專利名稱：彩膜基板及其制造方法和液晶顯示面板的制作方法
技術領域：
本發明涉及液晶顯示器領域，尤其涉及一種彩膜基板及其制造方法和液晶顯示面板。
背景技術：
近年來,薄膜晶體管液晶顯示器(TFT IXD,Thin film transistor IXD)因具有體積小、輻射低等優點而成為液晶顯示領域的主流。TFTLCD包括陣列基板和彩膜基板，陣列基板和彩膜基板之間注入有液晶。液晶取向技術能夠使液晶分子整齊排列在基板表面，從而使液晶顯示器具有良好的顯示均一性、色差、對比度等，是液晶顯示器正常工作的必要條件。目前，摩擦取向技術是彩膜基板制造過程中使用最廣泛的液晶取向技術。摩擦取向技術的一般工藝包括清洗、涂膜、預烘、固化、摩擦。基板上涂布取向材料膜層后，進行預烘、固化等步驟，最后利用尼龍、纖維或棉絨等材料按一定方向摩擦液晶取向膜，使薄膜表面狀況發生改變以形成取向膜層，從而使液晶分子在兩片玻璃基板上整齊排列。一般而言，在彩膜基板上可以通過涂布取向液而形成取向膜。具體來說，如圖I所示，彩膜基板包括玻璃基板P，在玻璃基板P上形成有黑矩陣2'，黑矩陣2'之間形成有彩色像素單元，每個彩色像素單元都包括紅色亞像素單元3'、綠色亞像素單元4'和藍色亞像素單元5'(圖中用不同的陰影線表示)，這三個亞像素單元與黑矩陣2'之間具有像素段差。以紅色亞像素單元3'為例，紅色亞像素單元3'附著在兩個黑矩陣2'之間，且在黑矩陣2'的上部堆積形成了突起，所述突起的高度即為所述像素段差。這樣，在涂布取向液以形成取向膜6'的時候，現有取向膜6'的厚度較小，如大約在900埃(I埃=O. I納米)左右，由于像素段差(大約在O. 5微米左右)的存在，使得取向膜K的表面與玻璃基板P之間高度在所述突起的位置處較大、而在其余位置處較小，從而使得取向膜6'的表面明顯凹凸不平，均一性不好，并導致液晶顯示面板質量降低，容易出現小亮點、漏光等現象。
發明內容
本發明的實施例提供一種彩膜基板及其制造方法和液晶顯示面板，以使液晶屏表面具有顯示均一性，提高液晶面板顯示質量。為達到上述目的，本發明的實施例采用如下技術方案
本發明實施例提供了一種彩膜基板，包括玻璃基板，所述玻璃基板上形成有黑矩陣，所述黑矩陣之間形成有彩色像素單元，在所述彩色像素單元與所述黑矩陣的交接處，所述彩色像素單元在所述黑矩陣上堆積形成有突起，所述黑矩陣和彩色像素單元上形成有取向膜，所述取向膜的厚度大于所述突起的厚度，且位于所述突起上方的所述取向膜的厚度小于位于所述黑矩陣和彩色像素單元的其余部位上方的所述取向膜的厚度，使所述取向膜的表面與所述玻璃基板之間的高度趨于一致。
本發明實施例另外提供了一種彩膜基板的制造方法，包括提供一玻璃基板；在玻璃基板上形成黑矩陣；在黑矩陣之間形成彩色像素單元，在所述彩色像素單元與所述黑矩陣的交接處，所述彩色像素單元在所述黑矩陣上堆積形成有突起；在黑矩陣和彩色像素單元上形成取向膜，所述取向膜的厚度大于所述突起的厚度，且位于所述突起上方的所述取向膜的厚度小于位于所述黑矩陣和彩色像素單元的其余部位上方的所述取向膜的厚度，使所述取向膜的表面與所述玻璃基板之間的高度趨于一致。