層電路基板，可W為任意一種。另 夕h上述電路基板可W為通過上述制造方法制造的電路基板。
[0220] 對于本發明的電路基板而言，被調節成相對于被粘物薄膜的峰面積之和的％比率 X，膠粘性薄膜具有特定范圍的峰面積之和的％比率Y，因此，電路基板中的液晶聚合物薄膜 間的層間膠粘性提高。
[0221] 上述電路基板的耐熱性優良，其是在將電路基板在基于依據JIS C5012的方法的 針焊浴為290°C的環境下靜置60秒時具有針焊耐熱性的電路基板。針焊耐熱性的評價中，可 W依據JIS C 5012,將針焊浴的溫度設定為290°C、浮動時間設定為60秒來進行浮焊試驗， 使用目測和光學顯微鏡（X5倍W上)觀察浮動試驗后的基板是否有鼓起(具有100μπιΧ 10化 mW上的面積的部位），從而進行評價。
[0222] 另外，在被粘物薄膜與膠粘性薄膜的膠粘面存在導電層的情況下，在被粘物薄膜 與膠粘性薄膜之間存在的導體層的殘余導體率可W小于30%。需要說明的是，殘余導體率 可膠粘面中的導體層的面積/膠粘面的總面積X 100來表示。
[0223] 另外，上述電路基板的液晶聚合物薄膜層間膠粘性優良，因此，例如熱塑性液晶聚 合物薄膜間（被粘物薄膜與膠粘性薄膜之間）的膠粘強度例如可W為〇.7kN/mW上（例如 0.72~3kN/m)，可W進一步優選為0.75kN/mW上(例如0.76~3kN/m)，可W更優選為0.8kN/ mW上(例如0.83~3kN/m)，可W進一步優選為1 .OkN/mW上(例如1.1~3kN/m)，可W特別優 選為1.2kN/mW上(例如1.3~3kN/m)。需要說明的是，對層間膠粘性進行判斷時，在產生凝 聚剝離的情況下，通常可W判斷為膠粘性良好。另一方面，在膠粘性不良好的情況下，大多 會產生界面剝離。
[0224] 另外，優選的是，電路基板的膠粘強度與方向無關而整體地提高，例如，在通過對 樣品的一個方向(A方向）和與上述方向正交的方向（B方向）分別從兩側剝離而對A正向、A反 向、B正向、B反向運四個方向測定膠粘強度的情況下，膠粘強度的最小值在被粘物薄膜與膠 粘性薄膜之間例如可W為0.化N/mW上(例如0.5~3kN/m)，可W優選為0.6kN/mW上，可W 更優選為0.7kN/m W上，可W進一步優選為0.8kN/m W上，可W特別優選為0.9kN/m W上。
[0225] 本發明的電路基板使用介電特性優良的熱塑性液晶聚合物作為絕緣材料，因此， 特別是能夠適合作為高頻電路基板使用。高頻電路不僅只由僅輸送高頻信號的電路構成， 也包含在同一平面上同時設置有將高頻信號轉換為低頻信號并將生成的低頻信號向外部 輸出的傳輸路徑、用于供給為了驅動高頻對應部件而供給的電源的傳輸路徑等對不是高頻 信號的信號進行輸送的輸送路徑的電路。
[0226] 實施例
[0227] W下，通過實施例對本發明更詳細地進行說明，但本發明不受本實施例的任何限 定。需要說明的是，在W下的實施例和比較例中，通過下述方法測定各種物性。
[0。引[烙點]
[0229] 使用差示掃描量熱儀，對薄膜的熱行為進行觀察而得到烙點。即，將供試薄膜W20 °C/分鐘的速度升溫而使其完全烙融，然后，將烙融物W50°C/分鐘的速度驟冷至50°C，再W 2(TC/分鐘的速度升溫，記錄此時出現的吸熱峰的位置作為薄膜的烙點。
[0230] [基于X射線光電子能譜分析的峰面積]
[0231] (X射線光電子能譜分析）
[0232] 使用PHI Quantera SXM化LVAC-PHI株式會社制），通過W下的條件進行試樣的分 光分析，算出[-C-0-鍵]和[-C00-鍵]的峰面積之和在由C(ls)引起的鍵峰的峰面積的合計 中所占的％比率。需要說明的是，對于單元電路基板，對作為未形成電路的部位的液晶聚合 物薄膜表面進行分析。
[0233] X射線激發條件:100皿-25W-15kV，
[0234] 對陰極A1
[0235] 測定范圍：1000皿X 1000皿
[0236] 壓力：lXl〇-6pa，
[0237] 無試樣清洗
[0238] 另外，通過W下所示的方法求出碳、氧的鍵種類的歸屬。
