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[0061] 掌握工序，分別準備熱塑性液晶聚合物薄膜作為被粘物薄膜和膠粘性薄膜，對于 上述熱塑性液晶聚合物薄膜的被膠粘表面部，通過X射線光電子能譜分析掌握[C-0鍵]和 [C00鍵]的峰面積之和在由C(1S)引起的鍵峰的峰面積的合計中所占的％比率:X( % )和Y (%);和
[0062] 調節工序，W使上述X和Y滿足下述式（1)和式(2)的方式對作為膠粘性薄膜的熱塑 性液晶聚合物薄膜進行選擇或活化處理。
[0063] 38 <X巧 <65 (1)
[0064] -8.0<Υ-Χ<8.0 (2)
[0065] (熱塑性液晶聚合物薄膜）
[0066] 作為被粘物和膠粘性薄膜使用的熱塑性液晶聚合物薄膜由能夠烙融成形的液晶 性聚合物形成，該熱塑性液晶聚合物只要是能夠烙融成形的液晶性聚合物，則特別是對于 其化學構成沒有特別限定，例如可W列舉熱塑性液晶聚醋或者在其中導入有酷胺鍵的熱塑 性液晶聚醋酷胺等。
[0067] 另外，熱塑性液晶聚合物可W是在芳香族聚醋或芳香族聚醋酷胺中進一步導入有 酷亞胺鍵、碳酸醋鍵、碳二亞胺鍵或異氯脈酸醋鍵等來源于異氯酸醋的鍵等的聚合物。
[0068] 作為本發明中使用的熱塑性液晶聚合物的具體例，可W列舉由分類成W下例示的 (1)至（4)的化合物及其衍生物導出的公知的熱塑性液晶聚醋和熱塑性液晶聚醋酷胺。但 是，為了形成可形成光學各向異性的烙融相的聚合物，各種原料化合物的組合存在適當的 范圍，運是不旨而喻的。
[0069] (1)芳香族或脂肪族二徑基化合物(代表例參考表1)
[0070] [表1]
[0072] (2)芳香族或脂肪族二簇酸(代表例參考表2)
[0073] [表 2]
[0075] (3)芳香族徑基簇酸(代表例參考表3)
[0076] [表 3]
[0077]
[0078] (4)芳香族二胺、芳香族徑基胺或芳香族氨基簇酸(代表例參考表4)
[0079] [表 4]
[0080]
[0081] 作為由運些原料化合物得到的液晶聚合物的代表例，可W列舉具有表5和6所示的 結構單元的共聚物。
[0082] [表 5]
[0083]
[0084] [表6]
[0085]
[0086] 運些共聚物中，優選至少含有對徑基苯甲酸和/或6-?基-2-糞甲酸作為重復單元 的聚合物，特別優選（i)含有對徑基苯甲酸和6-徑基-2-糞甲酸的重復單元的聚合物、（ii) 含有選自由對徑基苯甲酸和6-徑基-2-糞甲酸組成的組中的至少一種芳香族徑基簇酸、選 自由4,4'-二徑基聯苯和氨釀組成的組中的至少一種芳香族二醇、W及選自由對苯二甲酸、 間苯二甲酸和2，6-糞二甲酸組成的組中的至少一種芳香族二簇酸的重復單元的聚合物。
[0087] 例如，在（i)的聚合物中，在熱塑性液晶聚合物至少含有對徑基苯甲酸和6-徑基- 2-糞甲酸的重復單元的情況下，重復單元(A)的對徑基苯甲酸與重復單元(B)的6-徑基-2- 糞甲酸的摩爾比(A)/(B)在液晶聚合物中優選為(A)/(B) = 10/90~90/10左右，可W更優選 為(A)/(B) =50/50 ~85/15 左右，可 W 進一步優選為(A)/(B) =60/40 ~80/20 左右。
[0088] 另外，在(ii)的聚合物的情況下，選自由對徑基苯甲酸和6-徑基-2-糞甲酸組成的 組中的至少一種芳香族徑基簇酸(C)、選自由4，4二徑基聯苯和氨釀組成的組選自中的至 少一種芳香族二醇化）、W及選自由對苯二甲酸、間苯二甲酸和2,6-糞二甲酸組成的組中的 至少一種芳香族二簇酸化）的、液晶聚合物中的各重復單元的摩爾比可W為芳香族徑基簇 酸(C):上述芳香族二醇(D):上述芳香族二簇酸化）=30~80: 35~10:35~10左右，可W更 優選為(C):(D):化）=35~75:32.5~12.5:32.5~12.5左右，可W進一步優選為(C):(D): (E) =40 ~70:30 ~15:30 ~15 左右。
[0089] 另外，來源于芳香族二簇酸的重復結構單元與來源于芳香族二醇的重復結構單元 的摩爾比優選為(D)/化）= 95/100~100/95。偏離該范圍時，存在聚合度不會提高、機械強 度降低的傾向。
