本發明屬于mems，涉及一種平面電極及其引線方法。、在mems(微機電系統)封裝，引線封裝是連接mems傳感器或執行器與外部電路的關鍵步驟。傳統的引線方案包括引線鍵合、焊接和點膠等技術，這些方法雖然在實際應用中已經得到了廣泛認可，但它們在某些應用場景下存在顯著的局限性。、引線鍵合是...

本發明屬于鈣鈦礦薄膜圖形化制備，具體涉及一種利用反應離子刻蝕技術干法刻蝕實現鈣鈦礦薄膜圖形化的方法。、鈣鈦礦材料具有合適的帶隙、高載流子遷移率、高吸收系數、低激子束縛能、長載流子壽命等優勢，基于鈣鈦礦的量子點、納米線等結構材料也成為了新一代光電功能材料，在發光二極管、太陽能電池、阻變憶阻器...

本發明屬于鈣鈦礦陣列圖形化，具體涉及電感耦合等離子刻蝕技術制作鹵化物鈣鈦礦陣列圖形的方法。、鹵化物鈣鈦礦（以下簡稱‘鈣鈦礦’）材料具有合適的帶隙、高載流子遷移率、高吸收系數、低激子束縛能、長載流子壽命等優點，其中，基于鈣鈦礦的量子點、納米線等結構材料也成為了新一代光電功能材料，在發光二極管...

本發明屬于鈣鈦礦量子點圖形化，具體涉及雙面硅化合物接觸式掩膜板及其制備方法、利用掩膜板制備鹵化物鈣鈦礦量子點圖形的方法。、量子點是由有限數目原子組成的三維尺度均在納米級別的新型材料，通常尺寸介于-?nm內。傳統量子點主要由ii-vi族、iii-v族或iv-vi族元素構成，如較為傳統的量子點...

本發明屬于半導體微納加工測試，特別涉及一種碳化硅微結構及其受壓電阻變化測試平臺和搭建方法。、碳化硅，作為第三代寬禁帶半導體的典型代表，具有高熱導率，耐腐蝕，寬禁帶，高載流子遷移率等材料優勢，被廣泛應用于微電子和微納傳感器等領域。在功率器件領域，碳化硅被作為金屬-氧化物半導體場效應晶體管(m...

本發明涉及微鏡，特別涉及一種壓電mems微鏡及制造方法。、壓電mems微鏡結合了壓電驅動和位置傳感功能，利用壓電材料在電場中產生應力形變來驅動微鏡發生轉動，而為了實現對于轉動角度更精準快速的反饋控制。、現有技術中壓電mems微鏡通常采用壓阻檢測的方式，首先在需要檢測旋轉的位置上埋入可變電阻...

本發明屬于mems引線封裝，涉及一種高溫mems器件高效引線方法。、mems全稱micro?electromechanical?system，即微機電系統，是一種結合了機械和電子技術的微小裝置，是微型機械加工工藝和半導體工藝相結合的產品。由于mems擁有小型化、低功耗、集成化、智能化等特點...

本申請涉及半導體，特別涉及一種在深硅刻蝕中保護陽極鍵合表面的方法。、晶圓鍵合在mems(micro-electro-mechanical?system，微機電系統)工藝中應用非常廣泛，而晶圓的鍵合表面的粗糙度對于鍵合強度具有直接的影響。有些半導體器件，特別是有些微機電系統器件，例如壓電傳感...

本申請涉及微電子，尤其是涉及到一種用于提高表面平整度的mems器件制作方法及mems器件。、微機電系統(mems,micro-electro-mechanical?system)，也叫做微電子機械系統、微系統、微機械等，指尺寸在幾毫米乃至更小的高科技裝置。主要由傳感器、作動器(執行器)和微...

本發明屬于芯片鍵合，特別涉及一種用于微流控芯片封裝的鍵合裝置及其鍵合方法。、微流控芯片又稱芯片實驗室，一張芯片上可以集成加樣、反應、分離和檢測等多種功能。、經檢索，現有技術中，中國專利公開號:cnu，授權公開日：--，公布了一種雙工位微流控芯片鍵合裝置，包括裝置主體，裝置主體構造有操作空間...