本發明實施例另外還提供了一種液晶顯示面板，包括彩膜基板和與所述彩膜基板對盒設置的陣列基板，在所述彩膜基板和陣列基板之間滴注有液晶，其中所述彩膜基板包括玻璃基板，所述玻璃基板上形成有黑矩陣，所述黑矩陣之間形成有彩色像素單元，在所述彩色像素單元與所述黑矩陣的交接處，所述彩色像素單元在所述黑矩陣上堆積形成有突起，所述黑矩陣和彩色像素單元上形成有取向膜，所述取向膜的厚度大于所述突起的厚度，且位于所述突起上方的所述取向膜的厚度小于位于所述黑矩陣和彩色像素單元的其余部位上方的所述取向膜的厚度，使所述取向膜的表面與所述玻璃基板之間的高度趨于一致。本發明提供了一種彩膜基板及其制造方法和液晶顯示面板，所述玻璃基板上形成有黑矩陣，所述黑矩陣之間形成有彩色像素單元，每個彩色像素單元都包括紅色亞像素單元、綠色亞像素單元和藍色亞像素單元，在彩色像素單元與黑矩陣的交接處，各亞像素單元在黑矩陣的上部堆積，所以在黑矩陣上形成突起。在黑矩陣和彩色像素單元上涂布取向液，形成取向膜，由于所述取向膜的厚度大于所述突起，所以在涂布取向液的時候比較容易控制，因此容易使得位于所述突起上方的所述取向膜的厚度小于位于所述黑矩陣和彩色像素單元的其余部位上方的所述取向膜的厚度，使所述取向膜的表面與所述玻璃基板之間的高度趨于一致，從而便于形成比較平坦的取向膜。這樣，在比較平坦的取向膜表面摩擦能夠獲得較好的取向性能，可以使液晶分子均勻分布，從而使液晶屏表面具有顯示均一性，不會出現小売點、漏光等現象，提聞液晶顯不面板質量。
圖1為現有技術彩膜基板的結構示意圖；圖2為本發明實施例彩膜基本的平面結構示意圖；圖3為圖2所示彩膜基板沿A-A線的截面示意圖；圖4為本發明實施例彩膜基板制造方法的流程圖；圖5為圖4所示彩膜基板制造方法的詳細流程圖；圖6為圖4所示彩膜基板制造方法的另一種詳細流程圖；圖7為本發明實施例AD-SDS顯示模式下彩膜基板的制造方法示意圖；圖8為本發明實施例TN顯示模式下彩膜基板的制造方法示意圖。
具體實施例方式下面結合附圖對本發明實施例一種彩膜基板及其制造方法和液晶顯示面板進行詳細描述。
如圖2和圖3所示，為本發明的一個具體實施例。本實施例中，所述彩膜基板包括玻璃基板1，玻璃基板I上形成有黑矩陣2，黑矩陣2之間形成有彩色像素單元，在所述彩色像素單元與黑矩陣2的交接處，所述彩色像素單元在黑矩陣2上堆積形成有突起，黑矩陣2和彩色像素單元上形成有取向膜6，取向膜6的厚度大于所述突起的厚度，且位于所述突起上方的取向膜6的厚度小于位于黑矩陣2和彩色像素單元的其余部位上方的取向膜6的厚度，使取向膜6的表面與玻璃基板I之間的高度趨于一致。本發明提供了一種彩膜基板，玻璃基板I上形成有黑矩陣2，黑矩陣2之間形成有彩色像素單元，每個彩色像素單元都包括紅色亞像素單元3、綠色亞像素單元4和藍色亞像素單元5，在彩色像素單元與黑矩陣2的交接處，各亞像素單元在黑矩陣2的上部堆積，所以在黑矩陣2上形成突起。在黑矩陣2和彩色像素單元上涂布取向液，形成取向膜6，由于取向膜6的厚度大于所述突起，所以在涂布取向液的時候比較容易控制，因此容易使得位于所述突起上方的取向膜6的厚度小于位于黑矩陣2和彩色像素單元的其余部位上方的取向膜6的厚度，使取向膜6的表面與玻璃基板I之間的高度趨于一致，從而便于形成比較平坦的取向膜6。這樣，在平坦的取向膜6表面摩擦能夠獲得較好的取向性能，可以使液晶分子均勻分布，從而使液晶屏表面具有顯示均一性，不會出現小亮點、漏光等現象，提高液晶顯示面板質量。其中，取向膜6的材料可以為聚酰亞胺樹脂或丙烯酸樹脂等。聚酰亞胺PI (英文名Polyimide)是一種常見的取向材料，具有耐高溫、抗腐蝕、易成膜等優點。