到的、峰面積之和的％比率[C-0] + [C00](%)分別如表7所示。然后，對該層疊體進行預熱工 序(在真空度為1500化W下的真空下進行60分鐘脫氣處理）后，在真空度1300化下、加壓力 4MPa下在300°C熱壓接30分鐘，由此將各層膠粘，得到由單元電路基板/粘合片/單元電路基 板構成的電路基板。對所得到的電路基板的各種物性進行評價，示于表7中。
[0283] [實施例4]
[0284] (1)膠粘性液晶聚合物薄膜的制造
[02化]由對徑基苯甲酸和6-徑基-2-糞甲酸的共聚物(摩爾比：73/27)得到烙點為280°C、 厚度為50WI1的熱塑性液晶聚合物薄膜。在氮氣氣氛下在260°C進行4小時熱處理、進一步在 280°C進行2小時熱處理，由此使烙點增加至320°C。該熱塑性液晶聚合物薄膜的水分率為 400ppm、S0R為1.02。
[0286] (2)多層電路基板的制造
[0287] 將上述（1)中得到的膠粘性液晶聚合物薄膜23作為粘合片，如圖3A和3B所示的電 路構成那樣，對于膠粘性液晶聚合物薄膜23,重疊絕緣基板21、25各基板，設置到真空熱壓 裝置中。需要說明的是，在絕緣基板21中，在兩面上形成導體電路22曰、導體層22b而構成單 元電路基板，在絕緣基板25中，在兩面上形成導體電路26a、導體層26b而構成單元電路基 板。膠粘性液晶聚合物薄膜23的各個表面23a、23bW分別被覆導體電路22a、26a的方式構 成。
[0288] 設置前的膠粘性液晶聚合物薄膜23、絕緣基板21、25的由X射線光電子能譜分析得 到的、峰面積之和的％比率[C-0] + [C00](%)分別如表7所示。然后，對該層疊體進行預熱工 序(在真空度為1500化W下的真空下進行60分鐘脫氣處理）后，在真空度為1300化下、加壓 力4MPa下在300°C熱壓接30分鐘，由此將各層膠粘，得到由單元電路基板/粘合片/單元電路 基板構成的電路基板。對所得到的電路基板的各種物性進行評價，示于表7中。
[0289] [實施例引
[0290] 多層電路基板的制造
[0291] 使用實施例1中得到的膠粘性液晶聚合物薄膜和單元電路基板，W絕緣基板11為 中屯、，使用膠粘性液晶聚合物薄膜13作為覆蓋層，如圖1A和1B所示的電路構成那樣，對在絕 緣基板11的兩面上形成有導體電路12、12的單元電路基板，W 13a、13a分別被覆導體電路 12、12的方式分別重疊膠粘性液晶聚合物薄膜13、13,設置到真空熱壓裝置中。
[0292] 設置前的膠粘性液晶聚合物薄膜13、絕緣基板11的由X射線光電子能譜分析得到 的、峰面積之和的％比率[C-0] + [C00] ( % )分別如表7所示。然后，對該層疊體進行預熱工序 (在真空度為1500化W下的真空下進行60分鐘脫氣處理）后，在真空度1300化下、加壓力 4MPa下在300°C熱壓接30分鐘，由此將各層膠粘，得到由覆蓋層/單元電路基板/覆蓋層構成 的電路基板。對所得到的電路基板的各種物性進行評價，示于表7中。
[0293] [實施例6]
[0294] 除了省略預熱工序W外，與實施例1同樣地得到多層電路基板。對所得到的電路基 板的各種物性進行評價，示于表7中。
[0巧5][實施例7_9]
[0296]對于膠粘性液晶聚合物薄膜和單元電路基板，在各自的被粘面，通過W下的處理 條件(紫外線的波長、照射量、光源與照射面之間的距離、照射時間）照射紫外線，除此W外， 與實施例2同樣地得到多層電路基板。對所得到的電路基板的各種物性進行評價，示于表7 中。
[0 巧 7][表 7]
[029引
[0巧9][比較例1]
[0300]作為膠粘性液晶聚合物薄膜23,使用實施例2中得到的進行紫外線照射處理后的 薄膜，除此W外，與實施例1同樣地得到電路基板。對所得到的電路基板的各種物性進行評 價，示于表7中。
[0301] [比較例2]
[0302] 作為絕緣基板21、25,使用實施例2中得到的進行紫外線照射處理后的薄膜，除此 W外，與實施例1同樣地得到電路基板。對所得到的電路基板的各種物性進行評價，示于表7 中。
[0303] [比較例3]
