但不限于）：硫酸銅；面化銅，如氯化銅；乙酸銅； 硝酸銅;氣棚酸銅;烷基橫酸銅;芳基橫酸銅;氨基橫酸銅W及葡糖酸銅。示例性烷基橫酸銅 包括(Ci-Cs)烷基橫酸銅并且更優選(C1-C3)烷基橫酸銅。優選的烷基橫酸銅是甲橫酸銅、乙 橫酸銅W及丙橫酸銅。示例性芳基橫酸銅包括(但不限于)苯基橫酸銅、苯酪橫酸銅W及對 甲苯橫酸銅。可W使用銅離子源的混合物。可W將除銅離子W外的金屬離子的一種或多種 鹽添加到本發明電鍛浴中。典型地，銅鹽的存在量足W提供10到180g/L鍛覆溶液的銅金屬 的量。
[0054] 適合的錫化合物包括(但不限于）鹽，如面化錫、硫酸錫、燒橫酸錫（如甲橫酸錫）、 芳基橫酸錫(如苯基橫酸錫、苯酪橫酸錫w及甲苯橫酸錫）、燒醇橫酸錫。運些電解質組合物 中的錫化合物的量典型地為提供在5到150g/L范圍內的錫含量的量。錫化合物的混合物可 W如上文所描述的量使用。
[0055] 適用于本發明的電解質可W是堿性或酸性的。典型地，電解質是酸性的。適合的酸 性電解質包括(但不限于)硫酸；乙酸;氣棚酸;燒橫酸，如甲橫酸、乙橫酸、丙橫酸W及Ξ氣 甲燒橫酸;芳基橫酸，如苯基橫酸、苯酪橫酸W及甲苯橫酸;氨基橫酸;氨氯酸；W及憐酸。酸 的混合物可W有利地用于本發明的金屬鍛覆浴。優選的酸包括硫酸、甲橫酸、乙橫酸、丙橫 酸W及其混合物。酸的存在量可W在1到300g/L范圍內。電解質一般可購自多種來源并且可 W在不進一步純化的情況下使用。
[0056] 此類電解質可W任選地含有面離子源。典型地使用氯離子。示例性氯離子源包括 氯化銅、氯化錫W及氨氯酸。本發明中可W使用廣泛范圍的面離子濃度。典型地，面離子濃 度在W鍛覆浴計0到l(K)ppm范圍內。此類面離子源一般是市售的并且可W在不進一步純化 的情況下使用。
[0057] 鍛覆組合物典型地含有促進劑。任何促進劑(也稱為增亮劑)都適用于本發明。此 類促進劑是所屬領域的技術人員所熟知的。促進劑包括(但不限于)N，N-二甲基-二硫基氨 基甲酸-(3-橫丙基)醋;3-琉基-丙基橫酸-(3-橫丙基)醋;3-琉基-丙基橫酸鋼鹽;碳酸二硫 基-0-乙醋-S-醋與3-琉基-1-丙烷橫酸鐘鹽;雙橫丙基二硫化物；3-(苯并嚷挫基-S-硫基） 丙基橫酸鋼鹽;化晚鐵丙基橫基甜菜堿；1-鋼-3-琉基丙烷-1-橫酸醋;N，N-二甲基-二硫基 氨基甲酸-(3-橫乙基)醋;3-琉基-乙基丙基橫酸-(3-橫乙基)醋；3-琉基-乙基橫酸鋼鹽;碳 酸-二硫基-0-乙醋-S-醋與3-琉基-1-乙燒橫酸鐘鹽;雙橫乙基二硫化物;3-(苯并嚷挫基- S-硫基）乙基橫酸鋼鹽;化晚鐵乙基橫基甜菜堿；W及1-鋼-3-琉基乙燒-1-橫酸醋。促進劑 可W多種量使用。一般來說，促進劑WO.lppm至ljlO(K)ppm的量使用。
[0058] 能夠抑制金屬鍛覆速率的任何化合物都可W用作本發明電鍛組合物中的抑制劑。 適合的抑制劑包括(但不限于）聚丙二醇共聚物和聚乙二醇共聚物，包括環氧乙燒-環氧丙 燒ΓΕ0/Ρ0")共聚物和下醇-環氧乙燒-環氧丙烷共聚物。適合的下醇-環氧乙燒-環氧丙烷 共聚物是重量平均分子量為100到100,000,優選500到10,000的下醇-環氧乙燒-環氧丙烷 共聚物。當使用此類抑制劑時，其存在量典型地在W組合物的重量計1到10,000ppm并且更 典型5到10,000ppm范圍內。
[0059] -般來說，式（I)化合物與一種或多種多元胺的反應產物的數目平均分子量(Μη) 為500到10，000,典型為1000到50，000,優選為2000到8000,但可W使用具有其它Μη值的反 應產物。此類反應產物的重量平均分子量(Mw)值可W在1000到50,000,典型地5000到30， 000范圍內，但可W使用其它Mw值。