本發明實施例優選使用同時兼具保護和取向兩個功能的感光性樹脂，例如丙烯酸樹脂。所述保護功能，是指樹脂自身具有平坦性，可以在黑矩陣2和彩色像素單元上形成比較平坦的薄膜。目前，實際可控制的像素段差，也就是黑矩陣2上的突起的厚度在O.5微米以下，因此為了使取向膜6的厚度大于所述突起的厚度，并且易于控制，以使位于所述突起上方的取向膜6的厚度小于位于黑矩陣2和彩色像素單元的其余部位上方的取向膜6的厚度，本發明可以設定取向膜6的厚度為1-3微米，優選地設定取向膜6的厚度為2微米。如圖4所示，為本發明一種彩膜基板的制造方法的具體實施例。本實施例中，所述彩膜基板的制造方法包括如下步驟S10，提供一玻璃基板；S20，在玻璃基板上形成黑矩陣；S30，在黑矩陣之間形成彩色像素單元，在所述彩色像素單元與所述黑矩陣的交接處，所述彩色像素單元在所述黑矩陣上堆積形成有突起；S40，在黑矩陣和彩色像素單元上形成取向膜，所述取向膜的厚度大于所述突起的厚度，且位于所述突起上方的所述取向膜的厚度小于位于所述黑矩陣和彩色像素單元的其余部位上方的所述取向膜的厚度，使所述取向膜的表面與所述玻璃基板之間的高度趨于一致。本發明提供了一種彩膜基板的制造方法，所述玻璃基板上形成有黑矩陣，所述黑矩陣之間形成有彩色像素單元，每個彩色像素單元都包括紅色亞像素單元、綠色亞像素單元和藍色亞像素單元，在彩色像素單元與黑矩陣的交接處，各亞像素單元在黑矩陣的上部堆積，所以在黑矩陣上形成突起。在黑矩陣和彩色像素單元上涂布取向液，形成取向膜，由于所述取向膜的厚度大于所述突起，所以在涂布取向液的時候比較容易控制，因此容易使得位于所述突起上方的所述取向膜的厚度小于位于所述黑矩陣和彩色像素單元的其余部位上方的所述取向膜的厚度，使所述取向膜的表面與所述玻璃基板之間的高度趨于一致，從而便于形成比較平坦的取向膜。這樣，在平坦的取向膜表面摩擦能夠獲得較好的取向性能，可以使液晶分子均勻分布，從而使液晶屏表面具有顯示均一性，不會出現小亮點、漏光等現象，提聞液晶顯不面板質量。其中，所述步驟S40，在黑矩陣和彩色像素單元上形成取向膜，具體包括以下方式第一種方式在黑矩陣和彩色像素單元上直接形成取向膜；第二種方式在黑矩陣和彩色像素單元上形成公共電極，在公共電極上形成取向膜。以下將分別介紹所述第一種方式和所述第二種方式的步驟。如圖5所示，所述第一種方式，在黑矩陣和彩色像素單元上直接形成取向膜，具體包括S41，在玻璃基板表面沉積氧化銦錫金屬薄膜，形成公共電極層；S42，在形成有公共電極層的玻璃基板表面形成黑矩陣和彩色像素單元；S43，在形成有黑矩陣和彩色像素單元的玻璃基板表面涂布取向液，進行預烘和固化后形成取向材料薄膜，摩擦所述取向材料薄膜，形成取向膜。高級超維場開關技術(Advanced-SuperDimensional Switching ;簡稱AD_SDS)通過同一平面內像素電極邊緣所產生的平行電場以及像素電極層與對電極層間產生的縱向電場形成多維空間復合電場，使液晶盒內像素電極間、電極正上方以及液晶盒上方所有取向液晶分子都能夠產生旋轉轉換，從而提高了平面取向系液晶工作效率并增大了透光效率。高級超維場開關技術可以提高TFT-IXD畫面品質，具有高透過率、寬視角、高開口率、低色差、低響應時間、無擠壓水波紋(push Mura)波紋等優點。上述方式與AD-SDS顯示模式下在黑矩陣和彩色像素單元上形成取向膜的方式相同。如圖6所示，所述第二種方式，在黑矩陣和彩色像素單元上形成公共電極，在公共電極上形成取向膜，具體包括S44，在玻璃基板表面形成黑矩陣和彩色像素單元；S45，在形成有黑矩陣和彩色像素單元的玻璃基板表面沉積氧化銦錫金屬薄膜，形成公共電極層；
