度優選為在1.5~12μπι的范圍內。
[0067]作為該聚合物W外的成分的一例，可列舉聚合物。在該聚合物W外的聚合物中，優 選丙締酸/甲基丙締酸系聚合物、纖維素衍生物系聚合物、聚醋系聚合物、聚碳酸醋系聚合 物等。特別是將纖維素衍生物系聚合物與偏氣乙締系聚合物混合使用的情況下，在進行誘 鑄涂布時涂料的觸變性也得W改善，因此更優選。作為纖維素衍生物系聚合物，可列舉簇下 基纖維素、簇丙基纖維素、簇乙基纖維素等作為優選例。
[006引作為上述"無機物"的優選例，可列舉無機氧化物顆粒。通過含有該"無機氧化物顆 粒"，本發明的膜可W具有高的介電常數。另外，由此，可W在維持高的介電常數的狀態下， 使體積電阻率大幅度提高。
[0069] 該"無機氧化物顆粒"優選為選自W下的無機氧化物顆粒(Β1)~(Β3)中的至少1 種。
[0070] [無機氧化物顆粒(Β1)]周期表的ΙΙΑ族、ΙΙΙΒ族、IVB族、ΙΙΒ族或ΙΙΙΑ族的金屬元 素的無機氧化物的顆粒或運些的無機氧化物復合顆粒
[0071] 作為上述金屬元素，可列舉:86、1旨^曰、5'、8曰、￥、1'1、2'、211及41等。其中，從通用、 廉價并且體積電阻率高的方面，優選Al、Mg、Y及化的氧化物。
[00巧其中，具體而言，從體積電阻率高的方面考慮，優選選自Al203、MgO、化化、Υ203、BeO 及MgO · AI2O3中的至少巧巾金屬氧化物的顆粒。
[0073] 其中，從比表面積大，向偏氣乙締系聚合物的分散性良好的方面考慮，進一步優選 晶體結構為丫型的Al2〇3。
[0074] [無機氧化物顆粒(82)試:113地\10。1試中，11為1^族金屬元素;12為1￥8族金屬 元素;al為0.9~1.1 ;bl為0.9~1. l;cl為2.8~3.2;m1和M2分別可W為巧巾或巧巾W上的金屬 元素)表示的無機復合氧化物的顆粒
[0075] 作為該"IVB族金屬元素"，優選為例如Ti和Zr。
[0076] 作為該"IIA族金屬元素"，優選為例如MgXa、S;r和Ba。
[0077] 在該"無機復合氧化物的顆粒"中，具體而言，從體積電阻率高的方面考慮，優選選 自8曰11〇3、5'11〇3、(：曰11〇3、]\%1'1〇3、8曰化〇3、5'2'〇3、(：曰化〇3及1邑化〇3中的至少巧中無機氧化物 的顆粒。
[0078] [無機氧化物顆粒(B3)]周期表的IIA族、IIIB族、IVB族、IIB族或IIIA族的金屬元 素的氧化物及氧化娃的無機氧化物復合顆粒
[0079] 該"無機氧化物顆粒(Β3Γ為上述"無機氧化物顆粒(Β1Γ的上述"無機氧化物"及 氧化娃的復合體顆粒。
[0080] 作為該"無機氧化物顆粒(Β3Γ，具體而言，可列舉例如選自3Al2〇3 · 2Si化、2Mg0 . Si〇2、Zr化· Si化及MgO · Si化中的至少巧中無機氧化物的顆粒。
[0081] 上述"無機氧化物顆粒"不一定必需為高介電性，可W根據本發明的膜的用途適當 選擇。例如，若使用通用且廉價的1種金屬氧化物的顆粒(B1)(特別是，Ab化的顆粒及MgO的 顆粒），可W實現體積電阻率的提高。運些1種金屬氧化物的顆粒(Bl)的比介電常數（IkHz， 25°C)通常小于100,優選為10W下。
[0082] 作為上述"無機氧化物顆粒"，W提高介電常數為目的，可W使用強介電性(比介電 常數(1曲z，25°C)為100W上)的無機氧化物顆粒(例如，無機氧化物顆粒(B2)和(B3))。作為 構成強介電性的無機氧化物顆粒(B2)和(B3)的無機材料，可W例示復合金屬氧化物、其復 合體、固溶體及溶膠凝膠體等，但并不僅僅限定于運些。
[0083] 相對于上述"聚合物"100質量份，本發明的膜可W含有上述"無機氧化物顆粒"優 選0.01~300質量份，更優選0.1~100質量份。若上述"無機氧化物顆粒"的含量過多，有可 能難W使上述"無機氧化物顆粒"均勻地分散于上述"聚合物"中，另外，也有可能降低電絕 緣性(耐電壓）。另外，若該含量成為300質量份W上，有可能膜變脆，并且拉伸強度降低。從 該觀點出發，該含量的上限優選為200質量份，更優選為150質量份。若該含量過少，難W得 到電絕緣性的提高效果。從該觀點出發，該含量的下限優選為0.1質量份，更優選為0.5質量 份，進一步優選為1質量份。
