半導體存儲器設備的制作方法

背景技術：

1、本公開涉及一種半導體存儲器設備。

2、下面列出了公開的技術。

3、[專利文獻1]日本未審查專利申請公開第2008-288503號

4、常規上，具有選擇柵極晶體管和存儲器柵極晶體管的分離柵極型存儲器單元是已知的(例如，專利文獻1)。這類存儲器單元也被稱為sg-monos(分裂柵極-金屬氧化物氮氧化硅)，因為柵極電極被分為選擇柵極和存儲器柵極。monos是一種結構，其中在硅襯底上形成三層氧化物膜/氮化物膜(陷阱膜)/氧化物膜，并且柵極電極(金屬)被置于其上。sg-monos例如被用作安裝在微控制器等上的閃存結構。

技術實現思路

1、然而，在常規技術中，在數據寫入所需的時間上有改進的空間。從本說明書和附圖的描述中，其他對象和新穎特征將變得顯而易見。

2、在一個實施例中，提供了一種半導體存儲器設備，該半導體存儲器設備包括存儲器單元，該存儲器單元具有包括選擇柵極和存儲器柵極的柵極電極、連接到源極的源極線、連接到漏極的位線；拉出部件，該拉出部件在從位線寫入存儲器單元期間拉出從源極側流向漏極側的電流；放電部件，該放電部件具有比拉出部件高的使電流通過的能力，并且降低位線的電壓；充電部件，該充電部件具有比放電部件高的使電流通過的能力，并且向位線施加電壓；以及控制部件，該控制部件在開始向存儲器單元寫入時，通過放電部件降低位線的電壓，并且通過充電部件向位線施加電壓。

3、根據一個實施例，可以減少數據寫入所需的時間。

技術特征：

1.一種半導體存儲器設備，包括：

2.根據權利要求1所述的半導體存儲器設備，

3.根據權利要求1所述的半導體存儲器設備，

4.根據權利要求3所述的半導體存儲器設備，

5.根據權利要求3所述的半導體存儲器設備，

6.根據權利要求1所述的半導體存儲器設備，

技術總結
本公開的各實施例涉及半導體存儲器設備。為了減少數據寫入所需的時間。提供了一種半導體存儲器設備，該半導體存儲器設備包括存儲器單元，該存儲器單元具有包括選擇柵極和存儲器柵極的柵極電極、連接到源極的源極線和連接到漏極的位線；提取部件，該提取部件提取在從位線寫入存儲器單元期間從源極側流向漏極側的電流；放電部件，該放電部件具有比提取部件高的使電流通過的能力，并且降低位線的電壓；充電部件，該充電部件具有比放電部件高的使電流通過的能力，并且向位線施加電壓；以及控制部件，該控制部件在開始向存儲器單元寫入時，通過放電部件降低位線的電壓，并且通過充電部件向位線施加電壓。

技術研發人員：鈴木潤一,山科智貴
受保護的技術使用者：瑞薩電子株式會社
技術研發日：
技術公布日：2025/3/13