有機電致發光裝置的制造方法
【專利說明】
[0001] 相關申請的交叉引用
[0002] 均于2014年12月2日向日本知識產權局提交的且標題均為"有機電致發光裝置"的 第2014-244485號日本專利申請和第2014-244490號日本專利申請通過引用整體并入本文。
技術領域
[0003] 實施方式設及有機電致發光裝置。
【背景技術】
[0004] 近來，正積極進行有機電致發光化L)顯示器的開發。同時，也正積極進行有機化裝 置(其為用在有機化顯示器中的自發光型發光裝置)的開發。
[0005] 有機化裝置可具有例如按次序的陽極、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層和陰極的 堆疊結構。
[0006] 在此類有機化裝置中，從陽極和陰極注入的空穴和電子在發光層中可復合W產生 激子。可經由所產生的激子躍遷至基態來實現發光。
【發明內容】
[0007] 實施方式設及有機電致發光裝置。
[000引實施方式可通過提供有機化裝置來實現，所述有機化裝置包括陽極，發光層，在所 述陽極與所述發光層之間的陽極側空穴傳輸層，所述陽極側空穴傳輸層包括陽極側空穴傳 輸材料且滲雜有電子接受材料，在所述陽極側空穴傳輸層與所述發光層之間的中間空穴傳 輸層，所述中間空穴傳輸層包括中間空穴傳輸材料，W及在所述中間空穴傳輸層與所述發 光層之間的發光層側空穴傳輸層，所述發光層側空穴傳輸層與所述發光層相鄰，其中所述 發光層側空穴傳輸層包括由下列式1表示的發光層側空穴傳輸材料：
[0009] 試1]
[0010]
[0011]其中，在式1中，Ari和An各自獨立地為取代或未取代的具有6至50個環碳原子的芳 基或者取代或未取代的具有5至50個環碳原子的雜芳基，町至R3各自獨立地為取代或未取代 的具有1至20個碳原子的烷基、取代或未取代的具有6至50個環碳原子的芳基、或者取代或 未取代的具有3至50個環碳原子的雜環基團，Ri至R3中相鄰基團的兩個或多個是分開的或結 合W形成環，m為0至4的整數，P和q各自獨立地為0至5的整數，Li為直接鍵聯、取代或未取代 的具有6至18個環碳原子的亞芳基、或者取代或未取代的具有5至15個環碳原子的亞雜芳 基，且碳原子a和b是分開的或經由直接鍵聯結合。
[0012]中間空穴傳輸材料可W包括由下列式2表示的化合物：
[001引[式2]
[0014]
[001引其中，在式帥，Ar適Ar河各自獨立地為取代或未取代的具有6至50個環碳原子的 芳基或者取代或未取代的具有5至50個環碳原子的雜芳基，Ar4可W為氨原子、気原子、面素 原子、取代或未取代的具有6至50個環碳原子的芳基、取代或未取代的具有5至50個環碳原 子的雜芳基、或者取代或未取代的具有1至50個碳原子的烷基，且^可^為直接鍵聯、取代 或未取代的具有6至18個環碳原子的亞芳基、或者取代或未取代的具有5至15個環碳原子的 亞雜芳基。
[0016] 陽極側空穴傳輸材料可W包括由下列式2表示的化合物。
[0017] 電子接受材料可具有約-9.0eV至約-4.0eV的最低未占分子軌道(LUM0)水平。
[001引陽極側空穴傳輸層可W與陽極相鄰。
[0019] 發光層可W包括由下列式3表示的化合物：
[0020] 試3]
[0021]
