氛下，將2.11g化合物C、3.15g 3-漠二苯并巧喃、0.384gS(二亞芐基丙 酬）二鈕· C肥l3(Pd2(化a)3 · C肥l3)、2.06g t-BuONa添加至200血Ξ頸燒瓶，向其加入65mL 脫水甲苯和0.56mL 2M(t-Bu)3P/脫水甲苯，之后加熱，回流并攬拌約7小時。空氣冷卻后，加 入水，分離有機層，且蒸饋出溶劑。由此獲得的粗產物通過硅膠柱色譜(使用二氯甲燒和己 燒的混合溶劑）分離且使用二氯甲燒和乙醇的混合溶劑重結晶W產生3.30g(產率62%)為 白色固體的化合物5。通過FAB-MS測量的化合物5(C55曲sM)2)的分子量為741。通過1h NMR (300MHz，CDC13)測量的化合物5的化學位移值（δ)為7.87 (dd，2H)，7.81 (d，2H)，7.80 (dd， 2H)，7.54-7.46 (4H)，7.46-7.13 (2甜）。由此確認化合物5的合成。
[0257] (2-2-2.包括陽極側空穴傳輸材料（主要包括電子接受材料）的有機化裝置的制 造）
[0258] 通過下列制造方法制造根據實施方式的有機化裝置。
[0259] 首先，關于提前圖案化和洗涂的IT0-玻璃基板，進行使用UV-臭氧（〇3)的表面處 理。玻璃基板上的口0層(第一電極)的層厚度為約150nm。在臭氧處理后，將經表面處理的基 板插入玻璃鐘罩型蒸發儀中用于形成有機層并且用約10-4至約10-5化的真空度逐個蒸發陽 極側空穴傳輸層、中間空穴傳輸層、發光層側空穴傳輸層、發光層和電子傳輸層。陽極側空 穴傳輸層、中間空穴傳輸層和發光層側空穴傳輸層中的每個層的層厚度為約lOnm。發光層 的層厚度為約25nm，且電子傳輸層的層厚度為約25nm。然后，將基板移入玻璃鐘罩型蒸發儀 中用于形成金屬層，且用約10-4至約10-5化的真空度蒸發電子注入層和第二電極。電子注入 層的層厚度為約Inm且第二電極的層厚度為約lOOnm。
[0260] 陽極側空穴傳輸層、中間空穴傳輸層和發光層側空穴傳輸層對應于具有堆疊結構 的空穴傳輸層。使用下列表3中所示的材料在實施例和對比例中制造陽極側空穴傳輸層、中 間空穴傳輸層和發光層側空穴傳輸層。
[0261] 在表3中，例如，"化合物2-3、4-15"的表述意指作為陽極側空穴傳輸材料的化合物 2-3滲雜有作為電子接受材料的化合物4-15。基于陽極側空穴傳輸材料的量，電子接受材料 的滲雜量為約3wt%。
[0262] 在表3中，化合物6-1、6-2和6-3是指下列空穴傳輸材料。
[0%3]
[0264] 9,10-二（2-糞基）蔥(ADN，化合物3-2)用作發光層的主體材料，且2，5,8,11-四叔 下基巧(TBP)用作滲雜劑材料。加入基于主體材料的量的3wt%滲雜劑材料。此外，使用Alq3 形成電子傳輸層，使用LiF形成電子注入層且使用侶(A1)形成第二電極。
[02化](2_2-3.評價結果）
[0266] 然后，評價由此制造的有機化裝置的驅動電壓、發光效率和半衰期(發光壽命）。評 價結果一起示于下列表4中。通過W約10mA/cm2的電流密度測量獲得每個實施例和對比例 中的驅動電壓和發光效率。通過測量使亮度從約l，〇〇〇cd/m2的起始亮度降至一半的時間段 來獲得發光壽命。
[0267] 在暗室中使用Keithley Inshuments公司的2400系列源表，Colo;r亮度光度計CS- 200(柯尼卡美能達控股股份有限公司，Wl°的測量角），和PC程序LabVIEW8.2(日本的美國 國家儀器股份有限公司）進行測量。