[0304] 作為絕緣基板21、25,使用實施例2中得到的進行紫外線照射處理后的薄膜，除此 W外，與實施例6同樣地得到多層電路基板。對所得到的電路基板的各種物性進行評價，示 于表7中。
[0305] [比較例4]
[0306] 對于膠粘性液晶聚合物薄膜和單元電路基板，對各自的被粘面通過W下的處理條 件(紫外線的波長、照射量、光源與照射面之間的距離、照射時間）照射紫外線，除此W外，與 實施例2同樣地得到多層電路基板。對所得到的電路基板的各種物性進行評價，示于表7中。
[0307] [表 8]
[030引
[0309][表 9]
[0310]
[0311] 如表7所示，在實施例1和3~6中，將膠粘性薄膜的[C-0鍵]和[COO鍵]的峰面積之 和的％比率Y與被粘物薄膜的[C-0鍵]和[C00鍵]的峰面積之和的％比率X組合的情況下，X+ Υ和Υ-Χ存在于特定的值，因此，即使兩者之和(X巧)小于42,層間膠粘力也顯示出高值，針焊 耐熱性也良好。即表明，即使在不進行活化處理而使用薄膜的情況下，只要W使膠粘性薄膜 相對于被粘物薄膜具有預定關系的方式進行選擇，就能夠實現良好的層間膠粘性和針焊耐 熱性。
[0312] 另外，實施例5中表明，即使將膠粘性液晶聚合物薄膜13變為覆蓋層，也可W得到 同樣的效果。
[0313] 另一方面，即使是進行了紫外線處理的實施例巧日7~9,通過使Χ+Υ和Υ-Χ為特定的 值，也能夠實現良好的針焊耐熱性、進一步能夠實現良好的層間膠粘性。
[0314] 另外表明，層間膠粘性通過進行預熱工序、薄膜的脫氣處理而進一步提高，例如， 與未進行預熱工序的實施例6相比，進行了預熱工序的實施例1、進行了薄膜的脫氣處理的 實施例3顯示出高的層間膠粘性。
[0315] 但是，如比較例1~3所示，例如由于僅對被粘物薄膜和膠粘性薄膜中的一者進行 紫外線處理而使X巧和Υ-Χ在本發明中規定的范圍之外的情況下，所得到的電路基板的針焊 耐熱性不充分。另外，如比較例4所示，即使在對被粘物薄膜和膠粘性薄膜兩者進行紫外線 處理的情況下，X巧和Υ-Χ在本發明中規定的范圍之外時，所得到的電路基板的針焊耐熱性 也不充分。
[0316] 更詳細而言，對于比較例1~4中使用的薄膜而言，對于被粘物薄膜和膠粘性薄膜 中的至少一者，通過紫外線照射工序使得[C-0鍵]和[C00鍵]的峰面積之和的％比率為21W 上，并且使其峰面積之比（[C-0鍵]/[C00鍵])為1.5W下，但針焊耐熱性不充分。另外，比較 例2~4中，層間膠粘性顯著降低。
[0317] 產業上的可利用性
[0318] 本發明的電路基板能夠作為各種電氣/電子制品的基板利用，特別是，液晶聚合物 薄膜在高頻下的介電特性優良，因此能夠有效地作為高頻電路基板等利用。
[0319] 如上所述，參考附圖對本發明的優選實施方式進行了說明，但在不脫離本發明的 主旨的范圍內，可W進行各種追加、變更或刪除，運樣的方式也包含在本發明的范圍內。
[0320] 符號說明
[0321] 11、21、25、31、35、39 …絕緣基板
[0322] 13…覆蓋層
[0323] 14、34…單元電路基板
[0324] 23、33、37 …粘合片
【主權項】
1. 一種熱塑性液晶聚合物薄膜的制造方法，其是為了對由熱塑性液晶聚合物薄膜構成 的被粘物（以下稱為被粘物薄膜)進行熱膠粘而作為膠粘性薄膜使用的熱塑性液晶聚合物 薄膜的制造方法，其由下述工序構成： 掌握工序，分別準備熱塑性液晶聚合物薄膜作為被粘物薄膜和膠粘性薄膜，對于所述 熱塑性液晶聚合物薄膜的被膠粘表面部，通過X射線光電子能譜分析掌握[C-0鍵]和[C00 鍵]的峰面積之和在由C (1S)引起的鍵峰的峰面積的合計中所占的％比率:X ( % )和Y( % ); 和 調節工序，以使所述X和Y滿足下述式（1)和式(2)的方式對作為膠粘性薄膜的熱塑性液 晶聚合物薄膜進行選擇或活化處理， 38. X+Y < 65 (1) -8.0<Y-X<8.0 (2)。2. 如權利要求1所述的薄膜的制造方法，其中，在調節工序中，對熱塑性液晶聚合物膠 粘性薄膜進行選自由紫外線照射、等離子體照射和電暈處理組成的組中的至少一種活化處 理。