[0090] 需要說明的是，本發明中所述的烙融時的光學各向異性可W如下確認:例如將試 樣載于熱臺上，在氮氣氣氛下升溫加熱，觀察試樣的透射光。
[0091 ]作為熱塑性液晶聚合物，優選的是烙點（W下稱為Tmo)為260~360 °C的范圍的熱 塑性液晶聚合物，進一步優選Tmo為270~35(TC的熱塑性液晶聚合物。需要說明的是，烙點 通過利用差示掃描量熱儀(株式會社島津制作所DSC)對出現主吸熱峰的溫度進行測定來求 出。
[0092] 上述熱塑性液晶聚合物中，可W在不損害本發明效果的范圍內添加聚對苯二甲酸 乙二醇醋、改性聚對苯二甲酸乙二醇醋、聚締控、聚碳酸醋、聚芳醋、聚酷胺、聚苯硫酸、聚酸 酸酬、氣樹脂等熱塑性聚合物、各種添加劑。另外，可W根據需要添加填充劑。
[0093] 本發明中使用的熱塑性液晶聚合物薄膜可W通過將熱塑性液晶聚合物進行擠出 成形而得到。只要能夠控制熱塑性液晶聚合物的剛性棒狀分子的方向，則可W應用任意的 擠出成形法，公知的T模法、層壓體拉伸法、吹脹法等在工業上是有利的。特別是在吹脹法、 層壓體拉伸法中，不僅對薄膜的機械軸方向（或機械加工方向：W下簡稱為MD方向）施加應 力，而且對與其正交的方向下簡稱為TD方向）也施加應力，可W得到控制了MD方向和TD 方向上的分子取向性、介電特性的薄膜。
[0094] 另外，對熱塑性液晶聚合物薄膜進行擠出成形后，可W根據需要進行拉伸。拉伸方 法本身是公知的，可W采用雙軸拉伸、單軸拉伸中的任一種，從更容易控制分子取向度的觀 點出發，優選雙軸拉伸。另外，拉伸可W使用公知的單軸拉伸機、同時雙軸拉伸機、逐次雙軸 拉伸機等。
[0095] 另外，可W根據需要進行公知或慣用的熱處理，對熱塑性液晶聚合物薄膜的烙點 和/或熱膨脹系數進行調節。熱處理條件可W根據目的適當設定，例如，可W通過在液晶聚 合物的烙點(Tmo)-l(TCW上(例如，Tmo-10~Tm〇+3(TC左右、優選為化0~Tm〇+20°C左右)加熱 數小時，由此使熱塑性液晶聚合物薄膜的烙點巧m)升高。
[0096] 如此得到的本發明的熱塑性液晶聚合物薄膜具有優良的介電特性、阻氣性、低吸 濕性等，因此能夠適合用作電路基板材料。
[0097] 出于得到薄膜的期望的耐熱性和加工性的目的，熱塑性液晶聚合物薄膜的烙點 (Tm)可W在約200°C~約400°C的范圍內適當選擇，可W優選為約250°C~約360°C，可W更 優選為約26(TC~約34(TC。需要說明的是，薄膜的烙點可W通過使用差示掃描量熱儀對薄 膜的熱行為進行觀察來得到。即，可W將供試薄膜W20°C/分鐘的速度升溫而使其完全烙融 后，將烙融物W50°C/分鐘的速度驟冷至50°C，再次W20°C/分鐘的速度升溫后，記錄此時出 現的吸熱峰的位置作為薄膜的烙點。
[0098] 熱塑性液晶聚合物薄膜中，作為各向同性的指標的分子取向度S0R例如可W為0.8 ~1.4,可W優選為0.9~1.3,更優選為1.0~1.2,特別優選為1.0~1. 1。
[0099] 在此，分子取向度SOR(Segment Orientation Ratio)是指對于構成分子的嵌段賦 予分子取向的程度的指標，與W往的MOR(Molecular Orientation Ratio)不同，是考慮了 物體的厚度的值。
[0100] 在本發明中使用的熱塑性液晶聚合物薄膜可W為任意的厚度。但是，在用于高頻 傳輸線路的情況下，厚度越厚則傳輸損失越小，因此，優選盡可能地使厚度加厚。在使用熱 塑性液晶聚合物薄膜作為電絕緣層的情況下，其薄膜的膜厚優選在10~500WI1的范圍內、更 優選在15~200WI1的范圍內。在薄膜的厚度過薄的情況下，薄膜的剛性、強度減小，因此，可 W使用將薄膜膜厚為10~200WI1的范圍的薄膜層疊而得到任意的厚度的方法。
[0101] (掌握工序）
[0102] 在掌握工序中，對作為被粘物薄膜和膠粘性薄膜使用的熱塑性液晶聚合物薄膜分 別進行X射線光電子能譜分析。