[0%引[表3]
[0269]
[0272] ~參考表3和4的結果，相對于對比例2-1至2-3,實施例2-1至2-4的發光效率有所改 善，且半衰期有所增加。可見有機化裝置的發光效率和發光壽命通過將陽極側空穴傳輸層、 中間空穴傳輸層和發光層側空穴傳輸層提供在第一電極和發光層之間而得W改善。
[0273] 例如，將實施例2-1與對比例2-2相比，可見實施例2-1的性質更佳。在對比例2-2 中，電子接受材料(例如，化合物4-15)未滲雜于陽極側空穴傳輸層中。因此，對于電子接受 材料滲雜于陽極側空穴傳輸層中是可期望的。
[0274] 將實施例2-1與對比例2-1相比，實施例2-1的性質更佳。在對比例2-1中，中間空穴 傳輸層和發光層側空穴傳輸層中包括的化合物與實施例2-1中的那些相比是相反的。因此， 包括由式1表示的化合物的發光層側空穴傳輸層與發光層相鄰是可期望的。此外，通過改變 中間空穴傳輸層和發光層側空穴傳輸層中包括的化合物，可W獲得顯著改善的性質。
[0275] 將實施例2-1至2-3與對比例2-3相比，實施例2-1至2-3的性質更佳。在對比例2-3 中，發光層側空穴傳輸層中包括的發光層側空穴傳輸材料為化合物6-1代替由式1表示的化 合物。因此，發光層側空穴傳輸層包括由式1表示的化合物是可期望的。
[0276] 將實施例2-1和2-2與實施例2-3相比，實施例2-1和2-2的性質更佳。在實施例2-3 中，陽極側空穴傳輸層中包括的陽極側空穴傳輸材料為化合物6-2代替由式2表示的化合 物。因此，在實現中，陽極側空穴傳輸層中包括的陽極側空穴傳輸材料為由式2表示的化合 物是可期望的。
[0277] 將實施例2-1和2-2與實施例2-4相比，實施例2-1和2-2的性質更佳。在實施例2-4 中，中間空穴傳輸層中包括的中間空穴傳輸材料為不包括巧挫基的空穴傳輸材料，即化合 物6-3,代替由式2表示的化合物。因此，在實現中，中間空穴傳輸層中包括的中間空穴傳輸 材料為由式2表示的化合物是可期望的。
[0278] 如上述解釋，將滲雜有電子接受材料的陽極側空穴傳輸層、中間空穴傳輸層和包 括由式1表示的化合物的發光層側空穴傳輸層堆疊在第一電極（陽極)和發光層之間，則有 機化裝置的發光效率和發光壽命有所改善。
[0279] 可認為，通過布置包括由式1表示的化合物的發光層側空穴傳輸層，空穴傳輸層可 被來自未在發光層中消耗的電子純化，可防止從發光層產生的激發態能量擴散到空穴傳輸 層，并且可W控制整個裝置的電荷平衡。可認為，通過布置包括由式1表示的化合物的發光 層側空穴傳輸層，發光層側空穴傳輸層可有助于抑制鄰近第一電極（陽極)提供的陽極側空 穴傳輸層中包括的電子接受材料擴散到發光層。
[0280] 如上所述，陽極側空穴傳輸層、中間空穴傳輸層和發光層側空穴傳輸層可提供在 陽極和發光層之間，則有機化裝置的發光效率和發光壽命有所增加。
[0281] 通過總結和綜述，空穴傳輸材料或空穴傳輸層可包括于有機KJg置中。例如，空穴 傳輸材料可W包括巧挫基且可于空穴傳輸層中使用。此外，可將電子接受材料添加至空穴 傳輸層，且空穴傳輸層可由使用多個層的堆疊結構形成。
[0282] 實施方式可提供用于有機化裝置的發光效率和發光壽命的具有令人滿意的價值 的裝置。
[0283] 實施方式可提供具有改善的發光效率和發光壽命的有機化裝置。