S46，在形成有公共電極層的玻璃基板表面涂布取向液，進行預烘和固化后形成取向材料薄膜，摩擦所述取向材料薄膜，形成取向膜。該方式與TNCTwisted Nematic，扭曲向列)顯示模式下在黑矩陣和彩色像素單元上形成取向膜的方式相同。上述在黑矩陣和彩色像素單元上形成取向膜的方式中，公共電極層可以起到靜電屏蔽的作用。下面以AD-SDS顯示模式和TN顯示模式下的具體實例來說明本發明實施例中的彩膜基板制造方法。
實例一如圖7所示，為在AD-SDS顯示模式下制造彩膜基板的結構示意圖，所述制造彩膜基板的步驟包括S51，提供一玻璃基板I ;S52，采用磁控濺射的方法在玻璃基板的下表面沉積一層氧化銦錫金屬薄膜，形成氧化銦錫金屬公共電極層7 ；S53，在形成有氧化銦錫金屬公共電極層7的玻璃基板I的上表面涂布一層黑矩陣樹脂材料薄膜，使用掩模板進行曝光和顯影處理，獲得完全曝光區域和未曝光區域，所述未曝光區域對應黑矩陣圖形，所述完全曝光區域對應不需要黑矩陣圖形的其他區域，對所述 完全曝光區域刻蝕，在所述玻璃基板上形成黑矩陣層2 ；S54，在形成有黑矩陣圖形層2的玻璃基板I的上表面涂布一層紅色亞像素樹脂材料薄膜，使用掩模板進行曝光和顯影處理，獲得完全曝光區域和未曝光區域，所述未曝光區域對應紅色亞像素圖形，所述完全曝光區域對應不需要紅色亞像素圖形的其他區域，對所述完全曝光區域刻蝕，在所述玻璃基板上形成紅色亞像素層3 ；S55，在形成有紅色亞像素層3的玻璃基板I的上表面涂布一層綠色亞像素樹脂材料薄膜，使用掩模板進行曝光和顯影處理，獲得完全曝光區域和未曝光區域，所述未曝光區域對應綠色亞像素圖形，所述完全曝光區域對應不需要綠色亞像素圖形的其他區域，對所述完全曝光區域刻蝕，在所述玻璃基板上形成綠色亞像素層4 ；S56，在形成有綠色亞像素層4的玻璃基板I的上表面涂布一層藍色亞像素樹脂材料薄膜，使用掩模板進行曝光和顯影處理，獲得完全曝光區域和未曝光區域，所述未曝光區域對應藍色亞像素圖形，所述完全曝光區域對應不需要藍色亞像素圖形的其他區域，對所述完全曝光區域刻蝕，在所述玻璃基板上形成藍色亞像素層5 ；S57，在形成有藍色亞像素層5的玻璃基板I的上表面涂布一層隔墊物樹脂材料層，使用掩模板進行曝光和顯影處理，獲得完全曝光區域和未曝光區域，所述未曝光區域對應隔墊物圖形，所述完全曝光區域對應不需要隔墊物圖形的其他區域，對所述完全曝光區域刻蝕，在所述玻璃基板上形成隔墊物層8 ；S58，在形成有隔墊物層8的玻璃基板I表面采用卷對卷制程或旋轉涂膜法涂布一層取向液，形成取向材料膜層，進行預烘和固化等步驟后形成取向材料薄膜，摩擦所述取向材料薄膜層，形成取向膜6。本實例說明AD-SDS顯示模式下彩膜基板的制造方法。在本實例中，彩膜基板的取向膜由PI膜構成，其中PI膜為由聚酰亞胺樹脂材料形成的取向膜。實例二本實例同樣為在AD-SDS顯示模式下彩膜基板的制造方法，所述彩膜基板的制造方法與實例一中的方法相同，具體步驟同樣如圖7所示。本實例與實例一不同的地方在于，本實例中彩膜基板的取向膜由同時具有保護和取向功能的感光樹脂構成，例如丙烯酸樹脂。由于所述取向膜同時具有保護和取向功能，所以所述取向膜自身便能形成比較平坦的薄膜，在涂敷取向液時，取向液不會產生局部過厚或過薄，從而可以使液晶取向一致。實例三
