芳香族胺化 合物，特別優選芳香族叔胺化合物。此處，芳香族叔胺化合物是指具有芳香族叔胺結構的化 合物，也包括具有具有來自芳香族叔胺的基團的化合物。
[0276] 對芳香族叔胺化合物的種類沒有特別限制，從容易通過表面平滑化效果得到均勻 的發光的方面考慮，優選使用重均分子量為1000W上、1000000W下的高分子化合物(重復 單元連接而成的聚合型化合物）。作為芳香族叔胺高分子化合物的優選例，可W舉出具有下 述式(6)所表示的重復單元的高分子化合物等。
[0277]
[0278] (式(6)中，Aril和ArU各自獨立地表示具有或不具有取代基的芳香族控基或具有 或不具有取代基的芳香族雜環基。ArU~Aris各自獨立地表示具有或不具有取代基的芳香 族控基或具有或不具有取代基的芳香族雜環基。Y表示從下述所示的連接基團組中選擇的 連接基團。另外，在Aril~Aris中，鍵接在同一N原子上的兩個基團可W相互鍵合而形成環。）
[0279]
[0280] (上述各式中，Aris~Ar26各自獨立地表示具有或不具有取代基的芳香族控基或具 有或不具有取代基的芳香族雜環基。R8和R9各自獨立地表示氨原子或任意的取代基。）
[0281] 作為Aris~Ar26的芳香族控基和芳香族雜環基，從高分子化合物的溶解性、耐熱 性、空穴注入傳輸性的方面考慮，優選具有1個或2個自由原子價的苯環、糞環、菲環、嚷吩 環、化晚環，進一步優選具有1個或2個自由原子價的苯環、糞環。
[0282] 作為具有式(4)所表示的重復單元的芳香族叔胺高分子化合物的具體例，可W舉 出國際公開第2005/089024號中記載的物質。
[0283] 通過空穴傳輸性化合物的氧化可W提高空穴注入層的電導率，因而，在空穴注入 層3中優選含有上述受電子性化合物、上述陽離子自由基化合物。
[0284] 陽DOT/PSS(Adv.Mater. ,2000年，12卷，481 頁）或翠綠亞胺鹽酸鹽(J.PhysXhem.， 1990年，94卷，7716頁)等高分子化合物來源的陽離子自由基化合物也可W通過進行氧化聚 合(脫氨聚合)而生成。
[0285] 此處所說的氧化聚合是指利用過硫酸鹽等在酸性溶液中將單體化學氧化或者電 化學氧化。在該氧化聚合(脫氨聚合)的情況下，單體被氧化而發生高分子化，同時生成W來 自酸性溶液的陰離子作為抗衡陰離子的、從高分子的重復單元除去單電子而得到的陽離子 自由基。
[0286] <基于濕式成膜法的空穴注入層的形成〉
[0287] 在通過濕式成膜法形成空穴注入層3的情況下，通常將成為空穴注入層的材料與 可溶的溶劑(空穴注入層用溶劑)混合來制備成膜用的組合物(空穴注入層形成用組合物）， 將該空穴注入層形成用組合物涂布在相當于空穴注入層下層的層(通常為陽極)上來進行 成膜并進行干燥，從而形成空穴注入層3。
[0288] 關于空穴注入層形成用組合物中的空穴傳輸性化合物的濃度，只要不顯著損害本 發明的效果就是任意的，從膜厚均勻性的方面考慮，優選濃度低;并且另一方面，從空穴注 入層難W產生缺陷的方面出發，優選濃度高。具體來說，優選為0.01質量％ ^上、進一步優 選為0.1質量％^上、特別優選為0.5質量％^上，并且另一方面優選為70質量％^下、進一 步優選為60質量％ ^下、特別優選為50質量％ W下。
[0289] 作為溶劑，例如可W舉出酸系溶劑、醋系溶劑、芳香族控系溶劑、酷胺系溶劑等。