[0022] 其中，在式3中，每個Ari可獨立地為氨原子、気原子、取代或未取代的具有1至50個 碳原子的烷基、取代或未取代的具有3至50個環碳原子的環烷基、取代或未取代的具有1至 50個碳原子的烷氧基、取代或未取代的具有7至50個碳原子的芳烷基、取代或未取代的具有 6至50個環碳原子的芳氧基、取代或未取代的具有6至50個環碳原子的芳硫基、取代或未取 代的具有2至50個碳原子的烷氧基幾基、取代或未取代的具有6至50個環碳原子的芳基、取 代或未取代的具有5至50個環碳原子的雜芳基、取代或未取代的甲娃烷基、簇基、面素原子、 氯基、硝基或徑基，且η可W為1至10的整數。
[0023] 實施方式可通過提供有機化裝置來實現，所述有機化裝置包括陽極，發光層，在所 述陽極與所述發光層之間的陽極側空穴傳輸層，所述陽極側空穴傳輸層主要包括電子接受 材料，在所述陽極側空穴傳輸層與所述發光層之間的中間空穴傳輸層，所述中間空穴傳輸 層包括中間空穴傳輸材料，W及在所述中間空穴傳輸層與所述發光層之間的發光層側空穴 傳輸層，所述發光層側空穴傳輸層與所述發光層相鄰，其中所述發光層側空穴傳輸層包括 由下列式1表示的發光層側空穴傳輸材料：
[0024] 試1]
[0025]
[0026] 其中，在式1中，Ari和An各自獨立地為取代或未取代的具有6至50個環碳原子的芳 基或者取代或未取代的具有5至50個環碳原子的雜芳基，Ri至R3各自獨立地為取代或未取代 的具有1至20個碳原子的烷基、取代或未取代的具有6至50個環碳原子的芳基、或者取代或 未取代的具有3至50個環碳原子的雜環基團，Ri至R3中相鄰基團的兩個或多個是分開的或結 合W形成環，m為0至4的整數，P和q各自獨立地為0至5的整數，Li為直接鍵聯、取代或未取代 的具有6至18個環碳原子的亞芳基、或者取代或未取代的具有5至15個環碳原子的亞雜芳 基，且碳原子a和b是分開的或經由直接鍵聯結合。
[0027] 中間空穴傳輸材料可W包括由下列式2表示的化合物：
[002引[式 2]
[0029]
[0030] 其中，在式2中，Ari至An可各自獨立地為取代或未取代的具有6至50個環碳原子的 芳基或者取代或未取代的具有5至50個環碳原子的雜芳基，Ar4可W為氨原子、気原子、面素 原子、取代或未取代的具有6至50個環碳原子的芳基、取代或未取代的具有5至50個環碳原 子的雜芳基、或者取代或未取代的具有1至50個碳原子的烷基，且^可^為直接鍵聯、取代 或未取代的具有6至18個環碳原子的亞芳基、或者取代或未取代的具有5至15個環碳原子的 亞雜芳基。
[0031] 電子接受材料可具有約-9.0eV至約-4.0eV的最低未占分子軌道(LUMO)水平。
[0032 ]陽極側空穴傳輸層可W與陽極相鄰。
[0033] 發光層可W包括由下列式3表示的化合物：
[0034] [式 3]
[0035]
[0036] 其中，在式3中，每個Ari可獨立地為氨原子、気原子、取代或未取代的具有1至50個 碳原子的烷基、取代或未取代的具有3至50個環碳原子的環烷基、取代或未取代的具有1至 50個碳原子的烷氧基、取代或未取代的具有7至50個碳原子的芳烷基、取代或未取代的具有 6至50個環碳原子的芳氧基、取代或未取代的具有6至50個環碳原子的芳硫基、取代或未取 代的具有2至50個碳原子的烷氧基幾基、取代或未取代的具有6至50個環碳原子的芳基、取 代或未取代的具有5至50個環碳原子的雜芳基、取代或未取代的甲娃烷基、簇基、面素原子、 氯基、硝基或徑基，且η可W為1至10的整數。
【附圖說明】
[0037] 通過參考附圖詳細地描述示例性實施方式，特征對于本領域技術人員會是顯而易 見的，在附圖中：
