本發明涉及數據存儲,更具體地說,本發明涉及一種存儲設備ldpc糾錯能力測試方法。
背景技術:
1、主控芯片和閃存顆粒是存儲設備重要組成部分。在使用過程中,需要主控芯片中的糾錯算法保障閃存數據可靠性,從而延長存儲設備的使用壽命,目前存儲設備上主流的糾錯算法是ldpc糾錯算法,ldpc糾錯算法包含兩種,一種是硬判決,一種是軟判決。硬判決耗時短,但是解碼能力弱,軟判決解碼能力強,但是耗時較長,一般存儲設備中會先采用硬判決,如果糾不回來,會進行軟判決。ldpc糾錯能力直接影響存儲設備的使用壽命,而目前現有技術中缺少對存儲設備上關于ldpc糾錯能力進行測試的方法。
2、因此,發明一種存儲設備ldpc糾錯能力測試方法來解決上述問題很有必要。
技術實現思路
1、為了克服現有技術的上述缺陷,本發明提供一種存儲設備ldpc糾錯能力測試方法,來解決上述背景技術中提出的現有技術中缺少對存儲設備上關于ldpc糾錯能力進行測試的方法的問題。
2、為了實現上述目的,本發明提供如下技術方案:一種存儲設備ldpc糾錯能力測試方法,包括硬判決糾錯能力測試方法和軟判決糾錯能力測試方法,所述硬判決糾錯能力測試方法包括以下步驟:
3、s1、在閃存顆粒中選取閃存塊組,閃存塊組中包含1個或多個閃存塊,對該閃存塊組中所有閃存塊進行擦除操作,隨后對閃存塊進行寫操作寫滿數據;
4、s2、選取設置讀電壓,并對閃存塊的n個閃存頁執行讀操作,具體如下:
5、s21、在n個閃存頁中,每個閃存頁對應多個level,選中其中1個level?li,將其讀電壓設置為vs,固定其他level的讀電壓,其他level讀電壓可以設置為默認值,也可以設置為最優讀電壓值;
6、s22、將li的讀電壓以vs為起始讀電壓,vd為步長進行偏移,其他level讀電壓可以設置為默認值,也可以設置為最優讀電壓值;對n個閃存頁分別進行讀操作,并從ldpc相應寄存器中獲取讀狀態、錯誤比特數;
7、s3、重復多次步驟s2中的操作進行讀操作;
8、s4、當連續m次讀出現讀錯誤,或者偏移次數超過閾值t,停止測試,其中,m和t由技術人員根據經驗給出;
9、s5、對n個閃存頁讀錯誤前的最后一次成功讀回來的錯誤比特數進行相應的統計運算,包括但不限于取均值或中位數,得到的值即為硬判決的糾錯能力;
10、所述軟判決糾錯能力測試方法包括以下步驟:
11、b1、在閃存顆粒中選取閃存塊組,閃存塊組中包含1個或多個閃存塊,通過相應方法,讓閃存塊組中閃存塊的閃存頁有不同程度的讀出錯;
12、b2、對于不同程度讀出錯的閃存頁,劃分不同等級,每個等級有1個或多個閃存頁,讀錯誤程度越嚴重,劃分的等級越高,并對不同等級提供不同的軟判決參數;
13、b3、從等級最高的閃存頁開始軟判決,從ldpc相應寄存器中獲取讀狀態、錯誤比特數和迭代次數;
14、b4、若讀成功,記錄錯誤比特數和迭代次數并繼續對該等級中其他閃存頁進行軟判決;若讀失敗,繼續對該等級中其他閃存頁進行軟判決;若該等級中有至少一個閃存頁能夠讀成功,則停止,若該等級中所有閃存頁都讀失敗,則對下一個等級的閃存頁開始軟判決,并從ldpc相應寄存器中獲取讀狀態、錯誤比特數和迭代次數,若讀失敗則重復b4;
15、b5、對當前等級所有可以讀回來的閃存頁的錯誤比特數進行統計運算,包括但不限于取均值或中位數,得到的值即為軟判決的糾錯能力。
16、作為上述技術方案的進一步描述,所述步驟s1中的擦除操作和寫操作可以是slc模式也可以是最高模式,所述擦除操作和寫操作的模式需要保持一致,后面的讀操作同理,slc閃存顆粒最高模式是slc模式,mlc閃存顆粒最高模式是mlc模式,tlc閃存顆粒最高模式是tlc模式,qlc閃存顆粒最高模式是qlc模式。
17、作為上述技術方案的進一步描述,所述步驟s2中n為不小于1且不大于閃存塊中閃存頁數目的正整數。
18、與現有技術相比,本發明的有益效果是:
19、本發明通過定量衡量ldpc硬判決和軟判決的糾錯能力,為評估存儲設備的使用壽命提供理論參考;
20、2、本發明通過定量衡量ldpc硬判決和軟判決的糾錯能力,可以在項目前期快速確定ldpc糾錯算法或當前硬判決和軟判決的參數是否滿足當前閃存顆粒要求。
1.存儲設備ldpc糾錯能力測試方法,包括硬判決糾錯能力測試方法和軟判決糾錯能力測試方法,其特征在于:所述硬判決糾錯能力測試方法包括以下步驟:
2.根據權利要求1所述的存儲設備ldpc糾錯能力測試方法,其特征在于:所述步驟s1中的擦除操作和寫操作可以是slc模式也可以是最高模式,所述擦除操作和寫操作的模式需要保持一致,后面的讀操作同理,slc閃存顆粒最高模式是slc模式,mlc閃存顆粒最高模式是mlc模式,tlc閃存顆粒最高模式是tlc模式,qlc閃存顆粒最高模式是qlc模式。
3.根據權利要求2所述的存儲設備ldpc糾錯能力測試方法,其特征在于:所述步驟s2中n為不小于1且不大于閃存塊中閃存頁數目的正整數。