并苯化合物；
[0037] 其中，所述半導體層復合于所述介電層上，所述介電層復合于所述基板上：或者所 述介電層復合于所述半導體層上，所述半導體層復合于所述基板上。
[0038] 所述半導體層是將通式（1)所示的可溶性并苯化合物由有機溶劑溶解，而后經退 火、沉積電極，即得到半導體層。
[0039] 所述有機溶劑為三氯甲烷、三氯乙烷、氯苯、二氯苯、三氯苯、氯代甲苯、甲苯、二甲 苯、苯甲醚、四氫萘或三甲苯。
[0040] 作為上述烷基，可舉出甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、仲丁基、異丁基、叔丁基、 正戊基、正庚基、正辛基、正壬基、正癸基、正十一烷基、正十二烷基、正十三烷基、正十四烷 基、正十五烷基、正十六烷基、正十七烷基、正十八烷基等。
[0041] 作為上述鹵代烷基，例如可舉出氯甲基、1-氯乙基、2-氯乙基、2-氯異丁基、 1, 2- 一氣乙基、1, 3- 一氣異丙基、2, 3- 一氣-叔丁基、1, 2, 3-二氣丙基、1, 2, 3-二漠丙基、 鵬甲基、1_鵬乙基、2-鵬乙基、2-鵬異丁基、1, 2- _鵬乙基、1, 3-_鵬異丙基、2, 3- _鵬-叔 丁基、1，2, 3-三碘丙基、氟甲苯、1-氟甲基、2-氟甲基、2-氟異丁苯、1，2-二氟乙基、二氟甲 基、三氟甲基、五氟乙基、全氟異丙基、全氟丁基、全氟環己基等。
[0042] 上述烷氧基為0Y1所表示的基團，Y1可舉出與上述烷基中說明的基團相同的例子， 上述鹵代烷氧基是-0Y2所表示的基團，Y2可舉出與上述鹵代烷基中說明的基團相同的例 子。
[0043] 上述烷硫基是-SY1所表示的基團，Y1可舉出與上述烷基中說明的基團相同的例 子，上述鹵代烷硫基是-SY2所表示的基團，Y2可舉出與上述鹵代烷基中說明的基團相同的 例子。
[0044] 上述烷基磺酰基是-SOW1所表示的基團，Y 1可舉出與上述烷基中說明的基團同樣 的例子，上述鹵代烷基磺酰基為所-so2Y2所表示的基團，Y2可舉出與上述鹵代烷基中說明 的基團相同的例子。
[0045] 以下，舉出本發明的有機薄膜晶體管用化合物的具體例，本發明不限定于下述化 合物。
[0046] 需要說明的是，在晶體管之類的電子器件中，通過使用高純度的材料可以得到電 場效應遷移率或開/關比高的器件。因此根據需要，優選通過柱色譜、重結晶、蒸餾、升華等 方法進行精制。優選可以將這些精制方法反復使用，或將過個方法組合，由此來提高純度。 進而。作為精制的最終工序，優選將升華精制至少重復2次以上。優選通過上述方法得到的 HPLC測定的純度為90%以上的材料，進一步優選使用95%以上的材料，特別優選使用99% 以上的材料，由此可以提高有機薄膜晶體管的電場效應遷移率或開關電流比，可以發揮材 料本來所特有的性能。
[0047] 本發明的有機半導體材料可作為旋涂用材料來使用。
[0048] 本發明還提供了一種有機薄膜晶體管，包括基板、設置有柵極的介電層和兩端分 別設置有漏電極和源電極的半導體層，所述半導體層包含上述所述的可溶性并噻吩衍生 物；其中，所述半導體層復合于所述介電層上，所述介電層復合于所述基板上：或者所述介 電層復合于所述半導體層上，所述半導體層復合于所述基板上。
[0049] 本發明中，所述有機薄膜晶體管（0TFT)包括基板。所述基本為本領域常用的基 本，可以是硅片、玻璃或塑料薄片。對于制備柔性器件，所述有機薄膜晶體管常采用塑料基 板，如聚酯（polyester)、聚碳酸酯（polycarbonate)或聚酰亞胺（polyimide)等材料。本 發明對所述基板的厚度沒有特殊限制，一般為10微米~10毫米，對于柔性塑料基板，其厚 度優選為50微米~5毫米，對于硅片的硬質基板，其厚度優選為0. 5毫米~10毫米。