如圖8所示，為在TN顯示模式下制造彩膜基板的結構示意圖，所述制造彩膜基板的步驟包括S61，提供一玻璃基板I ;S62，在玻璃基板I表面涂布黑矩陣樹脂材料薄膜，使用掩模板進行曝光和顯影處理，獲得完全曝光區域和未曝光區域，所述未曝光區域對應黑矩陣圖形，所述完全曝光區域對應不需要黑矩陣圖形的其他區域，對所述完全曝光區域刻蝕形成黑矩陣層2 ；S63，在形成有黑矩陣層2的玻璃基板I表面涂布紅色亞像素樹脂材料薄膜，使用掩模板進行曝光和顯影處理，獲得完全曝光區域和未曝光區域，所述未曝光區域對應紅色亞像素圖形，所述完全曝光區域對應不需要紅色亞像素圖形的其他區域，對所述完全曝光區域刻蝕形成紅色亞像素層3 ；S64，在形成有紅色亞像素層3的玻璃基板I表面涂布綠色亞像素樹脂材料薄膜，使用掩模板進行曝光和顯影處理，獲得完全曝光區域和未曝光區域，所述未曝光區域對應綠色亞像素圖形，所述完全曝光區域對應不需要綠色亞像素圖形的其他區域，對所述完全曝光區域刻蝕形成綠色亞像素層4 ；S65，在形成有綠色亞像素層4的玻璃基板I表面涂布藍色亞像素樹脂材料薄膜，使用掩模板進行曝光和顯影處理，獲得完全曝光區域和未曝光區域，所述未曝光區域對應藍色亞像素圖形，所述完全曝光區域對應不需要藍色亞像素圖形的其他區域，對所述完全曝光區域刻蝕形成藍色亞像素層5 ；S66，采用磁控濺射的方法，在形成有紅色亞像素層3、綠色亞像素層4和藍色亞像素層5的玻璃基板I表面沉積氧化銦錫金屬薄膜，形成公共電極層7 ；S67，在形成有公共電極層7的玻璃基板I表面涂布隔墊物樹脂材料薄膜，使用掩模板進行曝光和顯影處理，獲得完全曝光區域和未曝光區域，所述未曝光區域對應隔墊物圖形，所述完全曝光區域對應不需要隔墊物圖形的其他區域，對所述完全曝光區域刻蝕，形成隔墊物層8 ；S68，在形成有隔墊物層8的玻璃基板I表面采用卷對卷制程或旋轉涂膜法涂布取向液，進行預烘和固化后形成取向材料薄膜，摩擦所述取向材料薄膜，形成取向膜6。本實例說明TN顯示模式下彩膜基板的制造方法。在本實例中，彩膜基板的取向膜由PI膜構成，其中PI膜為由聚酰亞胺樹脂材料形成的取向膜。實例四本實例同樣為在TN顯示模式下彩膜基板的制造方法，所述彩膜基板的制造方法與實例三中的方法相同，具體步驟同樣如圖8所示。本實例與實例三不同的地方在于，本實例中彩膜基板的取向膜由同時具有保護和取向功能的感光樹脂構成，例如丙烯酸樹脂。由于所述取向膜同時具有保護和取向功能，所以所述取向膜自身便能形成比較平坦的薄膜，在涂布取向液時，取向液不會產生局部過厚或過薄，從而可以使液晶取向一致。公共電極層7在此主要實現靜電屏蔽。 目前，實際可控制的像素段差，也就是黑矩陣2上的突起的厚度在O.5微米以下，因此為了使取向膜的厚度大于所述突起的厚度，并且易于控制，以使位于所述突起上方的取向膜6的厚度小于位于黑矩陣2和彩色像素單元的其余部位上方的取向膜6的厚度，本發明以上四個實例中可以設定取向膜6的厚度為1-3微米，優選地設定取向膜6的厚度為2微米。