本發明涉及存儲讀取，具體為一種上電時用于讀取穩定的熔絲存儲單元的系統。、在傳統的閃存設備中，上電時讀取熔絲存儲單元的穩定性常受電源電壓vcc斜坡上升時間的影響,不同的設備及其應用環境中，電源上升速率的快慢各不相同，可能導致電源電壓變化過程中的不穩定性。、傳統的上電復位電路通過電阻分壓器和邏...

本發明涉及阻變存儲器，尤其是涉及一種用于阻變存儲器的升壓電路和阻變存儲器。、相關技術中，阻變存儲器(resistive?random?access?memory，rram)進行寫入操作(pgm)時需bl(bit?line，位線)，位線通過大寄生電容的耦合效應來提供阻變存儲器的電阻狀態由高阻...

本發明涉及電子錄音器，具體為一種極低功耗的電子錄音器。、錄音器是一種能夠記錄聲音和重放聲音的機器，其工作原理主要涉及將聲波轉換為電信號，這一過程包括聲音的捕捉、電信號的處理和存儲。其中，聲音的捕捉是當錄音開始時，聲波(人聲、樂器聲等)首先被麥克風捕捉，麥克風內部有一個薄膜(振膜)，當聲波到...

本公開涉及車載數據存儲，尤其涉及一種車載數據存儲設備及車載數據存儲設備的減振方法。、車載數據存儲是汽車智能化和網絡化發展中的關鍵技術之一，它涉及到車輛運行狀態、環境感知、自動駕駛等多領域的數據收集、處理和保管。隨著汽車行業向電動化、智能化、網聯化轉型，車載數據存儲的需求呈現出爆炸性增長的趨...

本發明通常涉及存儲器裝置，并且特別地涉及基于浮置柵極的非易失性存儲器(nvm)中的單個存儲器單元架構。、諸如閃存、stt-mram、pram和rram的可重寫嵌入式非易失性存儲器(envm)允許系統完全關閉而不會丟失數據，從而實現零待機功率消耗并且支持諸如無線傳感器的超低功耗系統和嵌入式微...

本公開涉及執行刷新操作的半導體存儲器裝置。、作為典型半導體裝置的dram(動態隨機存取存儲器)可包含能夠彼此并發地操作的多個存儲體。當對每一存儲體執行刷新操作時，使用定時調整電路調整刷新操作的操作定時。然而，由于定時調整電路需要相對大的占用面積，因此當定時調整電路被分配給每一存儲體時，其將...

本申請涉及存儲，特別涉及一種存儲裝置的修復方法及存儲裝置的修復系統。、動態隨機存儲器(dynamic?random?access?memory，dram)芯片作為一種存儲裝置，憑借結構簡單、集成度高以及功耗低等優勢，現已廣泛應用于手機、電腦、服務器等設備，在消費電子領域發揮了重要作用。在d...

本申請涉及存儲，特別涉及一種存儲裝置的修復方法及存儲裝置的修復系統。、動態隨機存儲器(dynamic?random?access?memory，dram)芯片作為一種存儲裝置，憑借結構簡單、集成度高以及功耗低等優勢，現已廣泛應用于手機、電腦、服務器等設備，在消費電子領域發揮了重要作用。在d...

本發明涉及一種優化方法及優化系統，特別是涉及一種訊號質量優化方法及訊號質量優化系統。、對于開放式nand閃存存儲器接口(open?nand?flash?interface，onfi)標準中規范的訊號而言，是由外部輸入固定的參考電壓，并不像ddr等規范中可以使用模式暫存器(mode?regi...

本技術屬于存儲器，尤其涉及一種散熱效果好的存儲器。、存儲器是一種計算機中專門用來存放數據、信息和指令的器件。分內存儲器和外存儲器兩大類。、其中外存儲器，例如移動固體存儲器在使用的時候，多放置在桌面使用，且多密封設置，從而導致運行的時候，內部產生的熱量無法得到有效地去除，而部分的移動固體存儲...

