46] 激光照射于晶圓內部，沿預定切斷線在晶圓內部形成改質部。針對一個預定切斷 線掃描激光的次數可為一次，也可為多次。優選為一邊監視激光照射位置、與電路間的預定 切斷線位置，實施激光的對位，一邊實施激光照射。另外，預定切斷線為區分在晶圓表面上 所形成各電路間的假想線。
[0247] 改質部形成后，在晶圓背面上粘貼切割片。然后，使粘接劑層殘留于晶圓的電路面 上，剝離半導體接合用粘接片的基材、凹凸吸收層及粘著劑層。
[0248] 然后，實施在切割片上所粘貼晶圓的晶割，將晶圓單片化，獲得忍片。半導體晶圓 通過擴展切割片而忍片化。即，在利用激光照射而于晶圓內部形成改質部后，若實施擴展， 則切割片會伸長，半導體晶圓會W晶圓內部的改質部為起點被切斷分離為各個忍片。此時， 粘接劑層會被切斷分離為各個忍片尺寸。此外，可在擴展的同時，使用夾具等抓住切割片， 伸長切割片，而將粘接劑層與晶圓依每個忍片切斷分離。擴展優選為在-20~40°C環境下， 依5~600mm/分的速度實施。此外，經擴展工序后，為能消除經擴展切割片的松弛，可實施熱 收縮。然后，拾取表面上設有粘接劑層的忍片，經由焊接工序制得半導體裝置。焊接工序與 上述第1制造方法相同。
[0249] W上詳述的第1制造方法及第2制造方法，只不過例示本發明制造方法其中一部 分，本發明的制造方法可為其他的形式。例如，可為在半導體接合用粘接片粘貼于晶圓前的 階段結束晶圓的背面研削，而在半導體接合用粘接片粘貼后不實施晶圓的背面研削的制造 方法。
[0250] 此外，晶圓的單片化方法可W為從晶圓的表面側形成比晶圓厚度更小深度的溝， 通過對晶圓背面實施研削到達溝而實施單片化的所謂"先晶割法"實施，也可W為如日本專 利特開2004-111428所記載，在從晶圓表面使激光配合忍片形狀入射，在晶圓內部形成改質 區域的工序中，追加研削晶圓背面的工序的晶圓分割方法。
[0251]由上述半導體裝置的制造方法得知，本發明的半導體接合用粘接片可用作能夠適 用于從晶圓背面研削工序起至忍片焊接工序中的背面研磨/黏忍片。
[0巧2]實施例
[0253] W下，針對本發明利用實施例進行說明，本發明并不僅局限于運些實施例。另外， 對于W下的實施例及比較例，各項評價如下述進行實施。
[0254] <70°C下的凹凸吸收層的化ηδ>
[0255] 在實施例的半導體接合用粘接片制作過程中，在剝離膜上所形成的半固化層上， 層疊另一剝離膜(材質、厚度均相同）。接著，從所層疊的剝離膜側實施4次紫外線照射(實施 例及比較例所使用紫外線照射裝置及紫外線源均相同，照射條件為燈高度150mm、燈功率 3kW(換算功率120mW/cm)、光線波長365nm的照度271mW/cm2、照射量1200mJ/cm 2(使用ORCffjU 作所公司制紫外線光量計"υν-35Γ測定）），使半固化層完全固化，形成由2片剝離膜挾持的 厚度150WI1的單層凹凸吸收層。
[0256] W厚度為1~2mm范圍內的方式，層疊多個凹凸吸收層，獲得試樣。使用所獲得試 樣，使用粘彈性測定裝置伽eome化ic公司制產品名"ARES"姐轉剪切方式）），現憶在頻率 IHz (6.28rad/秒)下的-20~120°C儲存彈性模量及損失彈性模量，計算出70°C的損失正接 (化ηδ =損失彈性模量/儲存彈性模量）。
[0257] <凹凸吸收能力的評價>
[0258] 在具有凸塊高度sown的帶有凸塊的晶圓上，將實施例及比較例所制成的半導體接 合用粘接片，使用層疊機裝置化intec股份有限公司制產品名"RAD3810")，于O.lMPa減壓條 件下，一邊將晶圓及半導體接合用粘接片加熱至9(TC 一邊粘貼，于剛粘貼后，使用定壓厚度 測定機(TE化0CK公司制產品名"PG-02")，測定具凸塊部分的總厚"A"(晶圓背面距半導體接 合用粘接片基材面的距離）、與沒有凸塊部分的總厚"B"，計算出"A-B"高低差。
[0259] 高低差越小，意味著因凸塊高度造成的凹凸被埋藏于半導體接合用粘接片中而緩 和。高低差不足10皿的情況評為"良好"，達10皿W上的情況評為"不良"。
