r>[0217] 本發明的膜可W優選用于光學元件、顯示裝置(顯示器）、可變焦點透鏡、光調制裝 置、光拾取裝置、光記錄再生裝置、顯影裝置、液滴操作裝置、分析設備(例如，需要使用于試 樣的分析的微小的導電性液體移動的化學、生物化學和生物學的分析設備)等中的電潤濕 設備。
[0218] 本發明的膜可W具有高的比介電常數和低的介質損耗角正切。由此，可低的 電壓驅動導電性液體。
[0219] 膜電容器
[0220] 另外，由于本發明的膜可W具有高的比介電常數和低的介質損耗角正切，因此，也 可W作為膜電容器用的膜優選使用。另外，在即使長時間施加電壓也不損害作為偏氣乙締 系樹脂的特征的高介電性的方面，也作為膜電容器用的膜是有利的。
[0221] 采用本發明的膜的膜電容器例如可W通過如下方法得到:得到在本發明的膜的主 面上形成有侶、鋒等金屬膜的電介體膜之后，重疊多層該電介體膜而構成。金屬膜可W通過 蒸鍛等形成。
[0掛]透明覆蓋膜
[0223] 因本發明的膜包括耐候性優異的偏氯乙締系樹脂，并且透明性非常高，從而也可 W用作透明覆蓋膜。運時，例如通過在本發明的膜上層疊聚碳酸醋或PET膜，可W對運些膜 賦予耐候性。
[0224] 由于本發明的膜具有可曉性，因此，可W優選用于各種用途。
[0225] 實施例
[0226] W下，通過實施例，對本發明進行更詳細的說明，但本發明并不限定于此。
[0227] W下，有時用叮陽/VDF"表示偏氣乙締/四氣乙締共聚物中的來自四氣乙締的重復 單元/來自偏氣乙締的重復單元的摩爾比。 帷引實施例1(作為壓電膜的實施例)
[0229] (1)使偏氣乙締/四氣乙締共聚物(TFE/VDF = 20/80)溶解于甲基乙基甲酬(MEK)， 制備固體成分25wt%的涂料，之后，將該涂料用孔徑3皿的深層權桐式過濾器(R0KI TECHNO (株)DIA II系列)進行過濾，由此得到濾液。
[0230] (2)接著，在陽T膜上用模涂布機涂布上述濾液，進一步進行干燥，由此，在陽T膜上 制作偏氣乙締/四氣乙締共聚物膜(共聚物膜的膜厚:25μπ〇。此時，上述干燥如下進行:在將 4個的區域(每1區域2m)的干燥溫度分別設定為50°C/8(rC/12(rC/15(rC的干燥爐中，W周 向速度8m/min進行。
[0231] (3)接著，從PET膜剝下上述共聚物膜，使用金屬電極從上下夾持上述共聚物膜，W 300kV/cm的條件在室溫施加直流電壓5分，由此，使上述共聚物膜極化。
[0232] (4)之后，對進行了極化的上述共聚物膜在90°C的熱風干燥機中進行熱處理(退火 處理)5分，由此得到實施例1的壓電膜。 腳引比較例1(作為壓電膜的比較例)
[0234]除了不用過濾器過濾W外，與實施例1同樣地操作，得到比較例1的壓電膜。 腳引(根據韋布爾分布圖的99%的耐電壓缺陷值的測定方法)
[0236] 最初，對上述實施例1和比較例1的各壓電膜，如下測定(計算)根據韋布爾分布圖 的99%的耐電壓缺陷值(ν/μπι)。具體而言，按照W下的（1)~(5)的步驟進行測定。
[0237] (1)將各膜在銅板上W沒有皺權的方式設置。
[0238] (2)將球電極W與膜接觸的方式設置。
[0239] (3)將極限電流值設定為lmA，W100 V/s進行升壓。
[0240] (4)短路并超過極限電流的時刻成為耐電壓。
[0241] (5)在20cmX 10cm的膜上測定54點耐電壓，在韋布爾分布中標繪。在此，將成為1 % 的故障率的值設為99%的耐電壓缺陷值。
[02創(每Im2的缺陷數的測定方法)
[0243] 接著，對上述實施例1和比較例1的各壓電膜，如下測定(計算)每Im2的缺陷數(短 路破壞部位數)（個/m2)。具體而言，按照W下的（1)~(3)的步驟進行測定。
[0244] (1)對20cmX 10cm的各膜用上述實施例的方法進行極化處理。
[0245] (2)在（1)之后，通過目視計數破壞數。
[0246] (3) W5張膜進行上述操作，將缺陷數換算為m2的個數。
[0247] (外觀評價)
[0248] 接著，對上述實施例1和比較例1的各壓電膜評價外觀。具體而言，按照W下的（1) ~(2)的步驟進行評價。
[0249] (1)將各壓電膜切成寬度100mm X長度100mm。
[0250] (2)通過目視確認在(1)中切出的各壓電膜。
[0251] 將結果示于W下的表。
[0 巧 2][表1]
[0 巧 3]