[0284] 本文已公開了示例實施方式，盡管采用特定術語，但是它們僅W-般且描述性含 義而非限制目的被使用且解釋。在某些情況下，自提交本申請起對于本領域普通技術人員 而言將顯而易見的是，除非另有明確指示，否則可單獨或與關于其它實施方式描述的特性、 特征和/或元件組合地使用關于特定實施方式描述的特性、特征和/或元件。因此，本領域技 術人員會理解，可在不偏離下列權利要求中所述的精神和范圍下對形式和細節作出各種變 化。
【主權項】
1. 一種有機電致發光裝置，包括： 陽極； 發光層； 陽極側空穴傳輸層，所述陽極側空穴傳輸層在所述陽極與所述發光層之間，所述陽極 側空穴傳輸層包括陽極側空穴傳輸材料且滲雜有電子接受材料； 中間空穴傳輸層，所述中間空穴傳輸層在所述陽極側空穴傳輸層與所述發光層之間， 所述中間空穴傳輸層包括中間空穴傳輸材料;W及 發光層側空穴傳輸層，所述發光層側空穴傳輸層在所述中間空穴傳輸層與所述發光層 之間，所述發光層側空穴傳輸層與發光層相鄰， 其中所述發光層側空穴傳輸層包括由下列式1表示的發光層側空穴傳輸材料： 試1] 其中，在式1中，Ari和Ars各自獨立地為取代或未取代的具有6至50個環碳原子的芳基或者取代或未取 代的具有5至50個環碳原子的雜芳基， 化至R3各自獨立地為取代或未取代的具有1至20個碳原子的烷基、取代或未取代的具有 6至50個環碳原子的芳基、或者取代或未取代的具有3至50個環碳原子的雜環基團，Ri至R3中 相鄰基團的兩個或多個是分開的或結合W形成環， m為0至4的整數， P和q各自獨立地為0至5的整數， ^為直接鍵聯、取代或未取代的具有6至18個環碳原子的亞芳基、或者取代或未取代的 具有5至15個環碳原子的亞雜芳基，且 碳原子a和b是分開的或經由直接鍵聯結合。2. 如權利要求1所述的有機電致發光裝置，其中所述中間空穴傳輸材料包括由下列式2 表示的化合物： 試2] 其中，在式2中，Ari至An各自獨立地為取代或未取代的具有6至50個環碳原子的芳基或者取代或未取 代的具有5至50個環碳原子的雜芳基， Ar4為氨原子、気原子、面素原子、取代或未取代的具有6至50個環碳原子的芳基、取代或 未取代的具有5至50個環碳原子的雜芳基、或者取代或未取代的具有1至50個碳原子的燒 基，且 ^為直接鍵聯、取代或未取代的具有6至18個環碳原子的亞芳基、或者取代或未取代的 具有5至15個環碳原子的亞雜芳基。3. 如權利要求2所述的有機電致發光裝置，其中所述陽極側空穴傳輸材料包括由式2表 示的化合物。4. 如權利要求1所述的有機電致發光裝置，其中所述電子接受材料具有-9. OeV至-4. OeV的最低未占分子軌道水平。5. 如權利要求1所述的有機電致發光裝置，其中所述陽極側空穴傳輸層與所述陽極相 鄰。6. 如權利要求1所述的有機電致發光裝置，其中所述發光層包括由下列式3表示的化合 物： 試3] 其中，在式3中， 每個Ari獨立地為氨原子、気原子、取代或未取代的具有1至50個碳原子的烷基、取代或 未取代的具有3至50個環碳原子的環烷基、取代或未取代的具有1至50個碳原子的烷氧基、 取代或未取代的具有7至50個碳原子的芳烷基、取代或未取代的具有6至50個環碳原子的芳 氧基、取代或未取代的具有6至50個環碳原子的芳硫基、取代或未取代的具有2至50個碳原 子的烷氧基幾基、取代或未取代的具有6至50個環碳原子的芳基、取代或未取代的具有5至 50個環碳原子的雜芳基、取代或未取代的甲娃烷基、簇基、面素原子、氯基、硝基或徑基，且 n為1至10的整數。