膜及其制造方法
【技術領域】
[0001 ]本發明設及一種膜及其制造方法。
【背景技術】
[0002] W往，作為壓電膜、用于電潤濕用途、膜電容器用途的薄膜或膜，已知有各種有機 電介體膜和無機電介體膜。
[0003] 運些之中，極化偏氣乙締系聚合物膜具有如下優點:具有透明性，并且與無機電介 體薄膜不同，具有可曉性，因此，可W適用于各種各樣的用途。
[0004] 例如，在專利文獻1和專利文獻2中公開有:使用極化偏氣乙締系聚合物膜對接觸 面板賦予檢測接觸壓的功能的技術。
[0005] 現有技術文獻
[0006] 專利文獻
[0007] 專利文獻1:日本特開2010-26938號公報 [000引專利文獻2:日本特開2011-222679號公報
【發明內容】
[0009] 發明所要解決的課題
[0010] 然而，在專利文獻1中，作為極化偏氣乙締系聚合物膜的制造方法，雖然記載有將 溶解于有機溶劑的偏氣乙締系聚合物的溶液涂布于另行準備的基板，除去溶劑，由此形成 膜的方法(所謂的誘鑄法），但是，對上述溶液的過濾沒有充分地進行研究。
[0011] 本發明人等對上述制造方法進行研究的結果，查明了不過濾上述溶液的情況下， 存在如下問題:使膜的電絕緣性降低，因此使膜的耐電壓性降低。另外，查明了將上述溶液 用線繞過濾器、表面過濾器、漉式過濾器等過濾時，不能有效地進行過濾。
[0012] 因此，本發明的目的在于，提供一種顯示高的電絕緣性，耐電壓性優異的膜及其制 造方法。
[0013] 用于解決課題的方法
[0014] 本發明人等進行深入研究的結果發現：
[001引利用根據韋布爾分布圖，99%的耐電壓缺陷值為300V/皿W上的偏氣乙締系聚合 物膜，可W解決上述課題。
[0016] 本發明人等還發現:通過利用深層權桐式過濾器過濾含有偏氣乙締系聚合物和溶 劑的液狀組合物，可W制造具有上述特性的上述膜。
[0017] 基于運些知識，本發明人等完成了本發明。
[001引本發明包括W下的方案。
[0019] 項1.
[0020] -種偏氣乙締系聚合物膜，其中，根據韋布爾分布圖，99%的耐電壓缺陷值為 300V/皿 W上。
[0021] 項2.
[0022] 項1所述的膜，其中，上述聚合物膜為壓電膜。
[0023] 項3.
[0024] 項1所述的膜，其中，上述聚合物膜為膜電容器用膜。
[0025] 項4.
[0026] -種膜的制造方法，制造項1~3中任一項所述的膜，其中，包括：
[0027] 制備含有偏氣乙締系聚合物和溶劑的液狀組合物的工序A、
[00%]利用深層權桐式過濾器過濾上述液狀組合物的工序B、
[0029] 使在上述工序B得到的濾液在基材上流延的工序C、及
[0030] 通過使上述流延的濾液中的溶劑氣化，形成偏氣乙締系聚合物膜的工序D。
[0031] 項5.
[0032] -種膜的制造方法，制造項1或2所述的膜，其中，包括：
[0033] 制備含有偏氣乙締系聚合物和溶劑的液狀組合物的工序A、
[0034] 利用深層權桐式過濾器過濾上述液狀組合物的工序B、
[0035] 使在上述工序B得到的濾液在基材上流延的工序C、
[0036] 通過使上述流延的濾液中的溶劑氣化，形成非極化的偏氣乙締系聚合物膜的工序 D、
[0037] 通過對上述膜進行極化處理，得到極化偏氣乙締系聚合物膜的工序E、及
[0038] 對上述非極化或極化偏氣乙締系聚合物膜進行熱處理的工序F。
[0039] 發明的效果
[0040] 本發明的膜顯示高的電絕緣性，顯示優異的耐電壓性。另外，本發明的膜的制造方 法可W制造顯示高的電絕緣性，顯示優異的耐電壓性的膜。
【具體實施方式】 [004。用語的意義
[0042] 本說明書中，"接觸位置"的"檢測"是指接觸位置的確定，另一方面，"接觸壓"的 "檢測"是指按壓的有無、速度、大小(強弱）、或運些的變化、或運些的組合的確定。
[0043] 本說明書中，用語"接觸"包括觸摸、被觸摸、壓、被壓W及接觸。
[0044] 本說明書中，用語"極化"是指對表面賦予電荷。即，極化膜可W為駐極體。
[0045] H
[0046] 本發明的膜是根據韋布爾分布圖，99%的耐電壓缺陷值為300V/皿W上的偏氣乙 締系聚合物膜。因此，本發明的膜可W顯示高的電絕緣性，顯示優異的耐電壓性。
[0047] 本說明書中，"根據韋布爾分布圖，99%的耐電壓缺陷值為300V/皿W上"是指:對 于膜，一邊W每1分100V的速度升壓，一邊施加電壓，測定至短路為止的耐電壓。將運樣得到 的耐電壓在韋布爾分布中標繪，故障率成為1%時的值為300VAimW上。
