鏈或支鏈(C廣Ci2)烷基，R更優選是將-C (O)-O-Ri接合到環A的氮原子的直鏈或支鏈(扣-加)烷基，η是2或更大，優選巧Ij4的整數，η 更優選是2,化和化相同或不同并且是直鏈或支鏈(&-C12)烷基，并且限制條件為在環A中、在 環A上的取代基中或在R中存在至少一個氮原子，并且Ri是氨或直鏈或支鏈(Ci-Ci2)烷基。雜 環芳環中的雜原子包括氮、硫W及氧中的一種或多種。優選地，雜原子是氮。取代基包括(但 不限于）直鏈或支鏈烷基、徑基、氨基、酷胺、直鏈或支鏈徑烷基、面化物、直鏈或支鏈面燒 基、硫基、直鏈或支鏈硫代烷基、直鏈或支鏈烷氧基、伯胺、仲胺或叔胺、簇基、直鏈或支鏈簇 基烷基、醒、酬W及經取代或未經取代的芳基。芳基上的取代基可W包括前述基團。式（I)可 W帶正電。
[0022] 具有五元和六元芳香族碳環的化合物包括(但不限于）W下各者：
[0023]
[0024] 其中1?5、1?6、1?7、1?8、1?9^及扣0可^相同或不同并且可^是氨、徑基、氨基、酷胺、直鏈 或支鏈徑基(扣-ClQ)烷基、直鏈或支鏈(扣-ClQ)烷氧基、面化物、直鏈或支鏈(扣-ClQ)烷基面 化物、-N出、伯、仲或叔直鏈或支鏈(&-C12)烷基胺、醒、酬、簇基、直鏈或支鏈簇基(&-C10)燒 基、直鏈或支鏈(C1-C20)烷基、經取代或未經取代的芳基或經取代或未經取代的烷基芳基。 Rs-Rio的相鄰對原子，如式（II)或式（III)的R8和R9的碳原子可W結合在一起形成不飽和五 元或六元經取代或未經取代的環。優選地，Rs至化10中的至少一個是-N此或伯胺或仲胺。當A 是碳環時，優選地，碳環是六元環。示例性化合物具有W下通式：
[0025]
[0026] 其中R6到化ο如上文所定義并且r是直鏈或支鏈(Ci-Ci2)烷基。
[0027] 具有五元和六元芳香族雜環的化合物包括(但不限于）W下各者：
[002引
[0029] 其中變數t、u、v、w、y和Z獨立地是碳、氮、氧或硫，限制條件為變數中的至少一個是 碳并且至少一個是氮，優選地，雜原子都是氮;a是1到5,優選1到4的整數，b是1到6,優選1到 5的整數，并且Rii可W相同或不同并且包括(但不限于)氨、徑基、氨基、酷胺、直鏈或支鏈徑 基（Ci-CiQ)烷基、直鏈或支鏈(Ci-CiQ)烷氧基、面化物、直鏈或支鏈(Ci-CiQ)烷基面化物、- N此、伯、仲或叔直鏈或支鏈(Ci-Ci2)烷基胺、醒、酬、簇基、直鏈或支鏈簇基(Ci-CiQ)烷基、直 鏈或支鏈(C1-C20)烷基、硫基、硫代烷基、經取代或未經取代的芳基或經取代或未經取代的 烷基芳基。結構（VI)或(VII)的Rii基團的相鄰對原子可W結合在一起形成稠合到環結構 (VI)的不飽和六元經取代或未經取代的環或稠合到具有式(VIII)的環結構(VII)的不飽和 五元經取代或未經取代的環。
[0030]
[0031] 其中t、u、v、w、y和zW及Rii如上文所定義，并且C是1到4的整數并且d是1到3的整 數。優選地，Rii是氨、徑基、-N此、伯胺或仲胺W及直鏈或支鏈(Ci-Cio)烷基中的一個或多個， 更優選地，Rii是氨、徑基W及直鏈或支鏈(扣-Cio)烷基中的一個或多個。此類化合物的代表 是咪挫、立挫、四挫、嚷挫、苯并咪挫、嗯挫、氨基化晚、烷基氨基化晚W及其衍生物。優選地， 氮化合物是呈W上式(VI)形式的五元雜環，其中五元雜環的雜原子是氮。示例性化合物包 括w下各者：
[0032]
[00削其中扣2、扣3、1?14、1?1日、扣6^及1?17相同或不同并且包括（但不限于）氨、直鏈或支鏈 (Ci-Ci2)烷基、經取代或未經取代的芳基、徑基烷基、徑基、硫基、硫代烷基、-N此、伯胺或仲 胺，其中m是0到10的整數，限制條件為當m是加寸，氮共價鍵結到環的碳。