本發明涉及非制冷紅外探測器，更具體涉及一種面陣型像素封裝非制冷紅外探測器及制備方法。、非制冷紅外焦平面探測器是在超高真空環境下通過吸收外界的紅外能量轉化為電學信號來進行成像，在非制冷紅外探測器的制作過程中必須使用到吸氣劑，并在探測器真空密封環境下激活，從而去除殘余氣體以保持更高的真空度。在...

本發明涉及芯片制造領域，具體地說就是一種mems器件的焊盤結構及其制備方法。、焊盤是微型電子機械系統（mems）芯片的關鍵組成部分之一，在芯片封裝過程中，焊盤可以實現芯片與外部asic電路的電學連接。、mems焊盤的質量直接影響到芯片的性能、可靠性、使用壽命、環境適應性、和良率等。高質量的...

本發明屬集成電路制造，具體涉及一種用于刻蝕方陣陣列圖形的掩膜板及利用其刻蝕方陣陣列圖形的方法。、刻蝕是半導體器件和集成電路制造中的一個重要工藝，是集成電路器件中圖形化的重要手段。通常，刻蝕工藝是光刻技術之后進行，通過刻蝕把光刻所產生的器件結構圖形制備到下層襯底上。簡單來說，先利用光刻技術將...

本發明涉及mems，特別涉及一種基于son-soi復合結構的mems多種類型壓阻式壓力傳感器的制備方法。、mems壓阻式壓力傳感器是基于微機電系統(mems)技術的一種傳感器類型，利用材料的壓阻效應來測量壓力。這類傳感器具有高靈敏度、小型化、低成本和適合批量生產的特點，廣泛應用于醫療、工業...

本發明屬于半導體，涉及一種非制冷紅外探測器像素級封裝結構及制備方法。、非制冷紅外探測是一種在超高真空環境下通過吸收外界的紅外能量轉化為電學信號進行成像的探測器，所以在非制冷紅外探測器的封裝過程中必須使用并激活吸氣劑，從而去除殘余氣體以保持更高的真空度。并且后期使用過程中如果出現真空度下降的...

本發明屬于鈣鈦礦陣列圖形化，具體涉及利用深硅刻蝕技術制作掩膜板的方法及利用掩膜板制備鹵化物鈣鈦礦陣列圖形的方法。、鹵化物鈣鈦礦（以下簡稱‘鈣鈦礦’）材料具有合適的帶隙、高載流子遷移率、高吸收系數、低激子束縛能、長載流子壽命等優點，其中，基于鈣鈦礦的量子點、納米線等結構材料也成為了新一代光電...

本發明屬于mems傳感器，特別涉及一種電容式換能器，具體是一種基于soi晶圓的mems電容式傳感器結構及其制備方法。、基于mems技術的電容式傳感器具有體積小、一致性高、高密度集成、成本低、易于批量生產等特點，因此在各個領域的應用潛力備受認可。、基于晶圓鍵合拓展的制造方法有硅局部氧化工藝，...

本公開涉及半導體領域，更具體地涉及一種dps金屬刻蝕腔體刻蝕氧化釩的方法。、基于mems技術的氧化釩測輻射熱計是一種新型的熱成像技術。其工作原理主要涉及到在氮化硅和氧化硅基底上制備氧化釩薄膜，并對這些薄膜進行熱敏性能測試。研究表明，氮化硅基底上制備的氧化釩薄膜具有更優的紅外探測性能。與傳統...

本發明屬于微流控芯片制作，特別涉及利用聚焦激光刻蝕法制備微流控芯片的方法、微流控芯片及應用。、微流控技術在生物醫學、化學分析和材料科學等領域具有廣泛應用，其制造工藝中的關鍵環節是微流道的制作。微流道的傳統制作方法包括化學刻蝕、軟光刻、紫外光刻、電子束直寫、噴墨打印等。、以上方法在應用中有各...

本發明屬于電子核心產業中敏感元件及傳感器制造領域，具體涉及一種壓電mems聲學器件及其制造方法。、壓電mems聲學器件是一種將壓電效應應用于微機電系統(mems，micro-electro-mechanical?system)的聲學傳感器，通過利用壓電薄膜與硅基板形成的復合結構的彎曲振動，...