[0290] 作為酸系溶劑，例如可W舉出乙二醇二甲酸、乙二醇二乙酸、丙二醇-1-單甲酸乙 酸醋(PGMEA)等脂肪族酸和1,2-二甲氧基苯、1,3-二甲氧基苯、苯甲酸、苯乙酸、2-甲氧基甲 苯、3-甲氧基甲苯、4-甲氧基甲苯、2,3-二甲基苯甲酸、2,4-二甲基苯甲酸等芳香族酸等。
[0291] 作為醋系溶劑，例如可W舉出乙酸苯醋、丙酸苯醋、苯甲酸甲醋、苯甲酸乙醋、苯甲 酸丙醋、苯甲酸正下醋等芳香族醋等。
[0292] 作為芳香族控系溶劑，例如可W舉出甲苯、二甲苯、環己苯、3-異丙基聯苯、1，2,3， 4-四甲基苯、1,4-二異丙基苯、環己苯、甲基糞等。作為酷胺系溶劑，例如可W舉出N，N-二甲 基甲酯胺、N，N-二甲基乙酷胺等。
[0巧3]除此W外，也可W使用二甲基亞諷等。
[0294]關于空穴注入層3的基于濕式成膜法的形成，通常在制備空穴注入層形成用組合 物后，將其在相當于空穴注入層3的下層的層(通常為陽極2)上涂布成膜并干燥，由此來進 行。
[02M]對于空穴注入層3,通常在成膜后利用加熱或減壓干燥等使涂布膜干燥。
[0296] <基于真空蒸鍛法的空穴注入層的形成〉
[0297] 在通過真空蒸鍛法形成空穴注入層3的情況下，通常可將1種或巧巾W上的空穴注 入層3的構成材料(上述空穴傳輸性化合物、受電子性化合物等)投入到設于真空容器內的 相蝸中（在使用巧中W上材料的情況下，通常投入到各自的相蝸中），用真空累將真空容器內 排氣到10-4化左右，之后對相蝸進行加熱(在使用巧巾W上材料的情況下，通常對各自的相蝸 進行加熱），控制相鍋內的材料的蒸發量的同時使其蒸發(在使用巧巾W上材料的情況下，通 常各自獨立地控制蒸發量的同時進行蒸發）、在與相蝸相向放置的基板上的陽極上形成空 穴注入層。需要說明的是，在使用巧巾W上材料的情況下，也可W將它們的混合物投入到相 蝸中，進行加熱、蒸發，從而形成空穴注入層。
[0298] 只要不顯著損害本發明的效果，則蒸鍛時的真空度并無限定，通常為0.1 Χ10- 6Torr(0.13 X l〇-4Pa) W上、9. ο X l〇-6Torr( 12. ο X l〇-4Pa) W下。只要不顯著損害本發明的 效果，則蒸鍛速度并無限定，通常為化lA/秒W上、5.0A/秒W下。只要不顯著損害本發明的 效果，則蒸鍛時的成膜溫度并無限定，優選在l〇°CW上、50°CW下進行。
[0299] 需要說明的是，空穴注入層3可W與后述的空穴傳輸層4同樣地進行了交聯。
[0300] {空穴傳輸層}
[0301] 空穴傳輸層4是擔負著從陽極2側向發光層5側傳輸空穴的功能的層。空穴傳輸層4 在本發明的有機電致發光元件中并不是必需的層，但是從強化從陽極2向發光層5傳輸空穴 的功能的方面出發，優選形成該層。在形成空穴傳輸層4的情況下，通常空穴傳輸層4形成于 陽極2與發光層5之間。另外，在具有上述空穴注入層3的情況下，形成于空穴注入層3與發光 層5之間。
[0302] 空穴傳輸層4的膜厚通常為5nmW上、優選為10皿W上，并且另一方面通常為300皿 W下、優選為lOOnmW下。
[0303] 空穴傳輸層4的形成方法可W為真空蒸鍛法，也可W為濕式成膜法。從成膜性優異 的方面出發，優選通過濕式成膜法形成。
[0304] 下面，對一般性的空穴傳輸層的形成方法進行說明，在本發明的有機電致發光元 件中，空穴傳輸層優選使用本發明的有機電致發光元件用組合物通過濕式成膜法形成。