[0034] 上文所描述的含有碳環和雜環氮的化合物與具有W下通式的化合物反應：
[0035] X-R-C(0)-0-Ri(X)
[0036] 其中R和Ri如上文所定義并且X是面化物，如氯化物、氣化物、漠化物和艦化物。優 選地，面化物是氯化物、氣化物或漠化物。更優選地，面化物是氯化物或氣化物。反應在四氨 巧喃(THF)和氨化鋼存在下在0°C到4°C的冷卻條件下進行并且攬拌W提供具有式（I)的產 物。
[0037] 示例性含有芳香族氮的化合物具有W下通式：
[00；3 引
[0039] 其中3、扣、1?12、扣6心變數111^及變數11如上文所定義，其中優選地，變數11是碳或氮， Ri8與Ri袖同，并且f是0到2,優選1或2的整數，并且R"是直鏈或支鏈他-Ci2)烷基或(Ci-Ci2) 酸。
[0040] 多元胺包括(但不限于)具有W下通式的化合物：
[0041]
[0042] 其中 R2i是-(C此-C出）p-、- (C出-C此）廣（NH-R24-NH)廠（C出-C此）廣、-(C出-C此）廣（0- R25-0 )r-(〔出)p-、經取代或未經取代的((^-Cl8 )芳基，其中化4是-(CH2-CH2 ) p-或
[0043]
[0044] 其中p、qW及r獨立地是一或更大，優選1到10的整數;R22和R23獨立地是氨、直鏈或 支鏈(Cl-Cl2)烷基或經取代或未經取代的（C6-C18)芳基，其中當R22和R23是(Cl-Cl2)烷基時， 其可W與基團中的所有原子結合在一起形成環。R25是直鏈或支鏈(C2-C10)烷基。芳基上的取 代基包括(但不限于)直鏈或支鏈(C廣Cl2 )烷基、直鏈或支鏈徑基(C廣Cl2 )烷基或徑基。
[0045] 在有機溶劑中使一種或多種式（I)化合物與一種或多種式(Xlla)和(Xllb)化合物 反應并且在45°C到50°C的溫度下在惰性氣體氛圍下回流。典型地，在氮氣氛圍下進行回流。 替代地，可W在具有或不具有溶劑的情況下蒸煮式（I)化合物和一種或多種式(Xlla)和 (XHb)的化合物。式（I)化合物與一種或多種式(Xlla)和(XHb)的化合物的摩爾反應比率 可W在1:0.1到1: 2，優選0.8:巧Ij 1:0.8范圍內。式(I)化合物通過酷胺鍵接合到式(XIIa)和 (Xllb)化合物。此類聚合物具有W下通式：
[0046]
[0047] 其中R、R2i、R22W及R23如上文所定義，并且g是2或更大的整數，任選地，式(XIII)可 W具有正電荷。具有酷胺鍵的此類聚合物的實例是W下各者：
[004引
[0049] 其中 R、Rl2、Rl3、Rl4、χ-、p、uW及g如上文所定義。
[0050] 鍛覆組合物和方法適用于在襯底，如印刷電路板上提供實質上水平的鍛覆金屬 層。此外，鍛覆組合物和方法適用于用金屬填充襯底中的孔口。此外，金屬沉積物基本上無 裂紋并且具有良好均鍛能力。
[0051] 上面可W電鍛金屬的任何襯底都適用于本發明。此類襯底包括(但不限于）印刷布 線板、集成電路、半導體封裝、引線框架和互連件。集成電路襯底可W是用于雙鑲嵌制造工 藝的晶片。此類襯底典型地含有許多特征，尤其是具有多種尺寸的孔口。PCB中的通孔可W 具有多種直徑，如50μηι到350μηι直徑。此類通孔的深度可W不同，如35μηι到IOOwiiidPCB可W含 有具有廣泛多種尺寸，如至多200M1或更大的盲通道。
[0052] 可W使用常規金屬鍛覆組合物。金屬鍛覆組合物含有金屬離子源、電解質W及調 平劑，其中調平劑是一種或多種式(I)含氮化合物與一種或多種多元胺化合物的反應產物。 金屬鍛覆組合物可W含有面離子源、促進劑W及抑制劑。可W由組合物電鍛的金屬包括(但 不限于)銅、錫W及錫/銅合金。
[0053] 適合的銅離子源是銅鹽并且包括(