[0260] <粘接劑層的剝離性評價>
[0261] 待凹凸吸收能力的評價結束后，從粘接劑層上剝離實施例及比較例的半導體接合 用粘接片的基材、凹凸吸收層及粘著劑層。毫無不良情況地可剝離情況評為"良好"，剝離時 有發生不良情況的情況(凹凸吸收層有發生凝聚破壞的情況等)評為"不良"。
[0262] (實施例1)
[0263] 粘著劑組合物的制備
[0264] 相對于將丙締酸-2-乙基己醋、醋酸乙締醋及丙締酸-2-徑乙醋依50:30:20質量比 例作為原料進行聚合的丙締酸聚合物(玻璃化轉變溫度:-3rC)100質量份，添加甲基丙締 酷氧基乙基異氯酸醋21.4質量份(相對于丙締酸聚合物所具有徑基數為0.8當量），于醋酸 乙醋溶液下，使用作為催化劑的的月桂酸二下錫，于25°C、常壓下進行24小時反應而合成， 獲得能量線固化型聚合物(重均分子量:70萬）。
[0265] 相對于該能量線固化型聚合物100質量份，將光聚合引發劑(BASF公司制IRGACURE 184(1-?環己基苯基酬））3.5質量份、及交聯劑（東洋油墨制造公司制BHS-8515(甲苯二異 氯酸醋類化合物））0.5質量份混合，獲得粘著劑組合物。
[0266] 所獲得粘著劑組合物涂布于剝離片化intec公司制SP-PET3811、厚度:3祉m)的剝 離處理面上并使其干燥，形成粘著劑層。粘著劑層的厚度為ΙΟμπι。另外，干燥處理W10(TC、1 分鐘實施。然后，在23°C、50%相對濕度的環境下保存3天而實施養護。
[0267] 基材與凹凸吸收層的層疊體制備
[0268] 將單官能團胺甲酸乙醋甲基丙締酸醋與雙官能團胺甲酸乙醋甲基丙締酸醋的混 合物40質量份（固體成分比）、丙締酸異冰片醋（IBXAM5質量份（固體成分比）、丙締酸徑丙 醋化PAH5質量份（固體成分比）、季戊四醇四（3-硫醇基下酸醋）[昭和電工股份有限公司制 Karenz MT (注冊商標)PE1 (含二級四官能團的硫醇的化合物、固體成分濃度100質量％ )] 3.5質量份（固體成分比）、W及光聚合引發劑的2-徑基-2-甲基-1-苯基-丙烷-1-酬(BASF公 司制DA民OCUR飯1173、固體成分濃度100質量％)1質量份（固體成分比）進行添加，制備 用于形成凹凸吸收層的組合物(凹凸吸收層用組合物）。
[0269] 其次，將凹凸吸收層用組合物在聚對苯二甲酸乙二醇醋(PET)膜類剝離膜化intec 公司制SP-PET3811、厚度3祉m)上，W噴射模頭方式實施涂布，形成涂膜。涂膜厚度為150WI1。
[0270] 然后，從涂膜側實施紫外線照射，形成半固化層。另外，紫外線照射時，作為紫外線 照射裝置，使用輸送帶式紫外線照射裝置化YE GRAPHICS公司制ECS-401GX)，作為紫外線 源，使用高壓水銀燈化YE GRAPHICS公司制朋4-L41 )，在照射條件為燈高度150mm、燈功率 3kW(換算功率120mW/cm)、光線波長365nm的照度271mW/cm2、照射量177mJ/cm2巧Ij用0RC制作 所公司制紫外線光量計「UV-351」測定)條件下實施。
[0271] 在所形成半固化層上，層疊作為基材的厚度100WI1的PET膜。從基材側更進一步實 施4次紫外線照射(使用上述紫外線照射裝置、紫外線源，照射條件為燈高度150mm、燈功率 3kW(換算功率120mW/cm)、光線波長365nm的照度271mW/cm2、照射量1200mJ/cm 2(使用ORCffjU 作所公司制紫外線光量計「UV-351」測定）），使其完全固化，在基材上形成厚度150WI1的凹凸 吸收層。
[0272] 凹凸吸收層與粘著劑層的層疊
[0273] 使上述所獲得未固化粘著劑層貼合于凹凸吸收層上。然后，從剝離片側使用紫外 線照射裝置(Lintec公司制RAD-2000m/12)，照射紫外線（照度140mW/cm2、光量510mJ/cm 2)， 而使粘著劑層固化。
[0274] 粘接劑組合物的制備