本發明實施例還提供了一種液晶顯示面板，所述液晶顯示面板包括彩膜基板和與所述彩膜基板對盒設置的陣列基板，在所述彩膜基板和陣列基板之間滴注有液晶，其中參見圖2和圖3所示，所述彩膜基板包括玻璃基板1，玻璃基板I上形成有黑矩陣2，黑矩陣2之間形成有彩色像素單元，在所述彩色像素單元與黑矩陣2的交接處，所述彩色像素單元在黑矩陣2上堆積形成有突起，黑矩陣2和彩色像素單元上形成有取向膜6，取向膜6的厚度大于所述突起的厚度，且位于所述突起上方的取向膜6的厚度小于位于黑矩陣2和彩色 像素單元的其余部位上方的取向膜6的厚度，使取向膜6的表面與玻璃基板I之間的高度趨于一致。本發明提供了一種液晶顯示面板，玻璃基板I上形成有黑矩陣2，黑矩陣2之間形成有彩色像素單元，每個彩色像素單元都包括紅色亞像素單元3、綠色亞像素單元4和藍色亞像素單元5，在彩色像素單元與黑矩陣2的交接處，各亞像素單元在黑矩陣2的上部堆積，所以在黑矩陣2上形成突起。在黑矩陣2和彩色像素單元上涂布取向液，形成取向膜6，由于取向膜6的厚度大于所述突起，所以在涂布取向液的時候比較容易控制，因此容易使得位于所述突起上方的取向膜6的厚度小于位于黑矩陣2和彩色像素單元的其余部位上方的取向膜6的厚度，使取向膜6的表面與所述玻璃基板之間的高度趨于一致，從而便于形成比較平坦的取向膜6。這樣，在比較平坦的取向膜6表面摩擦能夠獲得較好的取向性能，可以使液晶分子均勻分布，從而使液晶屏表面具有顯示均一性，不會出現小亮點、漏光等現象，提聞液晶顯不面板質量。其中，取向膜6的材料可以為聚酰亞胺樹脂或丙烯酸樹脂等。聚酰亞胺PI是一種常見的取向材料，具有耐高溫、抗腐蝕、易成膜等優點。本發明實施例優選使用同時兼具保護和取向兩個功能的感光性樹脂，例如丙烯酸樹脂。所述保護功能，是指樹脂自身具有平坦性，可以在黑矩陣2和彩色像素單元上形成比較平坦的薄膜。目前，實際可控制的像素段差，也就是黑矩陣2上的突起的厚度在O.5微米以下，因此為了使取向膜的厚度大于所述突起的厚度，并且易于控制，以使位于所述突起上方的取向膜6的厚度小于位于黑矩陣2和彩色像素單元的其余部位上方的取向膜6的厚度，本發明可以設定取向膜6的厚度為1-3微米，優選地設定取向膜6的厚度為2微米。以上所述，僅為本發明的具體實施方式
，但本發明的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本技術領域的技術人員在本發明揭露的技術范圍內，可輕易想到變化或替換，都應涵蓋在本發明的保護范圍之內。因此，本發明的保護范圍應以所述權利要求的保護范圍為準。
權利要求
1.一種彩膜基板，包括玻璃基板，所述玻璃基板上形成有黑矩陣，所述黑矩陣之間形成有彩色像素單元，在所述彩色像素單元與所述黑矩陣的交接處，所述彩色像素單元在所述黑矩陣上堆積形成有突起，其特征在于，所述黑矩陣和彩色像素單元上形成有取向膜，所述取向膜的厚度大于所述突起的厚度，且位于所述突起上方的所述取向膜的厚度小于位于所述黑矩陣和彩色像素單元的其余部位上方的所述取向膜的厚度，使所述取向膜的表面與所述玻璃基板之間的高度趨于一致。
2.根據權利要求I所述的彩膜基板，其特征在于，所述取向膜材料包括聚酰亞胺樹脂或丙烯酸樹脂。
3.根據權利要求I所述的彩膜基板，其特征在于，所述取向膜的厚度為1-3微米。
4.一種彩膜基板的制造方法，其特征在于，包括 提供一玻璃基板； 在玻璃基板上形成黑矩陣； 在黑矩陣之間形成彩色像素單元，在所述彩色像素單元與所述黑矩陣的交接處，所述彩色像素單元在所述黑矩陣上堆積形成有突起； 在黑矩陣和彩色像素單元上形成取向膜，所述取向膜的厚度大于所述突起的厚度，且位于所述突起上方的所述取向膜的厚度小于位于所述黑矩陣和彩色像素單元的其余部位上方的所述取向膜的厚度，使所述取向膜的表面與所述玻璃基板之間的高度趨于一致。
