本公開涉及半導體領域，更具體地涉及一種改善雙層結構的mems工藝中犧牲層殘留的方法。、光敏性聚酰亞胺(pi)是一種主鏈上具有酰亞胺基團的高分子聚合材料，耐℃左右的高溫和液氦(-℃)的低溫，其玻璃化溫度為℃以上。聚酰亞胺具有良好的絕緣性、彈性系數大、線膨脹系數大、能承受較大的應變、在較寬的溫...

本技術涉及微機電傳感器，特別涉及一種mems芯片及電子設備。、mems芯片是一種集成了微型機械裝置和電子元件的半導體芯片，它借助微納加工技術制造出微米級別的機械結構，使得芯片具備了感知、操控和控制微小物體的功能。、現有的mems電容壓力芯片通常是由基體、振膜和背板構成的。背板設置有導電層，...

本發明屬于芯片制造的，具體是涉及一種用于深槽刻蝕工藝的散熱結構。、mems(micro-electro-mechanical?systems)是微機電系統的縮寫，mems制造技術利用微細加工技術，特別是半導體圓片制造技術，制造出各種微型機械結構，結合專用控制集成電路(asic)，組成智能化...

本發明屬于半導體，具體涉及一種新型半導體測試探針制造工藝。、探針卡是一種用于電子測試和分析的關鍵器件，它由多個探針組成,通過接觸待測電路或器件的接觸點,可對其電性能進行測試和分析。探針卡廣泛應用于集成電路、pcb電路、新型電子器件等領域的研發和制造過程中。、mems探針卡是利用微機電系統（...

本發明屬于半導體，具體涉及一種新型半導體測試探針封裝工藝。、探針卡是一種用于電子測試和分析的關鍵器件，它由多個探針組成,通過接觸待測電路或器件的接觸點,可對其電性能進行測試和分析。探針卡廣泛應用于集成電路、pcb電路、新型電子器件等領域的研發和制造過程中。、mems探針卡是利用微機電系統（...

本發明涉及半導體，尤其涉及一種mems壓力傳感器空腔的制作方法。、隨著半導體技術的發展和消費電子市場的增長，利用微機電系統(mems)技術制造的硅壓阻式壓力傳感器由于其體積小、精度高且可通過硅微加工工藝實現批量制備，在商業和工業領域得到了廣泛的應用。背面空腔的制備是壓力傳感器芯片制備中重要...

本文中所描述的主題的實施例涉及電子裝置封裝和多芯片集成。、半導體裝置和其它電子裝置常常組裝到封裝中以保護裝置免于損壞且提供宏觀電接觸。封裝可由包括聚合物和陶瓷的各種材料制成。可能需要將多個裝置組裝在一個封裝內以便減小較大組件中的各種部件所需的體積。還可能需要在多芯片封裝內互連多個裝置以節省...

本技術涉及微機電傳感器，特別涉及一種mems芯片及電子設備。、mems芯片是一種集成了微型機械裝置和電子元件的半導體芯片，它借助微納加工技術制造出微米級別的機械結構，使得芯片具備了感知、操控和控制微小物體的功能。現有的mems電容壓力芯片通常包括基體以及多個膜結構，膜結構在基底的厚度方向上...

本發明涉及集成電路，尤其涉及一種集成接口電路的微流量傳感器及其無光刻制造方法。、流量傳感器廣泛應用于環境監測、醫療診斷、工業控制、航天探測等關系國計民生的重要領域。隨著智能建筑、智慧城市、精準醫療等新興領域的迅猛發展，用于流量監測的傳感器性能要求日益提高。例如，在智能建筑中，為實現節能型的...

本發明涉及電氣元件，具體涉及一種智能分離的微系統制備方法。、隨著互聯網、云計算、人工智能等技術加速發展，電子系統面臨著數據海量化、多樣化、傳輸環境復雜化的挑戰，體積及功耗成為制約電子系統發展的重要瓶頸。因此亟需改變傳統電子系統分立單機的模式，實現電子系統高性能、小體積、智能化以及多功能化集...