[0103] 在X射線光電子能譜分析(XPS分析）中，對對象物質照射X射線，由此使物質表面的 原子的原子軌道的電子被激發，W光電子的形式放出到外部。通過對該光電子的動能進行 檢測，能夠獲知在物質表面存在的元素的種類和其氧化狀態。
[0104] WC(ls)的方式表述的C的Is軌道的能量峰位置C(ls)能夠用于掌握碳原子的鍵合 狀態，作為各鍵合狀態的峰位置，例如利用后述實施例中記載的方法進行測定的情況下，可 W分離成[C-C鍵]:284.8eV、[C-0鍵]:286.6eV、[C = 0鍵]:287.6eV、[C00鍵]:288.6eV、[C03 鍵]:290~291eV、[3i-ji*伴峰]:291.9eV等各鍵峰。
[0105] 例如，作為第一掌握工序，可W對作為被粘物薄膜使用的熱塑性液晶聚合物薄膜 進行X射線光電子能譜分析。
[0106] 在第一掌握工序中，對于被粘物薄膜的被膠粘表面部，通過X射線光電子能譜分析 掌握[C-0鍵]和[C00鍵]的峰面積之和在C(ls)的各鍵峰的峰面積(各鍵峰與基線之間的面 積)的合計中所占的％比率、即X(%)。即，在掌握工序中，通過X射線光電子能譜法對被粘物 的被膠粘表面部進行分析，求出[C-0]鍵峰面積和[C00]鍵峰面積之和在對C(ls)的各鍵峰 進行合計而得到的峰面積中所占的比例（％比率)作為關于被粘物薄膜的第一相對強度X (%)。
[0107] 另外，作為第二掌握工序，可W對作為膠粘性薄膜使用的熱塑性液晶聚合物薄膜 進行X射線光電子能譜分析。
[0108] 在第二掌握工序中，準備熱塑性液晶聚合物薄膜作為膠粘性薄膜，對于上述熱塑 性液晶聚合物薄膜的被膠粘表面部，通過X射線光電子能譜分析掌握[C-0鍵]和[C00鍵]的 峰面積之和在由C(ls)引起的鍵峰的峰面積的合計中所占的％比率:Υ(%)。
[0109] 在上述膠粘性薄膜的制造方法中，第一掌握工序和第二掌握工序的順序沒有特別 限定，可W在第二掌握工序之前進行第一掌握工序，也可W在第一掌握工序之前進行第二 掌握工序，還可W實質上同時進行上述兩個掌握工序。經過運些掌握工序，使膠粘性薄膜被 調節得對被粘物薄膜具有膠粘性。
[0110] (調節工序）
[0111] 在調節工序中，對于作為膠粘性薄膜而掌握了其表面狀態的熱塑性液晶聚合物薄 膜，根據被粘物薄膜中得到的值χ( % )，對作為膠粘性薄膜使用的熱塑性液晶聚合物薄膜的 表面狀態進行調節。即，W使上述準備的膠粘性薄膜的被膠粘表面部通過X射線光電子能譜 法分析具有作為[C-0]鍵峰面積和[C00]鍵峰面積之和在c(ls)的各鍵峰的峰面積的合計中 所占的比例（％比率)的第二相對強度Υ( %)的方式對作為膠粘性薄膜的熱塑性液晶聚合物 薄膜進行選擇或處理。
[0112] 即，在調節工序中，W使[C-0鍵巧日[C00鍵]的峰面積之和在膠粘性薄膜的C( 1S)的 各鍵峰的峰面積的合計中所占的％比率Υ(%)滿足下述式（1)和式(2)的方式進行選擇或處 理。
[0113] 38<Χ 巧 <65 (1)
[0114] -8.0<Υ-Χ<8.0 (2)
[0115] 式（1)中，在膠粘性薄膜和被粘物薄膜兩者具有特定的活化能量的情況下，顯示出 膠粘性提高，式(2)中，在將膠粘性薄膜與被粘物薄膜的表面進行比較的情況下，在兩者為 類似的活化狀態時，顯示出膠粘性提高。在滿足運些公式的情況下，例如，即使不通過活化 處理破壞表層，也能夠提高膠粘性薄膜對被粘物薄膜的熱膠粘性。
[0116] 上述式（1)中，例如，X巧可W為50 W下，也可W小于42。另外，上述式(2)中，例如， Υ-Χ可W為-7.5W上，也可W為-5.0W上，也可W為-2.0W上，也可W為-1.0W上。
[0117] 另外，Υ-Χ可W為7.5W下，也可W為5.0W下，也可W為2.0W下，也可W為1.0W 下。Υ-Χ可W個別組合而具有上述數值范圍，作為絕對值的范圍，優選示出上述值。
[0118] 令人驚奇的是，如上所述，根據被粘物薄膜的表面狀態，W使得膠粘性薄膜的[C-0 鍵]和[C00鍵]的峰面積之和相對于C(ls)的各鍵峰的峰面積的合計顯示預定范圍的方式進 行調節，由此，即使在[C-0鍵巧日[C00鍵]的峰面積之和在C(ls)峰面積合計中所占的％比率 小于21%的情況下，也能夠提高液