7. -種有機電致發光裝置，包括： 陽極； 發光層； 陽極側空穴傳輸層，所述陽極側空穴傳輸層在所述陽極與所述發光層之間，所述陽極 側空穴傳輸層包括電子接受材料； 中間空穴傳輸層，所述中間空穴傳輸層在所述陽極側空穴傳輸層與所述發光層之間， 所述中間空穴傳輸層包括中間空穴傳輸材料;W及 發光層側空穴傳輸層，所述發光層側空穴傳輸層在所述中間空穴傳輸層與所述發光層 之間，所述發光層側空穴傳輸層與發光層相鄰， 其中所述發光層側空穴傳輸層包括由下列式1表示的發光層側空穴傳輸材料： 試1] 其中，在式1中，Ari和Ars各自獨立地為取代或未取代的具有6至50個環碳原子的芳基或者取代或未取 代的具有5至50個環碳原子的雜芳基， 化至R3各自獨立地為取代或未取代的具有1至20個碳原子的烷基、取代或未取代的具有 6至50個環碳原子的芳基、或者取代或未取代的具有3至50個環碳原子的雜環基團，Ri至R3中 相鄰基團的兩個或多個是分開的或結合W形成環， m為0至4的整數， P和q各自獨立地為0至5的整數， ^為直接鍵聯、取代或未取代的具有6至18個環碳原子的亞芳基、或者取代或未取代的 具有5至15個環碳原子的亞雜芳基，且 碳原子a和b是分開的或經由直接鍵聯結合。8.如權利要求7所述的有機電致發光裝置，其中所述中間空穴傳輸材料包括由下列式2 表示的化合物： 試2]其中，在式2中， Ari至An各自獨立地為取代或未取代的具有6至50個環碳原子的芳基或者取代或未取 代的具有5至50個環碳原子的雜芳基， Ar4為氨原子、気原子、面素原子、取代或未取代的具有6至50個環碳原子的芳基、取代或 未取代的具有5至50個環碳原子的雜芳基、或者取代或未取代的具有1至50個碳原子的燒 基，且 ^為直接鍵聯、取代或未取代的具有6至18個環碳原子的亞芳基、或者取代或未取代的 具有5至15個環碳原子的亞雜芳基。9. 如權利要求7所述的有機電致發光裝置，其中所述電子接受材料具有-9. OeV至- 4. OeV的最低未占分子軌道水平。10. 如權利要求7所述的有機電致發光裝置，其中所述陽極側空穴傳輸層與所述陽極相 鄰。11. 如權利要求7所述的有機電致發光裝置，其中所述發光層包括由下列式3表示的化 合物： 試3] 其中，在式3中， 每個Ari獨立地為氨原子、気原子、取代或未取代的具有1至50個碳原子的烷基、取代或 未取代的具有3至50個環碳原子的環烷基、取代或未取代的具有1至50個碳原子的烷氧基、 取代或未取代的具有7至50個碳原子的芳烷基、取代或未取代的具有6至50個環碳原子的芳 氧基、取代或未取代的具有6至50個環碳原子的芳硫基、取代或未取代的具有2至50個碳原 子的烷氧基幾基、取代或未取代的具有6至50個環碳原子的芳基、取代或未取代的具有5至 50個環碳原子的雜芳基、取代或未取代的甲娃烷基、簇基、面素原子、氯基、硝基或徑基，且 n為1至10的整數。
【專利摘要】有機EL裝置包括陽極，發光層，在所述陽極與所述發光層之間的陽極側空穴傳輸層，所述陽極側空穴傳輸層包括陽極側空穴傳輸材料且摻雜有電子接受材料，在所述陽極側空穴傳輸層與所述發光層之間的中間空穴傳輸層，所述中間空穴傳輸層包括中間空穴傳輸材料，以及在所述中間空穴傳輸層與所述發光層之間的發光層側空穴傳輸層，所述發光層側空穴傳輸層與所述發光層相鄰，其中所述發光層側空穴傳輸層包括由下列式1表示的發光層側空穴傳輸材料：[式1]
【IPC分類】H01L51/50, H01L51/54
【公開號】CN105655492
【申請號】
【發明人】佐佐木幾生, 金秀蘭, 上野雅嗣, 松岡光進
【申請人】三星顯示有限公司
【公開日】2016年6月8日
【申請日】2015年12月2日