3. 如權利要求1或2所述的薄膜的制造方法，其中，在熱塑性液晶聚合物膠粘性薄膜的 峰面積之和的％比率Υ的調節前或調節后，進一步包含： 脫氣工序，使所述熱塑性液晶聚合物膠粘性薄膜（i)在真空度1500Pa以下在真空下脫 氣30分鐘以上、和/或（i i)在100 °C~200 °C的范圍內在加熱下脫氣，由此，對所述熱塑性液 晶聚合物膠粘性薄膜進行脫氣。4. 如權利要求3所述的薄膜的制造方法，其中，脫氣工序通過在真空度1500Pa以下在50 ~200 °C的范圍內加熱來進行。5. 如權利要求1~4中任一項所述的薄膜的制造方法，其中，熱塑性液晶聚合物膠粘性 薄膜的厚度為10~500μηι。6. -種電路基板的制造方法，其為將由熱塑性液晶聚合物薄膜構成的被粘物與由熱塑 性液晶聚合物薄膜構成的膠粘性薄膜通過熱膠粘進行層疊而得到的電路基板的制造方法， 所述制造方法至少具備： 準備工序，分別準備所述被粘物薄膜和膠粘性薄膜作為選自在至少一個面上形成有導 體層的絕緣基板、粘合片和覆蓋層中的至少一種電路基板材料;和 熱壓接工序，將準備的被粘物薄膜與膠粘性薄膜重疊，在預定的壓力下加熱而對電路 基板材料進行熱壓接， 所述膠粘性薄膜為通過權利要求1~5中任一項所述的制造方法制造的熱塑性液晶聚 合物薄膜。7. 如權利要求6所述的電路基板的制造方法，其中，被粘物薄膜為在至少一個面上形成 有導體電路的絕緣基板，膠粘性薄膜為選自在至少一個面上形成有導體層的絕緣基板、粘 合片和覆蓋層中的至少一種電路基板材料。8. 如權利要求6或7所述的電路基板的制造方法，其中，進一步在熱壓接工序之前進行 權利要求3或4所述的脫氣工序。9. 如權利要求8所述的電路基板的制造方法，其中，脫氣工序在真空度為1500Pa以下的 真空下在加熱溫度為50°C~150°C的范圍內進行30分鐘以上。10. -種電路基板，其為將由熱塑性液晶聚合物薄膜構成的被粘物與由熱塑性液晶聚 合物薄膜構成的膠粘性薄膜通過熱膠粘進行層疊而得到的電路基板，其中， 對于所述被粘物薄膜的被膠粘表面部，通過X射線光電子能譜分析，[C-0鍵]和[COO鍵] 的峰面積之和在由C(ls)引起的鍵峰的峰面積的合計中所占的％比率:X(%)、與 對于所述膠粘性薄膜的被膠粘表面部，[C-0鍵]和[COO鍵]的峰面積之和在由C(ls)弓丨 起的鍵峰的峰面積的合計中所占的％比率:Y(%)滿足下述式(1)和式(2)， 38 < Χ+Υ < 65 (1) -8·0<Υ-Χ<8·0 (2) 將電路基板在基于依據JIS C 5012的方法的釬焊浴為290°C的環境下靜置60秒時，具 有針焊耐熱性。11. 如權利要求10所述的電路基板，其中，被粘物薄膜與膠粘性薄膜之間的依據JIS-C5016-1994的膠粘強度為0.7kN/m以上。12. 如權利要求10或11所述的電路基板，其中，在被粘物薄膜與膠粘性薄膜的膠粘面存 在導電層的情況下，在被粘物薄膜與膠粘性薄膜之間存在的導體層的殘余導體率小于 30% 〇13. 如權利要求10~12中任一項所述的電路基板的制造方法，其中，被粘物薄膜與膠粘 性薄膜的熔點差為60°C以內。
【專利摘要】本發明提供與由熱塑性液晶聚合物薄膜構成的被粘物的熱膠粘性優良的熱塑性液晶聚合物的制造方法、以及電路基板及其制造方法。所述薄膜的制造方法通過下述工序來制造：掌握工序，分別準備熱塑性液晶聚合物薄膜作為被粘物薄膜和膠粘性薄膜，對于所述熱塑性液晶聚合物薄膜的被膠粘表面部，通過X射線光電子能譜分析掌握[C-O鍵]和[COO鍵]的峰面積之和在由C(1s)引起的鍵峰的峰面積的合計中所占的％比率：X(％)和Y(％)；和調節工序，以使所述X和Y滿足下述式(1)和式(2)的方式對作為膠粘性薄膜的熱塑性液晶聚合物薄膜進行選擇或活化處理，38≤X+Y≤65(1)，-8.0≤Y-X≤8.0(2)。
【IPC分類】C08J5/18, B32B27/08, H05K3/28
【公開號】CN105683266
【申請號】
【發明人】中島崇裕, 小野寺稔, 砂本辰也
【申請人】株式會社可樂麗
【公開日】2016年6月15日
【申請日】2014年10月22日