[0239] Cls C-C:284.8eV C-0:286.4eV C = 0:287.6eV 0-C = 0:288.6eV C03:290~ 291 eV震激（ShakeUp): 291 eV
[0240] 01s C = 0：532.0eV C-〇：533.1eV
[0241] [紫外線照射量測定]
[0242] 使用紫外線照度計(UV-M03A)株式會社OAC制作所，在寬度方向上對照度進行測 定，設定為3個點的平均值的照度。
[0243] [水分率]
[0244] 作為水分的測定法，使用卡爾費休法(利用卡爾費休滴定的原理，使水分吸收在溶 劑中，通過電位差的變化來測定水分）。
[0245] 1)微量水分測定裝置名稱:株式會社Ξ菱化學Analytech公司制(VA-07，CA-07)
[0246] 2)加熱溫度:260 rC)
[0247] 3)化吹掃壓力：150(ml/分鐘）
[0248] 4)測定準備（自動）
[0249] 吹掃1分鐘
[0250] 預熱2分鐘試樣板空燒
[0251] 冷卻2分鐘試樣板冷卻
[02W] 5)測定
[0253] 滴定池內滯留時間（利用化送出水分的時間）：3分鐘
[0254] 6)試樣量：1.0 ~1.3g
[0255] [分子取向度(S0R)]
[0256] 在微波分子取向度測定儀中，將液晶聚合物薄膜按照使薄膜面垂直于微波的行進 方向的方式插入到微波諧振波導管中，測定從該薄膜透射后的微波的電場強度(微波透射 強度）。然后，基于該測定值，通過下式算出m值(稱為折射率）。
[0巧7] πι=(Ζο/Δζ) X [l-vmax/v0]
[0258] 在此，Zo為裝置常數，Δζ為物體的平均厚度，vmax為使微波的頻率變化時提供最 大的微波透射強度的頻率，VO為在平均厚度為零時（即沒有物體時)提供最大的微波透射強 度的頻率。
[0259] 接著，將物體相對于微波的振動方向的旋轉角為0°時、即將微波的振動方向與作 為物體的分子最優取向的方向且提供最小的微波透射強度的方向一致時的m值設為mo,將 旋轉角為90°時的m值設為m9〇，通過m〇/m9〇算出分子取向度S0R。
[02側[膜厚]
[0261] 膜厚使用數字厚度計(株式會社Ξ豐制），對所得到的薄膜在TD方向上Wlcm間隔 進行測定，將從中屯、部和端部任意選出的10個點的平均值作為膜厚。
[0262] [耐熱性試驗(針焊耐熱性）]
[0263] 依據JIS C 5012實施浮焊試驗，對電路基板的針焊耐熱性進行考察。針焊浴的溫 度設定為290°C，浮動時間設定為60秒，通過目測和光學顯微鏡（X5倍W上)觀察浮焊試驗 后的基板有無鼓起(具有1 ΟΟμπι X 1 ΟΟμπι W上的面積的部位）。
[0264] 具體而言，將30cm見方的電路基板樣品的任意五個部位分別切取出5cm見方，制作 出五個5cm見方的電路基板樣品，對于該五個5cm見方的電路基板樣品分別實施浮焊試驗， 通過目測和光學顯微鏡（X5倍W上)觀察有無鼓起。將五個5cm見方的電路基板樣品全部未 觀察到鼓起的情況設為良好，評價為具有針焊耐熱性，將五個5cm見方的電路基板樣品中任 一個觀察到鼓起的情況評價為不良。
[0265] [層間膠粘力]
[0266] 將布線基板沖裁成10mm的長條狀而制成試驗片。露出該試驗片的膠粘界面后，在 常溫下，將被粘物薄膜和膠粘性薄膜沿90°方向W5cm/分鐘的速度剝離，使用日本電產新寶 株式會社制造的數字測力儀測定剝離載荷，取剝離開5cm量時的載荷的平均值。但是，關于 測定開始時和結束時的測定值的偏移，在算出平均值時未使用。
[0267] [實施例。
[0268] (1)膠粘性液晶聚合物薄膜(膠粘性薄膜)的制造
[0269] 由對徑基苯甲酸和6-徑基-2-糞甲酸的共聚物(摩爾比：73/27)得到烙點為280°C、 厚度為50皿的熱塑性液晶聚合物薄膜。該熱塑性液晶聚合物薄膜的水分率為40化pm、S0R為 1.02。
[0270] (2)單元電路基板(被粘物薄膜)的制造
