惰性化氛圍中使混合物回流48小時。最終產物(產物1) 在反應期間沉淀出。通過醒R光譜確認最終產物，其具有峰Sppm:8.82-8.88(s，lH，Haram); 7.65-7.52(m，2H，Haram) :4.89-4.75(m，4H，2XCH2-N) ,3.31(寬峰s，4H，2XCH2-NH); 1.60(寬 峰s，4H，2 X 邸2-畑）；w及1.40(寬峰s，4H，2 X CH2-CH2-CH2-NH)，并且具有下式：
[0073]
[0074] 變量g如上文所定義。接著通過裝備有IR檢測器、PL Aquagel-OH 308μπι 300X 7.5mm尺寸排阻分離柱W及F^LAquagel-OH如m50X7.5mm保護柱的安捷倫（Agilent) 1200GPC單元測定最終產物的分子量。柱溫度為30°C。在0.1%v/vΞ氣乙酸/DI水中WlmL/ min的流動速率進行移動相。使用聚乙二醇標準物進行GPC校準。Μη測定為3,458,并且Mw測 定為7,504。
[0075] 實例2
[0076] 使8.2g( lOOmmol)4-甲基咪挫和2.4g( lOOmmol)氨化鋼溶解于50ml無水THF中。攬 拌混合物并且在冰浴中冷卻2小時直到氨氣形成停止為止。接著將21.6g(200mmol)氯乙酸 乙醋添加到混合物中。在回流12小時之后，通過蒸發去除溶劑并且通過乙臘萃取其余殘余 物，獲得1，3-雙(2-甲氧基-2-氧代乙基）1H-咪挫。通過NMR光譜確認最終產物。
[0077] 向Ξ頸燒瓶中添加 4.2g( 15.3mmol) 1，3-雙(2-甲氧基-2-氧代乙基）1H-4-甲基咪 挫、1.7g( 15.3mmol)己二胺W及20ml乙臘。在惰性化氛圍下使混合物回流48小時。最終產物 (產物2)在反應期間沉淀出。通過NMR光譜產物確認為具有與XIII相同的通式。通過安捷倫 1200GPC，最終產物的分子量測定為Mn = 1，367和Mw = 2，708。
[0078] 制備四種銅電鍛溶液并且各自添加到單獨的哈林單元化aring Ce 11)中。銅電鍛 溶液中的兩種具有化pm促進劑并且另外兩種具有化pm促進劑。銅電鍛溶液的配制品具有W 下表1中的配方：
[0079] 表 1
[0080]
[0081 ] WlOppm和20ppm的量將產物1添加到兩個哈林單元中。W〇. 5ppm和Ippm的量將產 物2添加到另外兩個哈林單元中。將經清潔的銅測試板放置于各哈林單元中。測試板為 3.2mm厚的雙面FR4PCB，5cm X 9.5cm，其具有多個直徑為300皿的通孔。測試板充當陰極。相 對電極是常規可溶銅電極。將電極連接到整流器并且在各哈林單元中施加2.2A/dm2的電流 密度持續80分鐘。在電鍛期間各溶液的溫度為25°C。
[0082]在銅電鍛之后，從哈林單元中移出測試板并且用去離子水沖洗一分鐘。接著將其 放置于溶液ANTI-TARNISH? 7130溶液（可購自密歇根州米德蘭市的陶氏化學公司（Dow Chemical Company，Midland，MI))中一分鐘。所述板再次用去離子水沖洗一分鐘并且用壓 縮空氣干燥。各板上的銅沉積物肉眼看起來是明亮并且均勻。
[0083] 切割、安裝并且橫截具有通孔的板區域。使用光學顯微法在各板表面上測量銅沉 積物的厚度W及通孔的平均厚度。在橫截之后，針對通孔位置直徑調節所測量到的厚度。均 鍛能力是通過測定在通孔中屯、鍛覆的金屬的平均厚度與在PCB樣品表面鍛覆的金屬的平均 厚度相比的比率來計算。結果W百分比形式在表2中。
[0084] 開裂百分比是根據行業標準程序IPC-TM-650-2.6.8.(熱應力、鍛覆通孔(Thermal Stress，Plated-Th;rough Holes)，由 IPC(美國伊利諾伊州諾斯布魯克（Northbrook, Illinois，U.S. A.)出版，2004年 5 月，修訂E)測定。
