層602的絨面、露出的第二絕緣層50表面以及露出的漏極402表面上形成像素電極層70。然后，通過光阻剝離去除第二光阻成602以及第二光阻層602上覆蓋的像素電極ITO或其它導電材料。

由于光阻層602中絨面的陰影作用，像素電極ITO或其它導電材料將無法全部覆蓋第二光阻層602的絨面，因此在進行光阻剝離時，剝離液很容易與露出的光阻表面接觸，使得光阻層60與第二絕緣層50高效剝離。然后進行像素電極ITO退火，從而在露出的第二絕緣層50表面以及露出的漏極402表面上形成像素電極70，該像素電極70通過漏極通孔B與漏極402相連。

本優選實施例的TFT基板制作方法，在基板上沉積第一金屬層，利用第一道光罩工藝形成TFT柵極；在該基板上依次沉積第一絕緣層、有源層和第二金屬層，利用第二道光罩工藝使得第二金屬層在有源層的兩端分別形成源極和漏極；在該基板上沉積第二絕緣層，在第二絕緣層上形成光阻層，利用第三道光罩對光阻層圖形化處理，形成具有第一厚度的第一光阻層和具有第二厚度的第二光阻層，第二厚度大于第一厚度，第一光阻層與第二光阻層間隔設置形成間隔區，在間隔區的第二絕緣層上形成一漏極通孔；去除第一光阻層，對第二光阻層進行制絨處理，從而在第二光阻層表面形成絨面；在該基板上沉積像素電極層，采用濕法刻蝕在第二光阻層絨面未被像素電極層覆蓋的表面滲入剝離液，將第二光阻層以及第二光阻層上覆蓋的像素電極層去除，從而形成像素電極，該像素電極通過漏極通孔與漏極相連。本發明只需通過三道光罩制作TFT基板，進行光阻制絨后沉積像素電極層，可以有效剝離光阻層，且像素電極與第二絕緣層無明顯的臺階，提高了制程效率并降低了工藝難度。

綜上所述，雖然本發明已以優選實施例揭露如上，但上述優選實施例并非用以限制本發明，本領域的普通技術人員，在不脫離本發明的精神和范圍內，均可作各種更動與潤飾，因此本發明的保護范圍以權利要求界定的范圍為準。