[0060] 用于金屬電鍛組合物中的反應產物(調平劑)的量取決于所選特定調平劑、電鍛組 合物中金屬離子的濃度、所用特定電解質、電解質的濃度W及所施加的電流密度。一般來 說，電鍛組合物中調平劑的總量是W鍛覆組合物的總重量計0.0 lppm到5，00化pm，但可W使 用更大或更小的量。優選地，調平劑的總量是0.巧ijlOO化pm，更優選0.巧lj50化pm。
[0061] 電鍛組合物可W通過按任何次序組合組分來制備。優選的是，將如金屬離子源、 水、電解質W及任選的面離子源的無機組分首先添加到浴容器中，繼而添加有機組分，如調 平劑、促進劑、抑制劑W及任何其它有機組分。
[0062] 電鍛組合物可W任選地含有第二調平劑。此類第二調平劑可W是本發明的另一種 調平劑，或替代地，可W是任何常規調平劑。可W與本發明調平劑組合使用的適合的常規調 平劑包括(但不限于)Step等人的美國專利第6,610,192號、Wang等人的美國專利第7,128， 822號、化yashi等人的美國專利第7，374，652號W及化giwara等人的美國專利第6，800，188 號中所公開的那些。此類調平劑的組合可W用于修整鍛覆浴的特征，包括調平能力和均鍛 能力。
[0063] 典型地，可W在10到65°C或更高的任何溫度下使用鍛覆組合物。優選地，鍛覆組合 物的溫度是10到35°C并且更優選15到30°C。
[0064] -般來說，在使用期間攬動金屬電鍛組合物。可W使用任何適合的攬動方法并且 此類方法在所屬領域中是眾所周知的。適合的攬動方法包括(但不限于）：空氣噴射、工件攬 動W及沖擊。
[0065] 典型地，通過使襯底與鍛覆組合物接觸來電鍛襯底。襯底典型地充當陰極。鍛覆組 合物含有陽極，其可W是可溶或不溶的。典型地向陰極施加電勢。施加足夠的電流密度并且 鍛覆進行足W將具有所需厚度的金屬層沉積在襯底上W及填充盲通道和/或通孔的時間 段。電流密度包括(但不限于)0.05到lOA/dm2的范圍，但可W使用更高和更低的電流密度。 特定電流密度部分地取決于待鍛覆襯底和所選調平劑。此類電流密度選擇在所屬領域的技 術人員的能力內。
[0066] 本發明的優勢是在PCB上獲得實質上水平的金屬沉淀物。"基本上水平"金屬層意 指具有密集極小孔口的區域與不含或實質上不含孔口的區域之間的梯級高度（即，差值)小 于扣m，并且優選小于1皿。PCB中的通孔和/或盲通道得到實質上填充。本發明的另一個優勢 是可W填充廣泛范圍的孔口和孔口尺寸。
[0067] 均鍛能力被定義為在通孔中屯、鍛覆的金屬的平均厚度與在PCB樣品表面鍛覆的金 屬的平均厚度相比的比率并且W百分比形式報告。均鍛能力越高，鍛覆組合物能夠越好填 充通孔。本發明的金屬鍛覆組合物具有含65%，優選含70%的均鍛能力。相比于許多常規金 屬鍛覆組合物，本發明的金屬鍛覆組合物還顯示改進的金屬鍛覆襯底的熱穩定性。
[0068] 雖然已參考印刷電路板制造大體上描述了本發明的方法，但應了解，本發明可W 適用于需要基本上水平或平坦的金屬沉積物和填充的孔口的任何電解工藝。此類工藝包括 半導體封裝和互連件制造。
[0069] W下實例意圖進一步說明本發明，但并不意圖限制其范圍。
[0070] 實例 1
[0071] 使6.8g( lOOmmol)咪挫和2.4g( lOOmmol)氨化鋼溶解于50ml無水THF中。攬拌混合 物并且在冰浴中冷卻2小時直到氨氣形成停止為止。添加 21.6g(200mmol)氯乙酸乙醋并且 使混合物回流12小時。在通過蒸發去除溶劑之后，通過乙臘萃取其余殘余物，獲得1,3-雙 (2-甲氧基-2-氧代乙基）1H-咪挫。通過NMR光譜確認最終產物。針對1H NMR，在25°C下使用 在400.13MHz下操作的布魯克(Bruker) 400MHz光譜儀記錄NMR光譜。
[0072] 向Ξ頸燒瓶中添加4g(15.3mmol)l，3-雙（2-甲氧基-2-氧代乙基）1H-咪挫、1.7g (15.3mmo 1)己二胺W及20ml乙臘。在