5.根據權利要求4所述的彩膜基板的制造方法，其特征在于，所述在黑矩陣和彩色像素單元上形成取向膜，具體為 在黑矩陣和彩色像素單元上直接形成取向膜；或 在黑矩陣和彩色像素單元上形成公共電極，在公共電極上形成取向膜。
6.根據權利要求5所述的彩膜基板的制造方法，其特征在于，在黑矩陣和彩色像素單元上直接形成取向膜具體包括 在玻璃基板表面沉積氧化銦錫金屬薄膜，形成公共電極層； 在形成有公共電極層的玻璃基板表面形成黑矩陣和彩色像素單元； 在形成有黑矩陣和彩色像素單元的玻璃基板表面涂布取向液，進行預烘和固化后形成取向材料薄膜，摩擦所述取向材料薄膜，形成取向膜。
7.根據權利要求5所述的彩膜基板的制造方法，其特征在于，在黑矩陣和彩色像素單元上形成公共電極，在公共電極上形成取向膜具體包括 在玻璃基板表面形成黑矩陣和彩色像素單元； 在形成有黑矩陣和彩色像素單元的玻璃基板表面沉積氧化銦錫金屬薄膜，形成公共電極層； 在形成有公共電極層的玻璃基板表面涂布取向液，進行預烘和固化后形成取向材料薄膜，摩擦所述取向材料薄膜，形成取向膜。
8.根據權利要求4所述的彩膜基板的制造方法，其特征在于，所述取向膜材料包括聚酰亞胺樹脂或丙烯酸樹脂。
9.根據權利要求4所述的彩膜基板的制造方法，其特征在于，所述取向膜的厚度為1-3微米。
10.一種液晶顯示面板，包括彩膜基板和與所述彩膜基板對盒設置的陣列基板，在所述彩膜基板和陣列基板之間滴注有液晶，其中所述彩膜基板包括玻璃基板，所述玻璃基板上形成有黑矩陣，所述黑矩陣之間形成有彩色像素單元，在所述彩色像素單元與所述黑矩陣的交接處，所述彩色像素單元在所述黑矩陣上堆積形成有突起，其特征在于，所述黑矩陣和彩色像素單元上形成有取向膜，所述取向膜的厚度大于所述突起的厚度，且位于所述突起上方的所述取向膜的厚度小于位于所述黑矩陣和彩色像素單元的其余部位上方的所述取向膜的厚度，使所述取向膜的表面與所述玻璃基板之間的高度趨于一致。
11.根據權利要求10所述的液晶顯示面板，其特征在于，所述取向膜材料包括聚酰亞胺樹脂或丙烯酸樹脂。
12.根據權利要求10所述的液晶顯示面板，其特征在于，所述取向膜的厚度為1-3微米。
全文摘要
本發明公開了一種彩膜基板及其制造方法和液晶顯示面板，涉及液晶顯示器領域，為使液晶屏表面具有顯示均一性而發明。所述彩膜基板，包括玻璃基板，所述玻璃基板上形成有黑矩陣，所述黑矩陣之間形成有彩色像素單元，在所述彩色像素單元與所述黑矩陣的交接處，彩色像素單元在黑矩陣上堆積形成有突起，所述黑矩陣和彩色像素單元上形成有取向膜，所述取向膜的厚度大于所述突起的厚度，且位于所述突起上方的所述取向膜的厚度小于位于所述黑矩陣和彩色像素單元的其余部位上方的所述取向膜的厚度，使所述取向膜的表面與所述玻璃基板之間的高度趨于一致。本發明還提供了一種彩膜基板制造方法和液晶顯示面板。本發明可用于制作液晶顯示器。
文檔編號G02F1/1335GK102629025SQ20111010117
公開日2012年8月8日 申請日期2011年4月21日 優先權日2011年4月21日
發明者吳瑤, 周麗佳, 王遠, 金楻, 隆清德 申請人:京東方科技集團股份有限公司, 成都京東方光電科技有限公司