[0271] 將由對徑基苯甲酸和6-徑基-2-糞甲酸的共聚物(摩爾比：73/27)得到的烙點為 280°C、厚度為50μπι的熱塑性液晶聚合物薄膜在氮氣氣氛下在260°C進行4小時熱處理、進一 步在28(TC進行2小時熱處理，由此使烙點增加至32(TC，得到被粘物薄膜。在該被粘物薄膜 上下設置預定的表面粗糖度的厚度12WI1的壓延銅錐，利用由一對漉構成的連續壓制機在漉 溫度為300°C、線壓為lOOkg/cm、線速度為2m/分鐘的條件下得到覆銅層疊板，然后，W該覆 銅層疊板成為帶狀線結構的方式進行布線加工，由此制作單元電路基板(形成有導體電路 的表面的殘余導體率:小于30%)。熱塑性液晶聚合物薄膜的水分率為4(K)ppm、S0R為1.02。
[0272] (3)多層電路基板的制造
[0273] 將上述（1)中得到的膠粘性液晶聚合物薄膜23作為粘合片，如圖3A和3B所示的電 路構成那樣，對膠粘性液晶聚合物薄膜23分別重疊絕緣基板21、25,設置到真空熱壓裝置 中。需要說明的是，在絕緣基板21中，在兩面上形成導體電路22曰、導體層22b而構成單元電 路基板，在絕緣基板25中，在兩面上形成導體電路26a、導體層26b而構成單元電路基板。膠 粘性液晶聚合物薄膜23的各個表面23a、23bW分別被覆導體電路22a、26a的方式構成。
[0274] 設置前的膠粘性液晶聚合物薄膜23、絕緣基板21、25的由X射線光電子能譜分析得 到的、峰面積之和的％比率[C-0] + [C00](%)分別如表7所示。然后，對該層疊體進行預熱工 序(在真空度為1500化W下的真空下進行60分鐘脫氣處理）后，在真空度1300化下、加壓力 4MPa下在300°C進行30分鐘熱壓接，由此將各層膠粘，得到由單元電路基板/粘合片/單元電 路基板構成的電路基板。對所得到的電路基板的各種物性進行評價，示于表7中。
[0275] [實施例2]
[0276] 對于實施例1中得到的膠粘性液晶聚合物薄膜和單元電路基板，在各個被粘面，使 用SEN ENGI肥邸ING制造的"紫外線清洗改質裝置"的紫外線照射裝置，將254nm的紫外線的 照射量設定為400mJ/cm2, W光源與照射面之間2cm的距離進行1.05分鐘處理。
[0277] 將所得到的膠粘性液晶聚合物薄膜23作為粘合片，如圖3A和3B所示的電路構成那 樣，重疊絕緣基板21、25各基板，設置到真空熱壓裝置中。需要說明的是，在絕緣基板21中， 在兩面上形成導體電路22a、導體層22b而構成單元電路基板，在絕緣基板25中，在兩面上形 成導體電路26a、導體層26b而構成單元電路基板。膠粘性液晶聚合物薄膜23的各個表面 23a、23bW分別被覆導體電路22a、2fe的方式構成。
[0278] 設置前的膠粘性液晶聚合物薄膜23、絕緣基板21、25的由X射線光電子能譜分析得 到的、峰面積之和的％比率[C-0] + [C00](%)分別如表7所示。然后，對該層疊體進行預熱工 序(在真空度為1500化W下的真空下進行60分鐘脫氣處理）后，在真空度1300化下、加壓力 4MPa下在300°C熱壓接30分鐘，由此將各層膠粘，得到由單元電路基板/粘合片/單元電路基 板構成的電路基板。對所得到的電路基板的各種物性進行評價，示于表7中。
[0279] [實施例3]
[0280] 在加熱下進行脫氣處理，將設置到真空熱壓裝置之前的膠粘性液晶聚合物薄膜、 絕緣基板的水分率設定為2(K)ppmW下，除此W外，設定與實施例1同樣的構成。需要說明的 是，在加熱脫氣工序中，對于實施例1中得到的膠粘性薄膜，在120°C進行60分鐘加熱處理而 進行脫氣。
[0281] 將所得到的膠粘性液晶聚合物薄膜23作為粘合片，如圖3A和3B所示的電路構成那 樣，重疊絕緣基板21、25各基板，設置到真空熱壓裝置中。需要說明的是，在絕緣基板21中， 在兩面上形成導體電路22a、導體層22b而構成單元電路基板，在絕緣基板25中，在兩面上形 成導體電路26a、導體層26b而構成單元電路基板。膠粘性液晶聚合物薄膜23的各個表面 23a、23bW分別被覆導體電路22a、2fe的方式構成。
[0282] 設置前的膠粘性液晶聚合物薄膜23、絕緣基板21、25的由X射線光電子能譜分析得