、甲基二乙氧基硅烷、乙締基二甲氧基硅烷、乙 締基Ξ乙酷氧基硅烷、咪挫硅烷等。運些物質可單獨使用1種，或也可巧巾W上混合使用。
[0195] 相對于聚合物成分化）、固化性成分(F)及固化性聚合物成分化F)的總量100質量 份，硅烷偶聯劑通常W0.1~20質量份、優選為0.2~10質量份、更優選為0.3~5質量份的比 例含有。若硅烷偶聯劑含量不足0.1質量份，會有無法獲得上述效果的可能性，而若超過20 質量份，會有成為逸氣原因的可能性。
[0196] (J)交聯劑
[0197] 為調節粘接劑層的初期粘接力及凝聚力，可添加交聯劑(J)。另外，當添加交聯劑 時，上述丙締酸聚合物化1)中含有反應性官能團。
[0198] 作為交聯劑(J)，可列舉出有機多元異氯酸醋化合物、有機多元亞胺化合物等，可 例示與上述粘著劑層中的交聯劑(C)所例示相同的物質。
[0199] 當使用異氯酸醋類交聯劑時，優選使用具有作為反應性官能團的徑基的丙締酸聚 合物化1)。若交聯劑具有異氯酸醋基、且丙締酸聚合物巧1)具有徑基，則會引發交聯劑與丙 締酸聚合物化1)間的反應，可容易地在粘接劑層中導入交聯結構。
[0200] 當使用交聯劑(J)時，相對于丙締酸聚合物化1)100質量份，交聯劑(J)通常W0.01 ~20質量份、優選為0.1~10質量份、更優選為0.5~5質量份的比例使用。
[0201] 化)通用添加劑
[0202] 在粘接劑層中，除上述之外，視需要可添加各種添加劑。作為各種添加劑，可列舉 出流平劑、可塑劑、抗靜電劑、抗氧化劑、離子捕捉劑、吸氣劑（gettering agent)、鏈轉移 劑、剝離劑等。
[0203] 粘接劑層可使用例如由上述各成分W適當比例混合而獲得的粘接劑組合物而得 到。粘接劑組合物可預先利用溶劑稀釋，或可在混合時添加于溶劑中。此外，也可在粘接劑 組合物使用時，利用溶劑稀釋。
[0204]作為該溶劑，可列舉出醋酸乙醋、醋酸甲醋、二乙酸、二甲酸、丙酬、甲乙酬、乙臘、 己燒、環己燒、甲苯、庚燒等。
[0205] 粘接劑層具有初期粘接性與固化性，在未固化狀態下，于常溫或加熱下通過擠壓 于半導體晶圓便可容易地粘接。此外，在擠壓時可加熱粘接劑層。然后，經固化，即使在嚴苛 的高溫度高濕度條件下仍可保持充分的粘接功能。另外，粘接劑層可為單層結構，亦可為多 層結構。
[0206] 粘接劑層的厚度并無特別的限制。本發明的半導體接合用粘接片通過設置凹凸吸 收層，即使在半導體接合用粘接片的粘接劑層所粘貼的半導體晶圓表面上形成突起狀電 極，半導體接合用粘接片對晶圓表面的突起狀電極的追隨性仍優異，可在該粘接片中埋藏 突起狀電極，因而可將粘接劑層的厚度設為小于突起狀電極的高度。具體而言，粘接劑層的 厚度優選為1~100μL?，更優選為2~80μηι，進一步優選為3~50μηι，突起狀電極的高度優選為 10~150皿，更優選為20~120皿，進一步優選為超過50皿且lOOymW下。此外，通過將粘接劑 層的厚度設定在上述范圍內，粘接劑層可發揮高可靠度粘接劑的功能。
[0207] (半導體接合用粘接片）
[0208] 如上述各層構成的本發明半導體接合用粘接片的結構，如圖1及圖2所示。如圖1及 圖2所示，半導體接合用粘接片10由基材1、凹凸吸收層2、粘著劑層3、及粘接劑層4依次層疊 而成。粘接劑層4可剝離地形成于粘著劑層3上，只要是與半導體晶圓呈大致相同形狀、或完 全包含半導體晶圓形狀的形狀即可，其余并無特別的限定。例如圖1所示，半導體接合用粘 接片10的粘接劑層4調整為與半導體晶圓呈大致相同的形狀、或完全包含半導體晶圓形狀 的形狀，再層疊于由比粘接劑層4更大尺寸的粘著劑層3、凹凸吸收層2及基材1所構成層疊 體上，可得到事前成形結構。此外，如圖2所示，可使粘接劑層4為與由粘著劑層3、凹凸吸收 層2及基材1構成的層疊體相同形狀。
[0209] 此外，圖1所示形式的半導體接合用粘接片中在粘著劑層的表面外周部，圖2所示 形式的半導體接合用粘接片中在粘接劑層的表面外周部，可設置用于固定環形框架等其他 夾具用的夾具粘接層。