[0085] 表 2
[0086]
[0087]各板的開裂百分比測定為0。因此，在所述板中的任一個上都未出現顯著開裂。
【主權項】
1. 一種聚合物，其包含反應產物，所述反應產物包含一種或多種多元胺和一種或多種 具有下式的含氮化合物：其中A是經取代或未經取代的5-6元芳香族雜環、經取代或未經取代的5-6元芳香族碳 環或具有五元雜環到六元碳環或雜環的經取代或未經取代的稠合雜環系統，R是將環A的碳 原子或雜原子或環A上取代基的原子接合到-C(0)-0-Rj^共價鍵、直鏈或支鏈(Q-Cu)烷 基、-NH-、-R 2NH-或-R2NHR3-，n是2或更大的整數，R2和R 3相同或不同并且是直鏈或支鏈(&-C12)烷基，并且限制條件為在環A、環A上的取代基中或在R中存在至少一個氮原子，并且心是 氫或直鏈或支鏈(&-& 2)烷基，氮化合物任選地具有凈正電荷。2. -種金屬電鍍組合物，其包含:一種或多種金屬離子源、電解質以及一種或多種聚合 物，所述聚合物包含一種或多種多元胺與一種或多種具有下式的含氮化合物的反應產物：其中Α是經取代或未經取代的5-6元芳香族雜環、經取代或未經取代的5-6元芳香族碳 環或具有五元雜環到六元碳環或雜環的經取代或未經取代的稠合雜環系統，R是將環A的碳 原子或雜原子或環A上取代基的原子接合到-C(0)-0-Rj^共價鍵、直鏈或支鏈(Q-Cu)烷 基、-NH-、-R 2NH-或-R2NHR3-，n是2或更大的整數，R2和R 3相同或不同并且是直鏈或支鏈(&-C12)烷基，并且限制條件為在環A、環A上的取代基中或在R中存在至少一個氮原子，并且心是 氫或直鏈或支鏈()烷基，所述氮化合物任選地具有凈正電荷。3. 根據權利要求2所述的金屬電鍍組合物，其中所述一種或多種聚合物以0.0 lppm到5， OOOppm的量包括于所述組合物中。4. 根據權利要求2所述的金屬電鍍組合物，其中所述一種或多種金屬離子源選自銅和 錫鹽。5. 根據權利要求2所述的金屬電鍍浴，其進一步包含一種或多種促進劑和抑制劑。6. -種方法，其包含： a) 使待鍍覆的襯底與金屬電鍍組合物接觸，所述組合物包含:一種或多種金屬離子源、 電解質以及一種或多種聚合物，所述一種或多種聚合物包含一種或多種多元胺與一種或多 種具有下式的含氮化合物的反應產物：其中A是經取代或未經取代的5-6元芳香族雜環、經取代或未經取代的5-6元芳香族碳 環或具有五元雜環到六元碳環或雜環的經取代或未經取代的稠合雜環系統，R是將環A的碳 原子或雜原子或環A上取代基的原子接合到-C(0)-0-Rj^共價鍵、直鏈或支鏈(Q-Cu)烷 基、-NH-、-R 2NH-或-R2NHR3-，n是2或更大的整數，R2和R 3相同或不同并且是直鏈或支鏈(&-C12)烷基，并且限制條件為在環A、環A上的取代基中或在R中存在至少一個氮原子，并且心是 氫或直鏈或支鏈()烷基，所述氮化合物任選地具有凈正電荷； b) 施加電流；以及 c) 使金屬沉積于所述襯底上。7. 根據權利要求6所述的方法，其中所述一種或多種來源或金屬離子選自銅鹽和錫鹽。8. 根據權利要求6所述的方法，其中所述襯底是印刷電路板。
【專利摘要】在金屬電鍍組合物中包括多元胺與含氮環狀化合物的反應產物的聚合物以在襯底上提供水平金屬沉積物。
【IPC分類】C25D3/02, C08G69/26, C08L77/06
【公開號】CN105683250
【申請號】
【發明人】L·段, Z·I·尼亞茲伊別特娃, C·陳, T·孫, M·A·瑞茲尼克
【申請人】羅門哈斯電子材料有限責任公司, 陶氏環球技術有限責任公司
【公開日】2016年6月15日
【申請日】2013年11月6日