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梯度合金量子點的制備及該量子點在QLED器件的應用的制作方法

文檔序號:11102603閱讀:來源:國知局
技術總結
本發明的目的在于提供一種梯度合金量子點的制備及其該量子點在QLED器件的應用,目前量子點的制備可分為有機相合成和水相合成,水相合成溫度較低,周期較短而其弊端亦是顯而易見的,熒光壽命短,量子點產率低,雜質多等等,而目前高產率,熒光壽命長的量子點主要是通過油相合成。我們研發一種高效的梯度合金量子點制備方法。成功梯度合成合金量子點,具有熒光壽命長,半峰寬窄,絕對產率高等等特點的優質的梯度合金量子點并在QLED器件的應用。本發明的優點是:梯度合金量子點制備技術穩定,有機相合成量子產率高、量子點粒徑更小。所制備的QLED易組裝成本低且具有寬的吸收光譜和高的光電轉換效率,具有比較高的開發價值。

技術研發人員:張虛谷;李清華;紀麗珊;金肖
受保護的技術使用者:南昌航空大學
文檔號碼:201611016700
技術研發日:2016.11.18
技術公布日:2017.05.10

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