本公開涉及半導體器件領域，并且更具體地，涉及一種存儲設備、用于改進存儲設備的性能的方法以及電子設備。、隨著大數據和云計算的蓬勃發展，為了實現高密度的存儲，存儲器陣列中的存儲單元的尺寸越來越小并且存儲器的集成密度越來越高。然而存儲器陣列的交叉矩陣結構中存在漏電路徑。在一些情形下，通常采用晶體...

實施例和實現方式涉及多電平(multi-level)非易失性存儲器，特別是相變存儲器(pcm)或非易失性浮柵存儲器，例如flash存儲器或具有掩埋式選擇晶體管的存儲器，并且更具體地涉及讀取這樣的存儲器。、非易失性存儲器通常將二進制數據存儲在兩個電平上，這兩個電平對應于這些二進制數據的兩個可...

示例實施例涉及集成電路器件，更具體地，涉及集成電路存儲器件和其中的行譯碼器。、存儲器件的存儲容量不斷增加。隨著存儲器件的存儲容量增加，選擇存儲器單元的相鄰字線之間的間距(pitch)(單元間距)通常減小。隨著相鄰字線之間的間距減小，包括在字線驅動電路中的晶體管的尺寸也同樣減小，以適應更小的...

本專利文件涉及半導體技術，并且更具體地，涉及包括在垂直方向上堆疊的多個存儲器單元的半導體設備、近來，隨著電子電器趨向于小型化、低功耗、高性能、多功能等，在本領域中已經需要能夠在諸如計算機、便攜式通信設備等的各種電子電器中存儲信息的半導體設備，并且已經對半導體設備進行了研究。這樣的半導體設備...

本公開的實施例總體上涉及一種半導體模塊，并且更具體地，涉及這樣一種半導體模塊：其涉及在讀取操作開始之后輸出內部數據之后，通過使用存儲器電路中存儲的一些比特位(bit)來對數據執行糾錯操作，在存儲器電路中元數據作為在糾錯碼(ecc)電路中使用的奇偶校驗已被存儲。、近來，為了提高半導體器件的操...

本發明屬于計算機，尤其是涉及一種云邊協同數據容錯方法及系統。、隨著物聯網的快速發展，終端設備產生了大量的數據，這些數據需要及時傳輸和處理，以便做出實時決策或進行遠程監控，對于物聯網平臺，保障終端數據可靠性、平穩運行十分重要，然而，在硬盤被廣泛用于物聯網平臺的今天，硬盤已經成為物聯網終端設備...

本技術涉及數據中臺存儲器，具體為一種具有抗擠壓結構的數據中臺存儲器。、存儲器單元實際上是時序邏輯電路的一種，按存儲器的使用類型可分為只讀存儲器和隨機存取存儲器，兩者的功能有較大的區別，因此在描述上也有所不同，存儲器是用來存儲程序和各種數據信息的記憶部件，存儲器可分為主存儲器(簡稱主存或內存...

本公開涉及電路，具體而言，涉及一種能夠高效生成數據的數據生成電路及存儲系統。、d?nand(三維閃存)器件在程序運行前需要從輸入輸出緩存(io)向頁緩沖區輸入kb的數據。在對d?nand器件進行測試的過程中，需要通過隨機化電路將隨機數據加載到頁面緩沖區(pb，pagebuffer)中，以節...

本申請涉及數據處理領域，尤其涉及一種數據讀取方法及裝置。、人工智能模型會使用多種方式的網絡模型構建，例如：使用矩陣方式計算卷積神經網絡模型cnn、基于注意力機制的深度學習模型transformer和稀疏transformer時，對于上述三種模型，讀取數據的方式不同，芯片內需設置三種不同的電...

本揭示涉及一種阻抗調整電路，且更具體來說，涉及一種具有連接檢測功能的阻抗調整電路。、一般來說，存儲器裝置根據管芯上終端(on-die-termination，odt)元件的驅動能力電阻器(drive?capability?resistor，ron)或終端電阻器(termination?re...