本公開是有關于一種半導體裝置及其制作方法。、近年來，隨著半導體裝置的結構的演進，這些半導體裝置所能儲存的容量也隨之提升。存儲器裝置常被使用在如數碼相機、移動電話、計算機等電子產品的儲存元件中。又隨著應用領域的拓展，對于存儲器裝置的需求也朝向小體積、大容量的路線發展。為了滿足這些需求，需要一...

本發明涉及一種有機發光二極管顯示裝置，尤其是涉及一種包括反射圖案的有機發光二極管顯示裝置。、電激發光顯示器(electroluminescent?display?device)由于具有可不需彩色濾光片(color?filter)、可自發光(不需背光模塊)以及適用于柔性顯示裝置等特性，目前已...

本公開涉及半導體，具體地，涉及一種半導體器件及其制造方法、存儲器系統。、動態隨機存取存儲器(dynamic?random?access?memory，dram)作為一種高速地、高存儲密度的易失性存儲器，被廣泛應用于智能手機、個人電腦、服務器等電子設備和裝置中。dram的存儲單元陣列包括晶體...

本公開涉及半導體光電器件領域，具體涉及一種鈣鈦礦薄膜的制備方法及鈣鈦礦發光二極管。、發光二極管作為一種電光轉換型半導體器件，被廣泛應用與顯示和照明燈領域。金屬鹵化物鈣鈦礦作為一種新型的光電轉換材料，具有熒光產率高，發光純度好，帶隙易調節，成本低，加工技術簡單等特點，近些年來在發光二極管領域...

本發明涉及一種振蕩器，特別是一種電壓模式線性頻率調制控制的振蕩器。、當降壓型轉換器初始啟動時，輸出電壓相對較低，電感電流因此具有較大的斜率，使得電流檢測電路需要時間來檢測表示電感電流。因此，當電感電流在高頻率下工作并且具有大的斜率時，電感電流會難以控制。、為了使感測控制電路準確且高效地控制...

本發明涉及一種顯示裝置(display?device)。、隨著信息化社會的發展，對于顯示裝置的要求也不斷地以多樣的形態增加，與此對應地，近年來研究并使用著lcd(liquid?crystal?display?device：液晶顯示裝置)、pdp(plasma?display?panel：等...

本公開總體上涉及超導信號放大器。相關技術的描述行波參數放大器(twpa)是常用的超導放大器。twpa包括非線性lc傳輸線，具有約瑟夫遜結，提供電感和非線性。twpa是一些量子計算系統的主力放大器，因為twpa具有高增益、低噪聲、以及用于多個量子位的讀出的足夠帶寬和飽和功率。當使用具有激勵音調(si...

實施例涉及一種顯示像素用半導體發光器件和包括該半導體發光器件的顯示裝置。、大面積顯示器有液晶顯示器(lcd)、oled(有機發光二極管)顯示器、以及微led顯示器(micro-led?display，微發光二極體顯示器)等。、微led顯示器是將具有μm以下的直徑或截面積的半導體發光器件即微...

本發明屬于線路板蝕刻處理，具體涉及一種點噴補償蝕刻裝置。、在電路板蝕刻過程中，由于各種因素的影響，例如蝕刻液的流動不均勻、蝕刻時間控制不準確、蝕刻設備的性能差異等，常常會出現蝕刻不均勻的現象，導致電路板上存在殘銅。這些殘銅會影響電路板的電氣性能、可靠性和產品質量，傳統的蝕刻方法難以對這些殘...

本發明屬于半導體，具體涉及一種基于組分和柵壓聯合調控的場效應晶體管及制備方法。、場效應晶體管在遙感、目標識別、氣體傳感、成像、自由空間光通信和其它重要領域的廣泛應用，對場效應晶體管的高性能需求，特別是對寬帶室溫工作的光電探測的需求，已經引起了研究人員的極大興趣。其中，二維半導體材料，包括各...

