晶聚合物薄膜間的層間膠粘性。
[0119] 例如，對于被粘物薄膜而言，[C-0鍵]和[C00鍵]的峰面積之和在C(ls)峰面積合計 中所占的％比率X例如可W為30% W下(例如為15~30%)，可W優選為25% W下，更優選小 于21%，特別優選為20% W下。
[0120] 并且，與此相應地，對于液晶聚合物膠粘性薄膜而言，例如，[C-0鍵]和[C00鍵]的 峰面積之和在C( 1S)峰面積合計中所占的％比率Y可W為30 % W下(例如為15~30 % )，可W 優選為25 % W下，更優選小于21 %，特別優選為20 % W下。
[0121] 在調節工序中，根據被粘物薄膜的表面狀態W使膠粘性薄膜的峰面積之和的％比 率Y在與被粘物薄膜的之和的％比率X的關系中具有特定的值的方式進行調節。例如，在調 節工序中，可使Y在與被粘物薄膜之和的％比率X的關系中具有特定值的方式選擇膠粘 性薄膜，在Y在與被粘物薄膜之和的％比率X的關系中不具有特定的值的情況下，可W通過 對膠粘性薄膜的表面進行活化處理來調節Y的值。
[0122] 例如，膠粘性薄膜的[C-0鍵巧日[C00鍵]的峰面積之和的％比率Y也可W通過利用 紫外線照射、等離子體照射和電暈放電處理等對薄膜表面進行活化處理而調節為期望的 值。
[0123] 例如，本發明人現已能夠明確:在紫外線照射的情況下，W預定的照射量對液晶聚 合物薄膜表面照射預定波長的紫外線時，若照射量增多，則[C-0鍵]和[C00鍵]的峰面積之 和的％比率增大。因此，通過利用運樣的關系，能夠W使[C-0鍵]和[C00鍵]的峰面積之和 的％比率為預定范圍的方式進行調節。
[0124] 另外，不僅是紫外線照射，在等離子體照射、電暈處理等活化處理中，推測在用于 活化的處理量增多時，[C-0鍵巧日[C00鍵]的峰面積之和的％比率也增大，因此，在各種活化 處理中，同樣能夠w使[c-0鍵]和[coo鍵]的峰面積之和的％比率為預定范圍的方式進行調 T。
[012引在紫外線照射的情況下，只要能夠使[C-0鍵巧日[C00鍵]的峰面積之和的％比率為 預定的范圍就沒有特別限定，例如，可W照射波長185nm的紫外線、波長254nm的紫外線等， 也可W組合不同波長的紫外線(例如波長185nm和254nm的紫外線)而同時進行照射。
[0126] 另外，優選縮短照射面與光源的距離而W短時間照射高的照射能量。例如，照射面 與光源的距離可W為約0.3cm~約5畑1，優選為約0.4cm~約2畑1。另外，處理時間可W根據照 射面與光源的距離適當設定，例如可W為約20秒鐘~約5分鐘，優選為約30秒鐘~約3分鐘。
[0127] 等離子體處理中，例如在大氣下或減壓下對導入到裝置中的氧化性氣體施加微 波、高頻而形成等離子體狀態，將由此產生的等離子體向對象物照射，由此，可W對對象表 面進行處理。
[0128] 例如，作為氧化性氣體，可W使用氧氣、作為含有氧氣的氣體的空氣、一氧化碳、二 氧化碳等。
[0129] 優選的是，等離子體處理例如優選在1000化W下、更優選在SOOPaW下的減壓下進 行。
[0130] 另外，等離子體照射可W利用直接等離子體(DP)和反應離子蝕刻(RIE)中的任一 種，其輸出可W根據照射模式、處理時間等適當設定，例如可約〇.2W/cm2~約2.0W/cm2、 優選約〇.2W/cm2~約1.0W/cm2進行。
[0131] 另外，處理時間例如可W為約30秒~約200秒，可W優選為約30秒~約100秒，更優 選為約40秒~約80秒。
[0132] 在電暈放電處理中，使薄膜從絕緣后的電極與介電體漉之間通過，施加高頻(例如 40k化等)高電壓而產生電暈放電，通過該電暈放電使氧氣等氣體成分形成等離子體狀態， 樹脂表面被活化。
[0133] 例如，作為電極，可W列舉不誘鋼、侶等金屬，作為介電體，可W列舉陶瓷、娃橡膠、 EPT橡膠、海帕隆橡膠等。另外，電極形狀可W列舉刀刃式電極、板式電極、漉式電極、線式電 極等。其輸出可W根據處理時間等適當設定，例如可W在約100W~約800W、優選約200W~約 600W下進行。另外，薄膜的通過速度例如可W為約2m/分鐘~約10m/分鐘、優選為約3m/分鐘 ~約9m/分鐘。