[0305] 空穴傳輸層4通常含有空穴傳輸性化合物。作為空穴傳輸層4中包含的空穴傳輸性 化合物，特別可W舉出W4,4'-雙陽-(1-糞基)-N-苯基氨基]聯苯為代表的、含有2個W上叔 胺且2個W上的縮合芳香環取代在氮原子上的芳香族二胺（日本特開平5-234681號公報）； 4,4'，4"-Ξ(1-糞基苯基氨基)Ξ苯胺等具有星爆結構的芳香族胺化合物(J丄皿in. ,72-74 卷、985頁、1997年）；由Ξ苯胺的四聚體形成的芳香族胺化合物（畑em.Commun. ,2175頁、 1996年）；2，2 '，7，7 ' -四（二苯基氨基)-9，9 ' -螺雙巧等螺環化合物（Synth. MetalS，91卷、 209頁、1997年）；4,4'-N，N'-二巧挫聯苯等巧挫衍生物等。另外，也可W優選使用例如聚乙 締基巧挫、聚乙締基Ξ苯胺（日本特開平7-53953號公報）、含有四苯基聯苯胺的聚亞芳基酸 諷(Polym.Adv.Tech. ,7卷、33頁、1996年）等。
[0306] <基于濕式成膜法的空穴傳輸層的形成〉
[0307] 在通過濕式成膜法形成空穴傳輸層的情況下，通常與通過濕式成膜法形成上述空 穴注入層的情況同樣地，使用空穴傳輸層形成用組合物代替空穴注入層形成用組合物而形 成。
[0308] 在通過濕式成膜法形成空穴傳輸層的情況下，通常空穴傳輸層形成用組合物進一 步含有溶劑。用于空穴傳輸層形成用組合物的溶劑可W使用與上述空穴注入層形成用組合 物中使用的溶劑同樣的溶劑。
[0309] 空穴傳輸層形成用組合物中的空穴傳輸性化合物的濃度可W為與空穴注入層形 成用組合物中的空穴傳輸性化合物的濃度同樣的范圍。
[0310] 空穴傳輸層的基于濕式成膜法的形成可W與上述空穴注入層成膜法同樣地進行。
[0311] <基于真空蒸鍛法的空穴傳輸層的形成〉
[0312] 在通過真空蒸鍛法形成空穴傳輸層的情況下，通常也與通過真空蒸鍛法形成上述 空穴注入層的情況同樣地，可W使用空穴傳輸層形成用組合物代替空穴注入層形成用組合 物而形成。關于蒸鍛時的真空度、蒸鍛速度和溫度等成膜條件等，可W在與上述空穴注入層 的真空蒸鍛時同樣的條件下進行成膜。
[0313] {發光層}
[0314] 發光層5為下述層:在一對電極間提供電場時，由陽極2注入的空穴與由陰極9注入 的電子發生再結合，從而被激發，擔負著發光的功能。發光層5是形成于陽極2與陰極9之間 的層，在陽極上具有空穴注入層的情況下，發光層形成于空穴注入層與陰極之間，在陽極上 具有空穴傳輸層的情況下，發光層形成于空穴傳輸層與陰極之間。
[0315] 只要不顯著損害本發明的效果，則發光層5的膜厚是任意的，但從膜難W產生缺陷 的方面出發，優選膜厚厚;并且另一方面，從易于為低驅動電壓的方面出發，優選膜厚薄。因 此，優選為3nmW上、進一步優選為5nmW上，并且另一方面，通常優選為200nmW下、進一步 優選為lOOnmW下。
[0316] 發光層5至少含有具有發光性質的材料(發光材料），同時優選含有具有電荷傳輸 性的材料(電荷傳輸性材料)。
[0；317] <發光材料〉
[0318] 發光材料W所期望的發光波長進行發光，只要不損害本發明的效果就沒有特別限 審IJ，可W適用公知的發光材料。發光材料可W為巧光發光材料，也可W為憐光發光材料，優 選發光效率良好的材料，從內部量子效率的方面出發，優選憐光發光材料。
[0319] 作為巧光發光材料，例如可從舉出W下的材料。
[0320] 作為提供藍色發光的巧光發光材料(藍色巧光發光材料），例如可W舉出糞、二糞 嵌苯、巧、蔥、香豆素、1,2-苯并菲、對雙(2-苯基乙締基巧和它們的衍生物等。