本申請涉及半導體，具體涉及一種壓電型微機電器件及其制備方法。、壓電mems(micro-e?l?ectro-mechanica?l?system，微電子機械系統)是近年來快速發展的一個領域。壓電薄膜材料具有電信號與機械振動相互轉換的特性,這種特性為mems器件的開發提供了新的可能性。壓電m...

本發明涉及電氣元件，具體涉及一種玻璃基和硅基轉接板混合堆疊的射頻微系統制備方法。、在過去的幾十年里，電子信息系統的小型化、輕型化、低功耗主要依靠減小半導體器件工藝制程的線寬來解決。然而，隨著晶體管尺寸的逐漸縮小，量子效應和功耗成為制約物理尺寸的主要瓶頸，摩爾定律逐漸放緩。因此，人們開始尋求...

本發明涉及一種用于傳感器裝置、麥克風裝置和/或微型揚聲器裝置的微機械構件。本發明同樣涉及一種用于傳感器裝置、麥克風裝置和/或微型揚聲器裝置的微機械構件的制造方法。、由de?????a已知一種用于傳感器裝置的微機械構件，該構件具有至少一個定子電極、至少一個執行器電極和跨越電極的膜片，該膜片具...

本技術涉及半導體，具體而言涉及一種mems器件及電子裝置。、隨著半導體技術的不斷發展，在傳感器類產品的市場上，智能手機、集成cmos和微機電系統(mems)器件日益成為最主流、最先進的技術，并且隨著技術的更新，朝著尺寸小、性能高和功耗低的方向發展。、其中，基于微機電系統(mems)工藝制備...

本公開涉及具有壓力檢測結構和慣性檢測結構的晶片級集成的微機電傳感器設備。本公開還涉及對應的制造方法。、眾所周知，當前的微加工技術使得能夠從半導體材料的層開始制造微機電系統(mems)，這些半導體材料的層已經被沉積(例如，多晶硅的層)或生長在犧牲層(例如，外延層)上，然后經由化學蝕刻被去除。...

本發明屬于半導體封裝，具體涉及一種晶圓級封裝結構及晶圓級芯片制作方法。、mems(微機械)器件由于結構脆弱，一般都需要進行氣密性封裝，以確保mems結構穩定，功能可靠。對于特殊的器件，如mems紅外器件、mems加速度計、mems陀螺儀等，需要通入保護氣體封裝，甚至真空封裝。、mems紅外...

本發明涉及硅片傳感器，尤其涉及一種壓力傳感器的制作和分離方法。、現有超高壓超薄壓力傳感器的制作多是采用sol硅片作為襯底，通過機械研磨將傳感器硅片研磨至-um左右，形成最終的傳感器,成本較高，且難以操作取芯片。、目前在高壓mpa-mpa的高壓傳感器領域中，一般的mems硅的傳感器芯片無法適...

本發明涉及封裝結構，具體涉及一種壓力傳感器加工的多級封裝結構。、針對壓力傳感器這類高敏性器件的組裝過程進行說明，是以內部的高敏性芯片或高敏型器件為主，基于氣壓、液壓、溫度或流量等物理特性，以mems傳感器為例，是以內部的mems芯片作為核心，其生產過程中為提高生產效率，當前主要采用自動化設...

本發明涉及半導體制備領域，特別涉及一種基于陰影掩膜工藝的半導體預制件及預制件制備方法。、shadow?mask（陰影掩膜）工藝為利用shadow?mask作為加工掩膜的工藝，一般作為精密微機械加工的掩膜，用于在真空室內的蒸發和濺射過程中將材料沉積到基底上，具體可以應用在oled（有機發光二...

本公開實施例涉及微機電系統傳感器和半導體，且特別是涉及一種電容式壓力傳感器及其制造方法、電子裝置。、微機電系統（micro-electro-mechanical?system;?mems）電容式壓力傳感器廣泛應用于麥克風（即，傳聲器）、電子煙等電子裝置中，其可將由聲波或吸煙動作等作用于振膜...