本發明屬于mems引線封裝，涉及一種高溫mems器件高效高強度引線方法。、隨著科技的飛速進步和工業的持續發展，mems器件作為集機械、電子、傳感技術于一體的微型化產品，在各類傳感器及執行器中展現出巨大的應用潛力。其小型化、低功耗及高度集成的特性，使得mems器件在航空航天、汽車電子、生物醫...

本發明涉及半導體器件制造領域，尤其涉及一種mems金屬鍵合穩定性和強度監控方法。、微電子機械系統(mems)是一種集微型傳感器、執行器以及信號處理和控制電路于一體的集成系統。其核心部分是利用微加工技術制作的微機械結構，尺寸通常在微米級別。金屬鍵合是mems器件中常見的連接技術，用于將不同層...

本發明涉及微機電領域，特別涉及一種微機電結構和制備方法。、在微機電系統中，經常需要在鍵合于空腔表面的覆蓋層刻蝕形成連通于空腔的通孔，在生產中，每一批次的產品均需要檢測通孔是否貫穿至空腔。而通過破壞性測試進行檢測會導致產品損毀難以繼續使用，成本較高。、目前，不損傷產品的方法主要為光學檢測方法...

本發明涉及mems，具體為一種聲傳感器芯片加工及封裝方法。、標量mems麥克風只能測量聲場中的聲壓標量信息。矢量麥克風不僅可以測量聲壓標量信息，還可以測量聲壓梯度等標量信息，可以更全面的反映聲場。差分輸出可以抑制溫度等共模干擾對麥克風性能的影響，而且可以提高麥克風的線性度。現有的mems麥...

本發明涉及探測器領域，特別是涉及一種非制冷紅外像元級封裝結構及其制備方法。、像元級封裝作為新一代非制冷紅外焦平面探測器的封裝技術，在讀出電路晶圓上進行mems(micro-electro-mechanical?system，微機電系統)制造工藝，將非制冷紅外探測器的每個像元分別進行真空封裝...

本申請涉及mems器件，特別涉及一種非制冷紅外探測器及非制冷紅外探測器制備方法。、非制冷紅外探測器（focal?plane?array，fpa）的加工屬于微機電系統（micro-electromechanical?systems，mems）領域，是一種基于微電子技術和微加工技術的一種高新技...

本發明屬于氣體傳感器領域，具體涉及一種基于金屬接觸的懸浮鈀納米半管材料、制備方法及應用。、近年來，氫(h)作為一種能量密度高、清潔、易于分布的高效儲能手段受到了能源和環境領域的廣泛關注。h氣體也用于各種工業應用，包括石油和玻璃精煉，半導體和制藥制造，h冷卻系統和冶金工藝。雖然h氣體可用于許...

本發明涉及微電極陣列，更具體地涉及一種用于神經細胞檢測和電刺激的多孔微電極陣列的制備方法。、隨著微加工技術的發展，微電極陣列(mea)開始廣泛應用于神經科學、心臟病學和藥物測試等領域。mea允許研究人員在體外培養條件下，對單個細胞或細胞網絡的電活動進行長期、穩定的記錄和分析，優點是空間分辨...

本發明屬于mems傳感器，具體涉及一種非接觸式壓力傳感器芯片無引線封裝結構及制備方法。、高溫壓力傳感器廣泛應用于火箭發動機、航空發動機、重型燃氣輪機、燃煤燃氣鍋爐等動力設備燃燒室內的壓力監測中，開展高溫環境下的壓力測試至關重要，例如監測航空發動機高溫噴流的壓力特性，對發動機及航天器姿態控制...

本發明屬于電化學檢測，具體涉及一種低成本、高收集率的微米級環-盤電極的制備方法。、雙通道電極在電化學領域具有顯著優勢，如提高信號質量、增強多功能性，可用于探究反應動力學、實現選擇性檢測，并支持實時監測。這些特性使其在多個應用領域中發揮重要作用，包括環境監測和生物傳感器的傳感器技術、鋰離子電...