[0050] 所述有機薄膜晶體管包括介電層，其設置有柵極。所述柵極由導電材料形成，可以 是金屬薄膜、導電聚合物薄膜、由導電墨水或導電膠形成的導電薄膜或基板自身如重摻雜 的硅片。其中，所述金屬薄膜可以是鋁、金、銀、鉻或氧化銦錫（ΙΤ0);所述導電聚合物薄膜 可以是聚（苯乙烯磺酸鹽）摻雜的聚（3,4-二氧乙烷噻吩）（PED0T :PSS);所述導電墨水可 以是碳黑（carbon black);所述導電膠可以是銀膠（silver colloid)。所述柵極的厚度可 根據所用材料而定，對于由金屬薄膜形成的柵極，其厚度一般為10納米~1〇〇納米；對于由 導電聚合物形成的柵極，其厚度一般為〇. 5微米~10微米。
[0051] 所述介電層通常由無機材料、有機聚合物或有機聚合物和無機材料雜化材料的薄 膜形成。其中，所述無機材料為二氧化硅、氮化硅、氧化鋁、鈦酸鋇、鎬酸鋇或五氧化二鉭；所 述有機聚合物為聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA)、聚乙烯基苯酚（PVP)、聚乙烯醇（PVA)、聚苯乙 烯（PS)、聚氯乙烯（PVC)或聚酰亞胺。所述介電層的厚度依賴于所用材料的介電常數，一般 為10納米~500納米。
[0052] 本發明可以采用修飾劑選擇性地所述介電層進行修飾，以形成修飾層，來改變 介電層與半導體層間的界面性質，有益于提高有機薄膜晶體管器件的性能。所述修飾 劑包括含硅化合物、含磷酸化合物和高介電常數聚合物等。其中，所述含硅化合物可與 介電層上得自由羥基發生化學反應，廣泛應用于介電層的自組裝單層（slef-assemble monolayer)修飾；常用的含硅化合物包括十八烷基三氯硅烷（0DTS)、苯基三氯硅烷和含 氟烷基三氯硅烷等，具體的含硅化合物修飾劑和修飾方法可參考應用物理雜質（J. Appl. Phys.，2004, 96, 6431-6438)的相關描述。所述含磷酸化合物也可應用于介電層的自 組裝單層修飾；常用的含磷酸化合物包括碳鏈長度12~16的磷酸和苯基取代的磷酸 等，具體的含磷酸化合物修飾劑和修飾方法可參考物理化學雜志B輯（J. Phys. Chem. B，2003, 107,5877-5881)的相關描述。所述高介電常數聚合物包括聚甲基丙烯酸甲酯 (PMMA)、聚乙烯基苯酚（PVP)、聚乙烯醇（PVA)、聚苯乙烯（PS)、聚氯乙烯（PVC)或聚酰亞胺 等，具體的種類可參考先進材料雜志（Adv. Mater.，2005, 17, 1705-1725)的相關描述。
[0053] 所述有機薄膜晶體管包括半導體層，其兩端分別設置有漏電極和源電極。所述源 電極和所述漏電極均可以采用與所述柵極相同的材料，但要保證電極材料與半導體層材料 間有小的接觸電阻。本發明對所述漏電極和所述源電極的厚度等沒有特殊限制，其厚度優 選為40納米~100納米，形成的導電溝道的寬長比優選為30。
[0054] 所述半導體層包含上文所述的具有式（I )結構的可溶性并噻吩衍生物，所述可 溶性并噻吩衍生物在有機溶劑中具有較好的溶解性，采用溶液法很容易加工成膜，從而能 簡化有機薄膜晶體管的制備方法。例如，相對于并三噻吩，本發明具有式（I )結構的可溶 性并噻吩衍生物的溶解性至少有100%的提高。在本發明中，所述有機溶劑可以為三氯甲 烷、三氯乙烷、氯苯、二氯苯、三氯苯、氯代甲苯、甲苯、二甲苯、苯甲醚、四氫萘或三甲苯。其 中，三氯甲烷、三氯乙烷、氯苯、二氯苯、三氯苯或氯代甲苯等屬于氯代溶劑，所述可溶性并 噻吩衍生物在甲苯溶劑中的溶解度一般為0. 05wt %~5wt %。
[0055] 同時，所述可溶性并噻吩衍生物能提高有機薄膜晶體管的載流子遷移率，利于應 用。所述半導體層優選還包含聚合物，即所述可溶性并噻吩衍生物與聚合物共混形成半導 體層。所述聚合物包括含三芳胺聚合物（poly(triarylamine))、聚咔唑、聚荷、聚噻吩、聚乙 烯、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯基苯酚和聚碳酸酯等。
[0056] 在本發明中，半導體層的制備方法優選具體為：將所述可溶性并噻吩衍生物配成 溶液后制備薄膜，經退火、沉積電極，得到半導體層。
[0057] 在本發明中，所述可溶性并噻吩衍生物配成溶液后制備薄膜的加工技術 包括旋涂（spin-coating)、浸涂（dip-coating)、...