[0275] 粘接劑組合物的各成分如下述。依照下述成分及添加量，添加各成分而制備粘接 劑組合物。各成分的數值表示固體成分換算的質量份，本發明中的固體成分指溶劑W外的 所有成分。
[0276] 化F)由丙締酸正下醋55質量份、丙締酸甲醋10質量份、甲基丙締酸縮水甘油醋20 質量份及丙締酸-2-徑乙醋15質量份構成的丙締酸聚合物(重均分子量:90萬、玻璃化轉變 溫度:-28°C )/100質量份
[0277] (F11-1)雙酪A型環氧樹脂（Japan Epoxy Resins公司制_jER828、環氧當量：235g/ eq)/90質量份
[027引（F11-2)酪醒型環氧樹脂（日本化藥公司制E0CN-104S、環氧當量:218g/eq)/90質 量份
[0279] (F12)熱固化劑:酪醒型酪樹脂(DIC公司制TD-2131、酪性徑基當量：103g/eq)/80 質量份
[0280] (F13)固化促進劑：2-苯基-4，5-二徑甲基咪挫（四國化成工業公司制Curezol 2P監-PW)/1質量份
[0281] (G)無機填料:二氧化娃填料舊產化學公司制MEK-ST、平均粒徑：10~15皿)/50質 量份
[0%2 ] (I)偶聯劑:硅烷偶聯劑(信越化學公司制邸E-403) /3質量份
[0283] 將粘接劑組合物利用甲乙酬W固體成分濃度成為50質量％的方式稀釋，涂布并干 燥于經娃酬處理過的剝離膜化intec股份有限公司制SP-PET381031)上，形成粘接劑層。粘 接劑層的厚度為40μπι。另外，干燥處理利用烤箱W100°C實施1分鐘。
[0284] 然后，使經除去在上述粘著劑層上粘貼的剝離片而露出的粘著劑層、與粘接劑層 貼合，而將粘接劑層轉印于粘著劑層上，便獲得半導體接合用粘接片。
[0285] (實施例2)
[0286] 在基材與凹凸吸收層的層疊體制備中，除將季戊四醇四（3-硫醇基下酸醋）的添加 量設為1.5質量份W外，W與實施例1相同的方式獲得半導體接合用粘接片。
[0287] (比較例1)
[0288] 除未設置粘著劑層而將粘接劑層貼合于凹凸吸收層上W外，W與實施例1相同的 方式獲得半導體接合用粘接片。
[0289] (比較例2)
[0290] 除未設置凹凸吸收層而將粘著劑層直接與基材相粘貼W外，W與實施例1相同的 方式獲得半導體接合用粘接片。
[0巧 1][表 1]
[0292]
[029引附圖標記說明
[0294] 1.基材;2.凹凸吸收層;3.粘著劑層;4.粘接劑層;10.半導體接合用粘接片。
【主權項】
1. 一種半導體接合用粘接片，該粘接片由基材、凹凸吸收層、粘著劑層、及粘接劑層依 次層疊而成， 粘著劑層由能量線固化型粘著劑組合物的固化物構成， 粘接劑層可剝離地形成于粘著劑層上。2. 根據權利要求1所述的半導體接合用粘接片，其中，70°C下的凹凸吸收層的tanS為 0.5以上。3. 根據權利要求1或2所述的半導體接合用粘接片，其中，該粘接片粘貼于表面形成有 突起狀電極的半導體晶圓的表面， 粘接劑層的厚度比突起狀電極的高度小。4. 根據權利要求1~3中任一項所述的半導體接合用粘接片，其中，凹凸吸收層由含胺 酯聚合物的固化性組合物的固化物、或乙烯-α_烯烴共聚物構成。5. -種半導體裝置的制造方法，其使用根據權利要求1~4中任一項所述的半導體接合 用粘接片，其包括： 在晶圓上粘貼半導體接合用粘接片的粘接劑層的工序，以及對晶圓背面實施研削的工 序。
【專利摘要】本發明提供一種半導體接合用粘接片，其可埋藏凸塊電極等突起狀電極，其結果，背面研削性優異。本發明的半導體接合用粘接片由基材、凹凸吸收層、粘著劑層、及粘接劑層依次層疊而成，粘著劑層由能量線固化型粘著劑組合物的固化物構成，粘接劑層可剝離地形成于粘著劑層上。
【IPC分類】C09J7/02, B32B27/00, H01L21/304, C09J201/00
【公開號】CN105683319
【申請號】
【發明人】根津裕介, 加太章生
【申請人】琳得科株式會社
【公開日】2016年6月15日
【申請日】2014年10月28日