本發明屬于二維材料，具體涉及一種二維異質結結構的制備方法。、隨著膠帶輔助剝離單層石墨烯的成功，二維層狀材料也越來越多可在硅片上獲得其薄層，如六方氮化硼(hbn)、過渡金屬硫族化合物(transition?metal?dichalcogenides，tmd)等二維材料。實驗上可通過光學顯微鏡...

本技術涉及微陣列芯片結構，更具體地說，本技術涉及一種輔助導熱的微陣列芯片結構。、微陣列芯片是指采用光導原位合成或微量點樣等方法，將大量生物大分子比如核酸片段、多肽分子甚至組織切片、細胞等生物樣品有序地固化于支持物(如玻片、尼龍膜等載體)的表面，組成密集二維分子排列。、中國專利申請號為cn....

本發明涉及mems慣性器件，特別涉及一種用于mems慣性器件低應力組裝的裝置及方法。、隨著mems慣性器件的發展和性能水平的不斷提高，將mems慣性器件組裝到系統的過程中，組裝應力會嚴重影響mems慣性器件自身的性能及精度。mems慣性器件是帶有敏感方向的電子器件，主要用于載體的慣性導航、...

本申請涉及微系統高密度互連領域，尤其涉及一種基于銅通孔和介質混合鍵合的微系統制造方法以及傳感器。、由于植球或者焊盤制備時，節距和面積相對都大，利用傳統凸點技術進行鍵合時，所需要的回填溫度無法很好匹配，導致鍵合過程的可靠性和散熱性不佳，從而導致鍵合后的設備性能大大降低。因此，現急需一種可以避...

本申請屬于器件封裝，尤其涉及真空度可調的器件封裝方法、mems結構和傳感器。、mems（壓力傳感器或者慣性傳感器）結構，帶有空腔結構，mems傳感器中的腔體都需要一定程度的真空才能保證器件穩定工作，不過在mems傳感器中，并非真空度越高越好，部分產品需要特定的真空度，每種器件對真空度的需求...

本發明涉及傳感器，尤其涉及一種壓力芯片和壓力傳感器。、隨著物聯網技術的持續發展，作為物聯網中關鍵感測部件的微機電系統(microelectro?mechanical?systems，簡稱mems)傳感器的使用需求越來越大。其中mems壓力傳感器主要用于測量大氣壓力，應用于手機等智能設備中時...

本發明涉及紅外成像領域，特別是涉及一種像元結構及其制作方法、非制冷紅外偏振探測器。、非制冷紅外偏振探測器可以同時測量空間目標的強度信息和偏振信息，可有效提高目標和背景的對比度，突出目標的細節特征，增強目標識別效果。分焦平面型非制冷紅外偏振探測器，具有集成度高、可實時成像等特點，成為關注的重...

本發明涉及半導體器件制作領域，尤其涉及一種絕壓式傳感器的制作方法及絕壓式傳感器結構。、絕壓式壓力傳感器是一種常見的mems壓力傳感器，它的主要功能結構是密封空腔，該密封空腔根據傳感器的實用場景可以選擇制作常壓密封空腔或者高真空度密封空腔。、現有技術中制作mems壓力傳感器的密封空腔主要有以...

本發明涉及微電子制造領域，具體為高性能單晶硅納米晶片制造工藝。、單晶硅納米晶片是現代電子和光電子器件的重要材料，廣泛應用于半導體、傳感器和高精度光學元件等領域。制造高性能的單晶硅納米晶片需要在制備、表面處理、納米結構制造、摻雜和封裝等多個工藝步驟中保持極高的精度和一致性，以確保晶片的機械強...

本申請屬于半導體器件，尤其涉及一種基于倒裝焊工藝的壓力傳感器的制備方法及壓力傳感器。、在相關技術中，為了保護構件結構不受外部影響，特別是針對微型化和高精度需求的應用場景，mems（微機電系統）壓力傳感器得到了廣泛應用。mems壓力傳感器是一種基于微電子技術制造的高精度、微型化的壓力測量設備...