[0134] 需要說明的是，優選對活化處理后的膠粘性薄膜再次進行X射線光電子能譜法分 析，再次掌握處理后的％比率Y，對Y是否滿足上述式進行確認，優選根據需要進行活化處理 至Y滿足上述式。
[0135] (脫氣工序）
[0136] 上述液晶聚合物膠粘性薄膜可W在調節工序之前或者調節工序之后根據需要進 行脫氣處理。
[0137] 通過對熱塑性液晶聚合物薄膜進行特定的真空下的脫氣或加熱下的脫氣，能夠極 高地降低熱塑性液晶聚合物薄膜中存在的空氣。并且，令人驚奇的是，對于經過運樣的脫氣 工序后的熱塑性液晶聚合物薄膜而言，能夠提高其熱膠粘性。
[0138] 在脫氣工序中，使熱塑性液晶聚合物薄膜（i)在真空度1500化W下在真空下脫氣 30分鐘W上、和/或（i i)相對于上述熱塑性液晶聚合物薄膜的烙點Tm在100°C~200°C的范 圍內在加熱下進行脫氣，由此，能夠對熱塑性液晶聚合物薄膜進行脫氣。在滿足上述（i)或 (ii)中任一者的條件下進行脫氣即可，優選在滿足上述(i)和(ii)兩者的條件下進行脫氣。
[0139] 在將（i)真空下的脫氣和（ii)加熱下的脫氣組合進行的情況下，在能夠提高熱塑 性液晶聚合物薄膜的熱膠粘性的范圍內，（i)真空下的脫氣和（ii)加熱下的脫氣的順序可 W是任一者在前，可W優選在進行加熱下的脫氣作為第一脫氣工序后，進行真空下的脫氣 作為第二脫氣工序。
[0140] 具體而言，例如，脫氣工序可W具備將膠粘性薄膜在10(TC~200°C的范圍內加熱 預定的時間而進行脫氣的第一脫氣工序、和在真空度1500化W下對上述膠粘性薄膜進一步 進行預定時間的脫氣的第二脫氣工序。進行運些脫氣工序時，可W適當組合上述條件來進 行。
[0141] 另外，在脫氣工序中，從提高脫氣性的觀點出發，可W在實質上不進行加壓的無加 壓下（壓力釋放下）進行脫氣。例如，可W在低加壓或壓力釋放狀態下（例如約0M化~約 0.7MPa的壓力下、優選約OMPa~約0.5MPa的壓力下)進行脫氣工序。
[0142] (i)真空下的脫氣在真空度1500化W下進行，可W優選在1300化W下、更優選在 1100F*aW下進行。
[0143] 在獨立進行真空下的脫氣的情況下，可W在常溫下（例如10~50°C、優選為15~45 °C的范圍）進行，從提高脫氣效率的觀點出發，可W在加熱下進行。運種情況下的加熱溫度 例如可W為50~200°C (例如50~150°C)，優選為80~200°C，更優選為約90°C~約190°C。
[0144] (ii)加熱下的脫氣在100~200°C的范圍內進行，可W優選在105~190°C的范圍 內、更優選在110~180°c的范圍內進行。
[0145] 另外，加熱下的脫氣可W相對于熱塑性液晶聚合物薄膜的烙點Tm來設定預定的溫 度范圍。運種情況下，例如，可W通過在(Tm-235 rC~(Tm-50rC的范圍（例如(Tm-200 rC~ (Tm-50 rC的范圍）內加熱來進行，優選在(Tm-225 rC~(Tm-60 rC的范圍（例如(Tm-190 rC ~(Tm-60) °C的范圍）內進行，更優選在(Tm-215) °C~(Tm-70) °C的范圍（例如(Tm-180) °C~ 巧m-70)°C的范圍）內進行。
[0146] 通過如上所述在特定的溫度范圍內進行加熱，能夠抑制從薄膜急劇地產生水分， 并且能夠使薄膜中（例如薄膜內部或薄膜表面)的水W水蒸氣的形式脫氣、或者能夠提高在 表面存在的空氣的動能而從薄膜表面脫氣。
[0147] 需要說明的是，在單獨進行加熱下的脫氣的情況下，可W在不包含真空度1500化 W下的條件下進行，例如可W在不調節壓力的大氣壓下（或常壓下)進行，也可W根據需要 在從大氣壓減壓后的條件（例如，超過1500Pa且低于100000化、優選為約3000化~約 50000Pa)下進行加熱。
[0148] 脫氣工序所需要的時間可W根據熱塑性液晶聚合物薄膜的狀態、真空度和/或加 熱溫度等各種條件適當設定，從熱塑性液晶聚合物薄膜整體中除去空氣的觀點出發，例如， 各脫氣工序(真空下、加熱下、真空加熱下）可W相同或不同，可W為30分鐘W上、40分鐘W 上或50分鐘W上，可W為6小時W下、4小時W下、3小時W下、2小時W下或1.5小時W下。