[0210] 作為夾具粘接層，可采用由粘著劑層單體構成的粘著部件、由基材與粘著劑層構 成的粘著部件、W及在忍材雙面上設有粘著劑層的雙面粘著部件。
[0211] 夾具粘接層為環狀(ring狀），具有空桐部（內部開口），具有能固定于環形框架等 夾具上的大小。
[0212] 作為形成夾具粘接層的粘著劑層的粘著劑，并無特別的限制，優選為由例如丙締 酸粘著劑、橡膠類粘著劑、或娃酬粘著劑構成。在運之中，若考慮從環形框架的再剝離性，優 選為丙締酸粘著劑。此外，上述粘著劑可單獨使用，也可巧巾W上混合使用。
[0213] 作為夾具粘接層的基材、忍材，可使用與上述基材相同的物質。
[0214] 夾具粘接層的粘著劑層厚度優選為2~20μπι，更優選為3~15μπι，進一步優選為4~ ΙΟμL?，而基材的厚度優選為15~200μπι，更優選為30~150μπι，進一步優選為40~100皿。
[0215] 半導體接合用粘接片的形狀并不僅局限單片，也可為長條帶狀、還可將其卷收。
[0216] 此外，在半導體接合用粘接片上，為能在使用前可保護粘接劑層，可在粘接劑層上 面層疊剝離膜。該剝離膜可使用例如聚對苯二甲酸乙二醇醋膜、在聚丙締膜等塑膠材料上 涂布娃酬樹脂等剝離劑的膜。
[0217] 半導體接合用粘接片的制備方法并無特別的限制，W圖2所示形式的粘接片為例 進行說明。
[0218] 首先，在剝離膜上涂布構成凹凸吸收層的組合物并使其干燥，形成凹凸吸收層。然 后，在凹凸吸收層上層疊基材，并除去剝離膜。
[0219] 另外，當構成凹凸吸收層的組合物為能量線固化型組合物(例如含胺醋聚合物的 固化性組合物)時，在剝離膜上涂布構成凹凸吸收層的組合物并使其干燥，形成涂膜，對涂 膜照射能量線，在剝離膜上形成半固化層。
[0220] 然后，在半固化層上層疊基材，從基材側照射能量線，使半固化層完全固化，在基 材上形成凹凸吸收層。另外，剝離膜在能量線照射工序的前后的任一階段剝離。
[0221] 此外，將粘著劑組合物涂布于剝離膜上并使其干燥，形成未固化的粘著劑層。
[0222] 然后，將未固化的粘著劑層層疊于由上述所獲得的凹凸吸收層上。然后，從剝離膜 側照射能量線，使粘著劑層固化，獲得由依次層疊有基材、凹凸吸收層、粘著劑層及剝離膜 構成的層疊體。
[0223] 此外，將粘接劑組合物涂布于剝離膜上并使其干燥，形成粘接劑層。
[0224] 最后，從上述所獲得層疊體上除去剝離膜，并在露出的粘著劑層上粘貼粘接劑層， 通過轉印，獲得本發明的半導體接合用粘接片。
[0225] 然后，對于本發明半導體接合用粘接片的使用方法，W將該粘接片粘貼于晶圓上， 并適用于半導體裝置的制造的情況為例進行說明。
[0226] (半導體裝置的制造方法）
[0227] 本發明的半導體裝置的制造方法包括有:在晶圓上粘貼上述半導體接合用粘接片 的粘接劑層的工序，W及對晶圓背面實施研削的工序。
[0228] W下，針對本發明半導體裝置的制造方法其中一部分例進行詳述。
[0229] 在本發明半導體裝置的第1制造方法中，首先在表面形成有電路的半導體晶圓的 電路面上，粘貼半導體接合用粘接片。粘貼時，將半導體晶圓的電路面載置于半導體接合用 粘接片的粘接劑層上，輕輕擠壓，依情況在減壓條件下加熱，一邊使粘接劑層軟化一邊固定 半導體晶圓。然后，視需要在利用半導體接合用粘接片保護著半導體晶圓的電路面的狀態 下，研削晶圓的背面形成規定厚度的晶圓。
[0230] 半導體晶圓可為娃晶圓，或者也可為嫁.神等化合物半導體晶圓。晶圓表面上的 電路形成可利用包括蝕刻法、剝脫法等自現有通用方法在內的各種方法實施。在半導體晶 圓的電路形成工序中形成規定的電路。該晶圓研削前的厚度并無特別的限定，通常為500~ 1000WI1左右。此外，半導體晶圓的表面形狀并無特別的限定，可形成突起狀電極。作為突起 狀電極，可列舉出圓柱型電極、球狀電極(凸塊）、貫通半導體晶圓的貫穿電極等。
[0231] 背面研削在粘貼著半導體接合用粘接片的狀態下，通過使用研磨機及供晶圓固定 用吸附臺等的公知手法實施。在背面研削工序后，可實施除去因研削而產生的破碎層的處 理。經背面研削后的半導體晶圓厚度并無特別的限定，優選為10~400μπι，更優選為25~300 WI1左右。根據本發明的半導體接合用粘接片，在晶圓的背面研削時能確實地保持晶圓，且可 防止切削水侵入于電路面，并可防止發生凹點。