[0048] 偏氣乙締系聚合物膜根據韋布爾分布圖的99%的耐電壓缺陷值小于300V/WI1時， 耐電壓低。因此，W壓電體的用途使用該耐電壓缺陷值小于300V/WI1的膜時，在對該膜進行 極化處理的工序中短路，該短路部位燒焦變黑，色調變差。另外，W膜電容器等的施加電壓 而使用的形式使用該耐電壓缺陷值小于300V/WI1的膜時，到規定的電壓之前短路，有可能作 為結果成為次品。
[0049] 本說明書中，"偏氣乙締系聚合物膜"包含包括該聚合物的膜、在該聚合物中分散 有無機物的膜W及含有該聚合物和該聚合物W外的成分的膜等。即，本發明的膜可W含有 該聚合物W外的成分，也可W含有無機物。
[0050] 本發明的膜中該聚合物的含量優選為70質量％ ^上，更優選為75質量％ ^上，進 一步優選為80質量％^上，更進一步優選為90質量％^上。該含量的上限沒有特別限制，例 如，可W為100質量％，也可W為99質量％。
[0051] 本說明書中，作為"偏氣乙締系聚合物膜"的例，可列舉:偏氣乙締/四氣乙締共聚 物膜、偏氣乙締/Ξ氣乙締共聚物膜和聚偏氣乙締膜。
[0052] 上述偏氣乙締系聚合物膜優選為偏氣乙締/四氣乙締共聚物膜。
[0053] 該"偏氣乙締系聚合物膜"可W含有樹脂膜中通常使用的添加劑。
[0054] 該"偏氣乙締系聚合物膜"是由偏氣乙締系聚合物構成的膜，含有偏氣乙締系聚合 物。
[0055] 作為該"偏氣乙締系聚合物"的例，可列舉：
[0056] (1)偏氣乙締和可與其共聚的巧巾W上的單體的共聚物;及
[0化7] (2)聚偏氣乙締。
[0058] 作為該"(1)偏氣乙締和可與其共聚的巧巾W上的單體的共聚物"中的"可與其共聚 的單體"的例，可列舉:Ξ氣乙締、四氣乙締、六氣丙締、Ξ氣氯乙締及氣乙締。
[0059] 該"可與其共聚的巧巾W上的單體"或其中的巧巾優選為四氣乙締。
[0060] 作為該"偏氣乙締系聚合物"的優選例，可列舉偏氣乙締/四氣乙締共聚物。
[0061] 該"偏氣乙締/四氣乙締共聚物"在不顯著地損害與本發明有關的性質的限度內， 可W含有來自偏氣乙締和四氣乙締 W外的單體的重復單元。
[0062] 上述"(1)偏氣乙締和可與其共聚的1種W上的單體的共聚物"含有來自偏氣乙締 的重復單元50摩爾％ ^上(優選為60摩爾％ ^上）。
[0063] 上述"偏氣乙締/四氣乙締共聚物"中的（來自四氣乙締的重復單元)/(來自偏氣乙 締的重復單元)的摩爾比優選為在5/95~36/64的范圍內，更優選為在15/85~25/75的范圍 內，進一步優選為在18/82~22/78的范圍內。
[0064] 上述"偏氣乙締/四氣乙締共聚物"在不顯著地損害與本發明有關的性質的限度 內，可W含有來自偏氣乙締和四氣乙締 W外的單體的重復單元。通常，運種重復單元的含有 率為10摩爾％ ^下。如果運種單體可與偏氣乙締單體、四氣乙締單體共聚，則沒有限定，作 為其例，可列舉：
[00化](1)氣單體(例如，氣乙締(VF)、Ξ氣乙締(TrFE)、六氣丙締化FP)、1-氯-1-氣-乙締 (1,1-CFE)、1-氯-2-氣-乙締（1,2-CFE)、1-氯-2,2-二氣乙締(CDFE)、二氣氯乙締(CT陽）、二 氣乙締基單體、1，1，2-Ξ氣下締-4-漠-1-下締、1，1，2-Ξ氣下締-4-硅烷-1-下締、全氣烷基 乙締基酸、全氣甲基乙締基酸(PMVE)、全氣丙基乙締基酸(PPVE)、全氣丙締酸醋、 氣乙基丙締酸醋、2-(全氣己基）乙基丙締酸醋）；W及（2)控系單體(例如，乙締、丙締、馬來 酸酢、乙締酸、乙締醋、締丙基縮水甘油酸、丙締酸系單體、甲基丙締酸系單體、乙酸乙締醋。 [0066] 本發明的膜的厚度例如在0.5~100皿的范圍內、0.8~50皿的范圍內、0.8~40μπι 的范圍內、3~100皿的范圍內、3~50皿的范圍內、6~50皿的范圍內、9~40皿的范圍內、10 ~40WI1的范圍內或10~30WI1的范圍內。優選的厚度可W根據本發明的膜的用途而不同。例 如，本發明的膜用于接觸面板等的壓電面板的情況下，本發明的膜的厚度優選為在10~40μ m的范圍內，更優選為在10~30μπι的范圍內，本發明的膜用于電潤濕設備的情況下，本發明 的膜的厚度優選為0.5~扣m，更優選為在0.8~2WI1的范圍內，并且本發明的膜用于膜電容 器的情況下，本發明的膜的厚