[0038] 圖1舉例說明了根據實施方式的有機化裝置的圖解。
【具體實施方式】
[0039] 現在參考附圖將在下文更詳細地描述示例實施方式;然而，它們可W不同形式實 現且不應解釋為限于本文所提出的實施方式。相反，提供了運些實施方式W便本公開會徹 底且完整，并且會向本領域技術人員充分地傳達示例性實現方式。
[0040] 在附圖中，為了清楚說明可將層和區的尺寸放大。也應理解，當層或元件被稱為在 另一層或元件"之上"時，其可直接在另一個層或元件之上，或也可存在中間元件。此外，也 應理解，當元件被稱為在兩個元件"之間"時，其可W為兩個元件之間的唯一元件，或也可存 在一個或多個中間元件。相同的參考數字通篇是指相同的元件。
[0041 ] <1-1.有機化裝置的構型〉
[0042] (1-1-1.總體構型）
[0043] 首先，基于圖1，將描述根據實施方式的有機化裝置100的總體構型。
[0044] 如圖1所示，根據實施方式的有機化裝置100可W包括，例如，基板110、在基板110 上的第一電極120、在第一電極120上的空穴傳輸層130、在空穴傳輸層130上的發光層140、 在發光層140上的電子傳輸層150、在電子傳輸層150上的電子注入層160和在電子注入層 160上的第二電極170。在實現中，可W形成空穴傳輸層130W具有由多個層131、133和135組 成的的多層結構。
[0045] (1-1-2.基板的構型）
[0046] 基板110可W為適合地用于有機Kig置的基板。例如，基板110可W為玻璃基板、半 導體基板或透明塑料基板。
[0047] (1-1-3.第一電極的構型）
[004引第一電極120可W為例如陽極，并且可通過蒸發法、瓣射法等形成于基板110上。例 如，第一電極120可使用具有高功函的金屬、合金、導電化合物等形成為透射型電極。第一電 極120可使用例如具有良好的透明度和導電性的氧化銅錫（Im化-Sn02:ITO)、氧化銅鋒 (Im化-ZnO: IZ0)、二氧化錫(Sn02)、氧化鋒(ZnO)等形成。在實現中，第一電極120可形成為 通過堆疊儀(Mg)、侶(A1)等形成的反射型電極。
[0049] (1-1-4.空穴傳輸層的構型）
[0050] 空穴傳輸層130可W包括空穴傳輸材料且可具有空穴傳輸功能。空穴傳輸層130可 形成于例如第一電極120上到約lOnm至約150nm的層厚度(例如，多層結構的總層厚度）。
[0051] 根據實施方式的有機化裝置100的空穴傳輸層130可通過(從第一電極120起)逐個 堆疊陽極側空穴傳輸層131、中間空穴傳輸層133和發光層側空穴傳輸層135而形成為多層。
[0052] (1-1-4-1.陽極側空穴傳輸層的構型）
[0053] 陽極側空穴傳輸層131可W為包括陽極側空穴傳輸材料的層且可滲雜有電子接受 材料。例如，陽極側空穴傳輸層131可形成于第一電極120上(例如，直接形成于其上）。
[0054] 陽極側空穴傳輸層131可滲雜有電子接受材料，且從第一電極120的空穴注入性質 可得W改善。在實現中，陽極側空穴傳輸層131可提供在第一電極120附近，例如，可與第一 電極120相鄰(例如，直接相鄰或直接接觸)提供。