[0254]由W上的結果得知：在不利用深層權桐式過濾器制作壓電膜的情況下，由于耐電 壓低的缺陷數多，因此，在進行極化時，短路破壞的部位多發，得到黑點多(外觀不良）的膜。 [0城]實施例2(作為膜電容器用膜的實施例)
[0256] (1)將偏氣乙締/四氣乙締共聚物(T陽/VDF = 7/93)90質量份和簇下基纖維素10質 量份進行混合。
[0257] (2)接著，相對于N-甲基化咯燒酬(醒P)和甲基乙基甲酬(M邸）的混合溶劑(匪P: ΜΚ( = 3:7(質量比）），W固體成分成為20wt%的方式使上述共聚物和簇下基纖維素溶解，由 此制備涂料。
[025引 （3)接著，將上述涂料用孔徑3μπι的深層權桐式過濾器(R0KI TECHNO(株)DIA II系 列)進行過濾，由此得到濾液。
[0259] (4)接著，在陽T膜上用模涂布機涂布上述濾液，進一步進行干燥，由此，在陽T膜上 制作含有偏氣乙締/四氣乙締共聚物的膜電容器用膜(膜的膜厚:3μπι)。此時，上述干燥如下 進行:在將4個區域(每1區域2m)的干燥溫度分別設定為170°C/14(rC/14(rC/12(rC的干燥 爐中，W周向速度8m/min進行。
[0260] (5)接著，從PET膜剝下上述膜電容器用膜之后，在上述膜電容器用膜的一個主面 上，W電阻成為4 Ω的方式蒸鍛侶。
[0261] (6)接著，將蒸鍛有上述侶的膜電容器用膜W成為寬度30mm、長度80mm的方式切出 4張，將其4張層疊（重疊），制成層疊體。之后，一邊用2張玻璃板夾持該層疊體，一邊從兩側 的端面取出引線，由此制作印制型（ス夕シク型）的膜電容器。
[0262] 比較例2(作為膜電容器用膜的比較例)
[0263] 除了不用過濾器過濾W外，與實施例2同樣地操作，制作比較例2的膜電容器用膜 和含有該膜的膜電容器。
[0264] (根據韋布爾分布圖的99%的耐電壓缺陷值的測定方法)
[0265] 最初，對上述實施例2和比較例2的各膜電容器用膜，用與實施例1的壓電膜中的測 定(計算)方法相同的方法測定(計算)根據韋布爾分布圖99%的耐電壓缺陷值(ν/μπι)。 [026W (電容器的耐電壓的測定方法)
[0267] 接著，對在上述實施例2和比較例2中得到的各膜電容器，W每1分100V的速度升 壓，測定至短路為止的耐電壓。
[0268] 將結果示于W下的表。
[0269] [表 2]
[0270]
[0271] 由W上的結果得知:不利用深層權桐式過濾器制作電容器用膜和含有該膜的膜電 容器的情況下，該膜的缺陷數多，因此，作為膜電容器的耐電壓變得非常低。
[0272] 工業上的可利用性
[0273] 本發明的膜可W用于接觸面板、膜電容器等。
【主權項】
1. 一種偏氟乙烯系聚合物膜，其特征在于： 根據韋布爾分布圖，99%的耐電壓缺陷值為30〇ν/μπι以上。2. 如權利要求1所述的膜，其特征在于： 所述聚合物膜為壓電膜。3. 如權利要求1所述的膜，其特征在于： 所述聚合物膜為薄膜電容器用膜。4. 一種膜的制造方法，制造權利要求1~3中任一項所述的膜，該制造方法的特征在于， 包括： 制備含有偏氟乙烯系聚合物和溶劑的液狀組合物的工序Α、 利用深層褶裥式過濾器過濾所述液狀組合物的工序Β、 使在所述工序Β得到的濾液在基材上流延的工序C、及 通過使所述流延的濾液中的溶劑氣化，形成偏氟乙烯系聚合物膜的工序D。5. -種膜的制造方法，制造權利要求1或2所述的膜，該制造方法的特征在于，包括： 制備含有偏氟乙烯系聚合物和溶劑的液狀組合物的工序Α、 利用深層褶裥式過濾器過濾所述液狀組合物的工序Β、 使在所述工序Β得到的濾液在基材上流延的工序C、 通過使所述流延的濾液中的溶劑氣化，形成非極化的偏氟乙烯系聚合物膜的工序D、 通過對所述膜進行極化處理，得到極化偏氟乙烯系聚合物膜的工序Ε、及 對所述非極化或極化偏氟乙烯系聚合物膜進行熱處理的工序F。
【專利摘要】本發明的主要課題在于，提供一種顯示高的電絕緣性，顯示優異的耐電壓性的膜及其制造方法。本發明作為解決這種課題的方法，提供一種偏氟乙烯系聚合物膜，其根據韋布爾分布圖，99％的耐電壓缺陷值為300V/μm以上。
【IPC分類】C08J7/00, B29L7/00, B29K27/12, C08J5/18, B29C41/12
【公開號】CN105683265
【申請號】
【發明人】高明天, 金村崇, 向井惠吏, 小谷哲浩
【申請人】大金工業株式會社
【公開日】2016年6月15日
【申請日】2014年10月8日