[0321] 作為提供綠色發光的巧光發光材料(綠色巧光發光材料），例如可W舉出哇叮晚酬 衍生物、香豆素衍生物、AKC曲6N0)3等侶絡合物等。
[0322] 作為提供黃色發光的巧光發光材料(黃色巧光發光材料），例如可W舉出紅巧締、 糞喀晚酬衍生物等。
[0323] 作為提供紅色發光的巧光發光材料(紅色巧光發光材料），例如可W舉出DCM(4- (二氯基亞甲基)-2-甲基-6-(4-二甲基氨基苯乙締基)-4H-化喃）系化合物、苯并化喃衍生 物、若丹明衍生物、苯并嚷噸衍生物、氮雜苯并嚷噸等。
[0324] 另外，作為憐光發光材料，例如可W舉出包含選自長周期型周期表的第7~11族中 的金屬的有機金屬絡合物等。作為選自周期表的第7~11族中的金屬，優選可W舉出釘、錠、 鈕、銀、鍊、餓、銀、銷、金等。
[0325] 作為有機金屬絡合物的配體，優選(雜)芳基化晚配體、（雜)芳基化挫配體等（雜） 芳基與化晚、化挫、菲咯嘟等連結而成的配體，特別優選苯基化晚配體、苯基化挫配體。此 處，（雜)芳基表示芳基或雜芳基。
[0326] 作為優選的憐光發光材料，具體來說，例如可W舉出Ξ(2-苯基化晚)銀、Ξ(2-苯 基化晚)釘、Ξ(2-苯基化晚)鈕、雙(2-苯基化晚）銷、Ξ(2-苯基化晚)餓、Ξ(2-苯基化晚)鍊 等苯基化晚絡合物和八乙基化嘟銷、八苯基化嘟銷、八乙基化嘟鈕、八苯基化嘟鈕等化嘟絡 合物等。
[0327] 作為高分子系的發光材料，可W舉出聚(9,9-二辛基巧-2,7-二基）、聚[(9,9-二辛 基巧-2,7-二基)-c0-(4,4'-(N-(4-仲下基苯基））二苯基胺）]、聚[(9,9-二辛基巧-2,7-二 基)-c0-( 1,4-苯并-2{2,1 ' -3}-二挫）]等聚巧系材料、聚[2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基)-1, 4-亞苯基亞乙締基]等聚亞苯基亞乙締基系材料。
[032引 < 電荷傳輸性材料〉
[0329] 電荷傳輸性材料是具有正電荷(空穴)或負電荷（電子)傳輸性的材料，只要不損害 本發明的效果就沒有特別限制，可W適用公知的發光材料。
[0330] 關于電荷傳輸性材料，W往可W使用在有機電致發光元件的發光層中所用的化合 物等，特別優選作為發光層的主體材料所用的化合物。
[0331] 作為電荷傳輸性材料，具體來說，可W舉出芳香族胺系化合物、獻菁系化合物、口 h 嘟系化合物、低聚嚷吩系化合物、聚嚷吩系化合物、芐基苯基系化合物、叔胺經巧基連結而 成的化合物、腺系化合物、娃氮燒系化合物、娃胺燒系化合物、憐酷胺系化合物、哇叮晚酬系 化合物等作為空穴注入層的空穴傳輸性化合物所例示的化合物等，除此W外，可W舉出蔥 系化合物、巧系化合物、巧挫系化合物、化晚系化合物、菲咯嘟系化合物、嗯二挫系化合物、 嚷咯系化合物等電子傳輸性化合物等。
[0332] 另外，例如也可W優選使用W4,4'-雙[Ν-α-糞基)-N-苯基氨基]聯苯為代表的、 含有2個W上叔胺且2個W上的縮合芳香環取代在氮原子上的芳香族二胺（日本特開平5- 234681號公報）；4,4'，4"-Ξ(1-糞基苯基氨基)Ξ苯胺等具有星爆結構的芳香族胺系化合 物（J丄umin. ,72-74卷、985頁、1997年）；由Ξ苯胺的四聚體形成的芳香族胺系化合物 (Chem.Commun. ,2175頁、1996年）；2,2'，7,7'-四-(二苯基氨基）-9,9'-螺雙巧等巧系化合 物(Synth.Metals，91卷、209頁、1997年）；4,4'-N，N'-二巧挫聯苯等巧挫系化合物等作為空 穴傳輸層的空穴傳輸性化合物所例示的化合物等。