[0055] 陽極側空穴傳輸層131中包括的陽極側空穴傳輸材料可W包括適合的空穴傳輸材 料。陽極側空穴傳輸層131中包括的陽極側空穴傳輸材料的實例可W包括1，1 -雙[(二-4-甲 苯基氨基)苯基]環己燒(TAPC)、巧挫衍生物諸如N-苯基巧挫和聚乙締基巧挫、N，N'-雙(3- 甲基苯基)-N，N'-二苯基-[1,1-聯苯基]-4,4'-二胺(TPD)、4,4'，4"-Ξ(Ν-巧挫基)Ξ苯基 胺(TCTA)、N，N'-二（1-糞基)-Ν，Ν'-二苯基聯苯胺(ΝΡΒ)等。
[0056] 陽極側空穴傳輸層131中包括的電子接受材料可W包括適合的電子接受材料。在 實現中，陽極側空穴傳輸層131中包括的電子接受材料可具有約-9. OeV至約-4. OeV，例如， 約-6. OeV至約-4. OeV的LUM0水平。
[0057] 具有約-9. OeV至約-4. OeV的LUM0水平的電子接受材料的實例可W包括由下列式 4-1至4-14表示的化合物中的一種。
[0化引
[0059] 在上式4-1至4-14中，每個R可獨立地為或包括，例如，氨原子、気原子、面素原子、 具有1至50個碳原子的氣烷基、氯基、具有1至50個碳原子的烷氧基、具有1至50個碳原子的 烷基、具有6至50個環碳原子的芳基、或具有5至50個環碳原子的雜芳基。
[0060] 每個Ar可獨立地為或包括例如具有吸電子基團的取代的芳基或未取代的具有6至 50個環碳原子的芳基或者取代或未取代的具有5至50個環碳原子的雜芳基，每個Y可獨立地 為例如次甲基(-CH=)或氮原子(-N=)，每個Z可獨立地為例如擬面素原子或硫(S)原子，η 可W為10或low下的整數，且每個X可獨立地為由下列XI至Χ7中的一個表示的取代基。
[0061]
[0062] 在上式XI至X7中，每個Ra可獨立地為或包括，例如，氨原子、気原子、面素原子、具 有1至50個碳原子的氣烷基、氯基、具有1至50個碳原子的烷氧基、具有1至50個碳原子的燒 基、取代或未取代的具有6至50個環碳原子的芳基、或者取代或未取代的具有5至50個環碳 原子的雜芳基。
[0063] 由R、Ar和Ra表示的取代或未取代的具有6至50個環碳原子的芳基的實例可W包括 苯基、1-糞基、2-糞基、1-蔥基、2-蔥基、9-蔥基、1-菲基、2-菲基、3-菲基、4-菲基、9-菲基、1- 并四苯基、2-并四苯基、9-并四苯基、1 -巧基、2-巧基、4-巧基、2-聯苯基、3-聯苯基、4-聯苯 基、對Ξ聯苯基-4-基、對Ξ聯苯基-3-基、對Ξ聯苯基-2-基、間Ξ聯苯基-4-基、間Ξ聯苯 基-3-基、間Ξ聯苯基-2-基、鄰甲苯基、間甲苯基、對甲苯基、對叔下基苯基、對（2-苯基丙 基)苯基、3-甲基-2-糞基、4-甲基-1-糞基、4-甲基-1-蔥基、4'-甲基聯苯基、4"-叔下基-對 Ξ聯苯基-4-基、巧蔥基、巧基等。
[0064] 由R、Ar和Ra表示的取代或未取代的具有5至50個環碳原子的雜芳基的實例可W包 括1-化咯基、2-化咯基、3-化咯基、化晚基、2-化晚基、3-化晚基、4-化晚基、1-嗎I噪基、2-嗎I 噪基、3-嗎I噪基、4-嗎I噪基、5-嗎I噪基、6-嗎I噪基、7-嗎I噪基、1-異嗎I噪基、2-異嗎I噪基、3-異 嗎I噪基、4-異嗎I噪基、5-異嗎I噪基、6-異嗎I噪基、7-異嗎I噪基、2-巧喃基、3-巧喃基、2-苯并巧 喃基、3-苯并巧喃基、4-苯并巧喃基、5-苯并巧喃基、6-苯并巧喃基、7-苯并巧喃基、1-異苯 并巧喃基、3-異苯并巧喃基、4-異苯并巧喃基、5-異苯并巧喃基、6-異苯并巧喃基、7-異苯并 巧喃基、哇嘟基、3-哇嘟基、4-哇嘟基、5-哇嘟基、6-哇嘟基、7-哇嘟基、8-哇嘟基、1-異哇嘟 基、3-異