技術總結
本發明公開了一種基于激光控制納米結構硅基表面形態的研究方法：一、分別用不同導熱率的材料接觸納米結構的硅基板；二、激光照射納米結構的硅基板表面；三、觀察硅基表面形態，并測量硅基表面凸起的長徑比。四、總結硅基表面形態的變化規律。本發明具有如下特點：其一，通過接觸材料的導熱率來改變納米結構硅基表面形態。其二，用激光對納米結構硅基板進行照射，清潔、環保、不產生任何污染。其三，改變納米結構硅基表面形態所需的時間短，效率高。
技術研發人員：張俐楠;程從秀;鄭偉;吳立群;王洪成
受保護的技術使用者：杭州電子科技大學
文檔號碼：201611150104
技術研發日：2016.12.13
技術公布日：2017.05.31