[0084] 上述"無機氧化物顆粒"的平均一次粒徑優選小的粒徑，特別優選平均一次粒徑為 lymW下的所謂的納米顆粒。通過運種無機氧化物納米顆粒均勻分散，可少量的配合使 膜的電絕緣性大幅度提高。該平均一次粒徑優選為8(K)nmW下，更優選為500nm W下，進一步 優選為3(K)nmW下。該平均一次粒徑的下限沒有特別限定，從制造的困難性和均勻分散的困 難性、價格的方面考慮，該平均一次粒徑優選為lOnmW上，更優選為20nmW上，進一步優選 為50nmW上。上述"無機氧化物顆粒"的平均一次粒徑利用激光衍射/散射式粒度分布測定 裝置LA-920(商品名）（堀場制作所社)或其同等品計算。
[0085] 上述"無機氧化物顆粒"的比介電常數(25°C，lkHz)優選為10W上。在將膜用作壓 電膜的情況下，從提高該壓電膜的介電常數的觀點出發，該比介電常數優選為100W上，更 優選為300W上。該比介電常數的上限沒有特別限制，通常為3000左右。該"無機氧化物顆 粒"的比介電常數（0(25°C，lkHz)是利用LC時十測定容量(C)，由容量、電極面積(S)、燒結體 的厚度(d)通過式C=ee〇XS/d(e〇真空的介電常數)計算而得的值。
[0086] 根據需要，本發明的膜可W含有親和性提高劑等的其它成分。
[0087] 上述"親和性提高劑"在本發明的膜含有上述"無機氧化物顆粒"的情況下，包含在 本發明的膜中。
[0088] 上述"親和性提高劑"提高上述"無機氧化物顆粒"和上述"聚合物"之間的親和性， 使上述"無機氧化物顆粒"均勻地分散于上述"聚合物"中，使上述"無機氧化物顆粒"和上述 "聚合物"在膜中牢固結合，可W抑制空隙的產生，并且提高比介電常數。
[0089] 作為上述"親和性提高劑"，有效的是偶聯劑、表面活性劑或含環氧基的化合物。
[0090] 作為上述"偶聯劑"的例，可列舉:有機鐵化合物、有機硅烷化合物、有機錯化合物、 有機侶化合物及有機憐化合物。
[0091] 作為上述"有機鐵化合物"的例，可列舉烷氧基鐵、鐵馨合物和酷化鐵等偶聯劑。其 中，從與上述"無機氧化物顆粒"的親和性良好方面考慮，作為優選例，可列舉烷氧基鐵和鐵 馨合物。
[0092] 作為其具體例，可列舉：四異丙基鐵酸醋、異丙氧基辛二醇鐵、二異丙氧基.雙（乙 酷丙酬)鐵、二異丙氧基鐵二異硬脂酸醋、四異丙基雙(二辛基亞憐酸醋)鐵酸醋及異丙基Ξ (正氨基乙基-氨基乙基)鐵酸醋、四（2,2-二締丙氧基甲基-1-下基)雙仁-十Ξ烷基）亞憐 酸醋鐵酸醋。
[0093] 上述"有機硅烷化合物"可W是高分子型，也可W是低分子型，作為其例，可列舉： 單烷氧基硅烷、二烷氧基硅烷、Ξ烷氧基硅烷和四烷氧基硅烷等的烷氧基硅烷。另外，也可 W優選使用乙締基硅烷、環氧基硅烷、氨基硅烷、甲基丙締酷氧基硅烷和琉基硅烷等。
[0094] 使用烷氧基硅烷的情況下，可W通過水解實現作為表面處理的效果的體積電阻率 的進一步的提高（電絕緣性的提高）。
[00Μ]作為上述"有機錯化合物"的例，可列舉烷氧基錯和錯馨合物。
[0096] 作為有機侶化合物的例，可列舉烷氧基侶和侶馨合物。
[0097] 作為有機憐化合物的例，可列舉亞憐酸醋、憐酸醋和憐酸馨合物。
[0098] 作為親和性提高劑的上述"表面活性劑"可W是高分子型，也可W是低分子型，作 為其例，可列舉:非離子性表面活性劑、陰離子性表面活性劑和陽離子性表面活性劑。其中， 從熱穩定性良好的方面考慮，優選高分子型的表面活性劑。
[0099] 作為上述"非離子性表面活性劑"的例，可列舉聚酸衍生物、聚乙締化咯燒酬衍生 物和醇衍生物，其中，從與上述"無機氧化物顆粒"的親和性良好的方面考慮，優選聚酸衍生 物。
[0100] 作為上述"陰離子性表面活性劑"的例，可列舉含有橫酸和簇酸和它們的鹽的聚合 物。其中，從與上述"聚合物"的親和性良好的方面考慮，作為優選例，可列舉:丙締酸衍生物 系聚合物（poly (acrylic acid) derivative)和甲基丙締酸衍生物系聚合物（poly (methacrylic acid)derivative)。
[0101] 作為上述"陽離子性表面活性劑"的例，可列舉:胺化合物和具有咪挫嘟等含氮系 雜環的化合物和其面化鹽。
[0102] 作為上述"親和性提高劑"的"含環氧基的化合物"可W是低分子量化合物，也可W 是高分子量化合物，作為其例，可列舉環氧基化合物和縮水甘油基化合物。其中，從與上述 "聚合物"的親和性特別良好的方面考慮，優選具有1個環氧基的低分子量的化合物。
[0103] 作為上述"含環氧基的化合物"的優選例，特別是從與上述"聚合物"的親和性優異 方面考慮，可列舉式：
[0104] [化學式1]
[0105]
[0106] (式中，R表示可W嵌入氨原子、甲基、氧原子或氮原子的碳數2~10的控基、或可具 有取代基的芳香環基。1表示0或l，m表示0或l，n表示0~10的整數。）表示的化合物。