本申請涉及半導體，特別是涉及一種存儲單元結構與存儲器件。、存儲器件是計算機系統中用于存放數據的關鍵部分。存儲器件包括動態隨機存取存儲器（dram）和靜態隨機存取存儲器（sram）等。、現有的靜態隨機存取存儲器件包括多個存儲單元結構，為了提高存儲單元的存儲速度和功耗，對于存儲單元的版圖設計是...

本申請涉及半導體，具體涉及一種功率器件布局結構及其制造方法。、目前主流功率器件通常采用多個元胞并聯以降低導通電阻，但并聯元胞數量的增加會導致芯片面積增大和成本上升。為了在相同面積下降低成本并獲得較低的導通電阻，提高器件的溝道密度成為關鍵。在相同制造工藝下，器件的總溝道寬度是決定導通電阻的重...

本發明涉及半導體制冷片，更具體地說，本發明涉及一種半導體制冷片的模塊化生產線。、半導體制冷片，也叫熱電制冷片，是一種熱泵。它的優點是沒有滑動部件，應用在一些空間受到限制，可靠性要求高，無制冷劑污染的場合。利用半導體材料的peltier效應（第二熱電效應?），當直流電通過兩種不同半導體材料串...

本技術涉及半導體器件，尤其涉及一種具有雙柵極溝槽的sicmosfet器件。、在溝槽型sic?mosfet中，柵極溝槽底部易產生電場集中效應，這可能導致柵氧化層的可靠性下降，進而影響器件的長期工作性能。通過增加p區的結深，使其顯著大于柵極溝槽的深度，可以擴展柵極溝槽下方的空間電荷區覆蓋范圍，...

本申請涉及電池，特別是涉及一種極片加熱系統、方法、裝置和極片冷壓設備。、隨著新能源技術的發展，以鋰電池為代表的二次電池，逐漸應用到儲能系統、電動交通工具以及軍事裝備和航空航天等多個領域，給人們日常生產、生活帶來極大的用電便利。極片作為電池的重要組成部分，其質量直接影響電池的整體性能和使用壽...

本發明屬于太陽能電池，具體涉及一種兩端疊層太陽能電池組件及其制備方法。、在常規兩端疊層太陽能電池組件中，以反式（p-i-n）鈣鈦礦/鈣鈦礦兩端疊層太陽電池為例，制備方法包括：.通過p線將透明底電極刻蝕貫穿，形成斷路；.在刻蝕后的襯底上依次沉積第一空穴傳輸層、寬帶隙鈣鈦礦、第一電子傳輸層、隧...

本發明涉及半導體光電探測器的，更具體地，涉及一種紫外光電探測器及其制備方法。、在現代社會中需要高響應度的紫外光電探測器來解決相關中的問題，特別是在紫外殺菌、治療以及環境污染檢測等領域，對探測精度的要求愈發嚴格。、石墨烯憑借其卓越的導電性、寬光譜響應以及較低的噪聲等效功率等特性，在超...

本發明涉及半導體，特別涉及一種hemt器件。、隨著半導體技術的發展，氮化鎵hemt(high?electron?mobility?transistor，高電子遷移率晶體管器件)已有越來越多的運用。hemt使用兩種具有不同能隙的材料形成異質結，能夠獲得-deg(two-dimensional...

本申請涉及射線源控制，特別涉及一種基于直線加速器的陣列式機頭多角度輻照系統及方法。、電子直線加速器可產生特定能量的電子束流，直接引出電子束流或使用電子束流打靶，通過韌致輻射產生x射線，可作為穩定可靠可控的電子源或x射線源，廣泛應用于放射治療、ct影像技術、工業輻照等眾多領域，為人民的身體健...

本發明涉及的是一款固定安裝在墻壁接線盒中的調光產品，具體而言，涉及一種后切相單火式墻壁調光器。、調光器是一種用于調節照明設備亮度的裝置，能夠滿足不同場景下的照明需求。調光器廣泛應用于家庭、辦公室、商業建筑等各種場所，提供了舒適、可調節的照明環境。當前市面上的調光器一般都是采用可控硅作為開關...