[0232] 經背面研削工序后，在晶圓的背面上粘貼通稱"切割片（dicing sheet)"的粘著 片。切割片的粘貼一般利用通稱"貼片機(mounter)"的裝置實施，并無特別的限定。
[0233] 然后，實施切割片上所粘貼晶圓的晶割，對晶圓進行單片化，獲得忍片。
[0234] 當本發明半導體接合用粘接片在粘貼于半導體晶圓的狀態下實施晶割時，半導體 接合用粘接片與晶圓一起被單片化。在該情況下，剝離經單片化的半導體接合用粘接片的 基材、凹凸吸收層及粘著劑層，使粘接劑層殘留于忍片的電路面上。
[0235] 此外，可在實施晶割前，剝離半導體接合用粘接片的基材、凹凸吸收層及粘著劑 層，在粘接劑層殘留于晶圓的電路面上的狀態下實施晶割。
[0236] 另外，剝離半導體接合用粘接片的基材、凹凸吸收層及粘著劑層的方法，并無特別 的限定，例如可列舉在半導體接合用粘接片的基材側，W覆蓋該粘接片的形態下，粘貼粘著 片，再將基材、凹凸吸收層及粘著劑層與粘著片一起除去的方法。
[0237] 半導體晶圓的切斷手段并無特別的限定。作為一例，可列舉出在晶圓切斷時，利用 環形框架固定切割片的周邊部后，通過使用切割機等的旋轉圓刀等公知手法實施晶圓的忍 片化的方法等。此時的切斷深度為半導體接合用粘接片厚度或粘接劑層厚度與半導體晶圓 厚度的總量加上切割銀刀磨耗份的深度。此外，也可利用激光切斷粘接劑層與晶圓。
[0238] 其次，若根據需要實施切割片擴展，則半導體忍片間隔會擴張，可更容易地實施半 導體忍片的拾取。此時，忍片與切割片間發生偏移，而忍片與切割片間的粘接力減小，半導 體忍片的拾取性得到提高。若依此實施半導體忍片的拾取，可使被切斷的粘接劑層固著殘 存于半導體忍片電路面上，從切割片上剝離。
[0239] 然后，實施半導體忍片的焊接工序(粘晶）。焊接工序中，經由粘接劑層將半導體忍 片載置于引線框架的忍片焊墊部上或其他半導體忍片（下段忍片)上等下將忍片所搭載 的忍片焊墊部或下段忍片等，稱為"忍片搭載部"）。載置時的壓力通常為Ik化~200MPa。
[0240] 忍片搭載部可在載置半導體忍片前加熱，也可在載置后實施加熱。加熱溫度通常 為80~200°C、優選為100~180°C，加熱時間通常為0.1秒~5分鐘、優選為0.5秒~3分鐘。 [0241 ]另外，當在忍片表面上形成突起狀電極時，即使因焊接工序中的加熱或壓力，引起 忍片搭載部所接合的突起狀電極產生變形，即使粘接劑層的厚度小于突起狀電極的高度， 粘接劑層也可埋藏忍片與忍片搭載部間，因而可將忍片牢固地粘接于忍片搭載部。
[0242] 將半導體忍片載置于忍片搭載部后，根據需要可在下述樹脂密封時利用加熱進行 的粘接劑層固化外，另外實施為使粘接劑層固化的加熱。此時的加熱條件為上述加熱溫度 范圍內，加熱時間通常為1~180分鐘、優選為10~120分鐘。
[0243] 此外，也可在未實施載置后的加熱處理而呈初步粘著狀態，利用封裝制造中通常 進行的樹脂密封下的加熱，使粘接劑層固化。通過經由此種工序，粘接劑層便會固化，而將 半導體忍片與忍片搭載部予W牢固地粘接，便可固定忍片。因為粘接劑層在粘晶條件下呈 流動化，因而忍片搭載部的凹凸亦能充分地被埋藏，可防止孔桐發生，提高封裝可靠度。
[0244] 在本發明半導體裝置的第2制造方法中，與上述第1制造方法相同，在半導體晶圓 的電路面上粘貼半導體接合用粘接片的粘接劑層，研削晶圓的背面。在背面研削工序后，可 實施除去因研削所產生的破碎層的處理。
[0245] 經背面研削后，從晶圓背面側朝晶圓內部照射激光。激光通過激光源照射。激光光 源為產生波長與相位經整合的光的裝置，作為激光的種類，可列舉產生脈沖激光的Nd-YAG 激光、Nd-YVO激光、Nd-化F激光、鐵藍寶石激光等引發多光子吸收的激光。激光的波長優選 為800~llOOnm、更優選為1064nm。
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