另外，除此W外，也可W舉出2-(4-聯苯 基)-5-(對叔下基苯基)-1,3,4-嗯二挫（tBu-P抓）、2,5-雙（1-糞基)-1,3,4-嗯二挫(BND)等 嗯二挫系化合物;2，5-雙(6'- (2'，2"-聯化晚））-1，1-二甲基-3，4-二苯基嚷咯(PyPySPy巧） 等嚷咯系化合物;紅菲繞嘟(Bl^en)、2，9-二甲基-4，7-二苯基-1，10-菲咯嘟(BCP、浴銅靈） 等菲咯嘟系化合物等。
[0333] <基于濕式成膜法的發光層的形成〉
[0334] 發光層的形成方法可W為真空蒸鍛法，也可W為濕式成膜法，由于成膜性優異而 優選濕式成膜法，進一步優選旋涂法和噴墨法。特別是，若使用本發明的有機電致發光元件 用組合物來形成作為發光層的下層的空穴注入層或空穴傳輸層，則容易利用濕式成膜法進 行層積化，因而優選采用濕式成膜法。在通過濕式成膜法形成發光層的情況下，通常與通過 濕式成膜法形成上述空穴注入層的情況同樣地，使用將成為發光層的材料與可溶的溶劑 (發光層用溶劑)混合所制備的發光層形成用組合物來代替空穴注入層形成用組合物，由此 形成發光層。
[0335] 作為溶劑，例如可W舉出針對空穴注入層的形成所列舉的酸系溶劑、醋系溶劑、芳 香族控系溶劑、酷胺系溶劑、W及鏈燒控系溶劑、面代芳香族控系溶劑、脂肪族醇系溶劑、月旨 環族醇系溶劑、脂肪族酬系溶劑和脂環族酬系溶劑等。下面舉出溶劑的具體例，但只要不損 害本發明的效果就不限于運些。
[0336] 例如可W舉出乙二醇二甲酸、乙二醇二乙酸、丙二醇-1-單甲酸乙酸醋(PGMEA)等 脂肪族酸系溶劑；1,2-二甲氧基苯、1,3-二甲氧基苯、苯甲酸、苯乙酸、2-甲氧基甲苯、3-甲 氧基甲苯、4-甲氧基甲苯、2,3-二甲基苯甲酸、2,4-二甲基苯甲酸、二苯基酸等的芳香族酸 系溶劑；乙酸苯醋、丙酸苯醋、苯甲酸甲醋、苯甲酸乙醋、苯甲酸丙醋、苯甲酸正下醋等芳香 族醋系溶劑；甲苯、二甲苯、；甲苯、環己苯、四氨化糞、3-異丙基聯苯、1，2,3,4-四甲基苯、 1,4-二異丙基苯、環己苯、甲基糞等芳香族控系溶劑;N，N-二甲基甲酯胺、N，N-二甲基乙酷 胺等酷胺系溶劑;正癸燒、環己燒、乙基環己燒、十氨化糞、二環己燒等鏈燒控系溶劑;氯苯、 二氯苯、Ξ氯苯等面代芳香族控系溶劑;下醇、己醇等脂肪族醇系溶劑;環己醇、環辛醇等脂 環族醇系溶劑；甲基乙基酬、二下基酬等脂肪族酬系溶劑;環己酬、環辛酬、蔚酬等脂環族酬 系溶劑等。運些之中，特別優選鏈燒控系溶劑和芳香族控系溶劑。
[0337] {空穴阻擋層}
[0338] 在發光層5與后述的電子注入層8之間可W設置空穴阻擋層6。空穴阻擋層6是W接 觸發光層5的陰極9側的界面的方式層積于發光層5上的層。
[0339] 該空穴阻擋層6具有阻止從陽極2遷移過來的空穴到達陰極9的作用和將從陰極9 注入的電子高效地向發光層5的方向傳輸的作用。作為對構成空穴阻擋層6的材料所要求的 物性，可W舉出電子遷移率高且空穴遷移率低、能隙化0M0、LUM0之差)大、激發Ξ重態能級 (T1)高。
[0340] 作為滿足上述條件的空穴阻擋層的材料，例如可W舉出雙(2-甲基-8-徑基哇嘟） (苯酪)合侶、雙(2-甲基-8-徑基哇嘟）（Ξ苯基娃醇)合侶等混合配體絡合物、雙(2-