[0149] 另外，脫氣工序所需要的時間例如可W估計熱塑性液晶聚合物薄膜的水分率達到 后述的預定范圍（例如30化pmW下或20化pmW下）的時刻來適當設定。
[0150] 經過脫氣工序后的熱塑性液晶聚合物薄膜可W具有極低的水分率，例如，其水分 率例如可W為30化pmW下，優選為20化pmW下，更優選為18化pmW下，進一步優選為15化pm W下。需要說明的是，在此，水分率表示通過后述的實施例中記載的方法測定的值。
[0151] 另外，熱塑性液晶聚合物薄膜的25G化下的介質損耗角正切例如可W為0.0025W 下（例如約0.0001~約0.0023)，優選為約0.0010~約0.0022。通過具有運樣的介質損耗角 正切，能夠實現低電力化、低噪聲化。
[0152] 熱塑性液晶聚合物薄膜的相對介電常數根據薄膜的厚度而不同，例如，25G化下的 熱塑性液晶聚合物薄膜的TD方向的相對介電常數可W為3.25W下（例如約1.8~約3.23)， 優選為約2.5~約3.20。需要說明的是，通常，介電常數可W通過對相對介電常數乘W真空 的介電常數（=8.855Xl(Ti2(F/m))來算出。
[0153] 例如，介電常數測定可W在lOGHz的頻率下通過諧振攝動法來實施。可W將1G化的 空腔諧振(株式會社關東電子應用開發)連接到網絡分析儀(Agilent Technology公司制造 的巧8362B")，在空腔諧振插入微小的材料(寬度:2.7mmX長度:45mm)，在溫度為20°C、濕度 為65%畑的環境下，根據96小時的插入前后的諧振頻率的變化來測定材料的介電常數和介 質損耗角正切。
[0154] [電路基板的制造方法]
[0155] 本發明也包含層間膠粘性優良的電路基板的制造方法。
[0156] 上述制造方法是將由熱塑性液晶聚合物薄膜構成的被粘物和由熱塑性液晶聚合 物構成的膠粘性薄膜通過熱膠粘層疊而得到的電路基板的制造方法，該制造方法至少具 備：
[0157] 準備工序，分別準備上述被粘物薄膜和膠粘性薄膜作為選自在至少一個面上形成 有導體層的絕緣基板、粘合片和覆蓋層中的至少一種電路基板材料;和
[0158] 熱壓接工序，將準備的被粘物薄膜和膠粘性薄膜重疊，在預定的壓力下加熱而對 電路基板材料進行熱壓接，
[0159] 上述膠粘性薄膜為通過上述制造方法制造的熱塑性液晶聚合物薄膜。
[0160] (電路基板材料的準備工序）
[0161] 在準備工序中，分別準備由熱塑性液晶聚合物薄膜構成的被粘物下有時簡稱 為被粘物薄膜)和由熱塑性液晶聚合物構成的膠粘性薄膜下有時簡稱為膠粘性薄膜)作 為選自在至少一個面上形成有導體層的絕緣基板、粘合片和覆蓋層中的至少一種電路基板 材料。
[0162] 作為在至少一個面上形成有導體電路的絕緣基板的例子，可W列舉:在絕緣基板 的單面上形成有導體電路(或導體圖案）的單元電路基板、在絕緣基板的兩面上形成有導體 電路的單元電路基板、在絕緣體的一個面上形成有導體電路、在另一個面上形成有導體薄 膜或導體錐的單元電路基板等。
[0163] 導體層例如至少由具有導電性的金屬形成，使用公知的電路加工方法在該導體層 中形成電路。作為形成導體層的導體，可W為具有導電性的各種金屬、例如金、銀、銅、鐵、 儀、侶或它們的合金金屬等。
[0164] 作為在由熱塑性液晶聚合物薄膜構成的絕緣性基材上形成導體層的方法，可W使 用公知的方法，例如可W蒸鍛出金屬層，也可W通過化學鍛、電鍛形成金屬層。另外，可W通 過熱壓接將金屬錐(例如銅錐)壓接到熱塑性液晶聚合物薄膜的表面上。
[0165] 構成導體層的金屬錐優選為在電連接中使用的金屬錐，可W列舉銅錐、除此W外 的金、銀、儀、侶等各種金屬錐，另外，也可W包含實質上(例如98質量％^上）由運些金屬構 成的合金錐。
[0166] 運些金屬錐中，優選使用銅錐。銅錐只要是可W在電路基板中使用的銅錐就沒有 特別限定，可W為壓延銅錐、電解銅錐中的任一種。
[0167] 關于被粘物薄膜與膠粘性薄膜的組合，只要膠粘性薄膜相對于被粘物薄膜具有上 述特定的關系并且兩者通過熱膠粘層疊，就沒有特別限定。